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    • 专利摘要:
    Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelle (1), wobei (a) als Speicherelement (10) ein Festkörperelektrolytmaterialbereich (11) ausgebildet wird und wobei (b) der Festkörperelektrolytmaterialbereich (11) durch Einbringen einer aktivierenden Spezies (12) aktiviert wird. Erfindungsgemäß werden die Schritte (a) und (b) zeitlich miteinander kombiniert durchgeführt, wobei dadurch das Festkörperelektrolytmaterial (11') in situ ausgebildet und aktiviert wird.
    公开号:DE102004025615A1
    申请号:DE200410025615
    申请日:2004-05-25
    公开日:2005-12-29
    发明作者:Cay-Uwe Dr. Pinnow；Klaus Dieter Dr. Ufert
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelle.
    [0002] BeiFestkörperelektrolytspeicherzellenwird als Speicherelement der Speicherzelle ein Festkörperelektrolytmaterialbereichaus oder mit einem Festkörperelektrolytmaterialausgebildet und vorgesehen. Das Festkörperelektrolytmaterial desFestkörperelektrolytmaterialbereichswird nach dem Ausbilden durch Einbringen einer oder durch Dotierenmit einer aktivierenden Spezies aktiviert, so dass dadurch bestimmteIonenleitfähigkeitenim Festkörperelektrolytmaterialbereichrealisiert werden.
    [0003] Problematischbei herkömmlichenVerfahren zum Herstellen von Festkörperelektrolytspeicherzellenist, dass diese Verfahren darauf beruhen, dass der Vorgang des Ausbildensdes Festkörperelektrolytmaterialszum einen und seine Aktivierung zum anderen verfahrensmäßig undzeitlich voneinander getrennt durchgeführt werden. Ein derartigesHerstellungsverfahren beinhaltet also mindestens zwei voneinandergetrennte Arbeitsschritte.
    [0004] Esist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstelleneiner Festkörperelektrolytspeicherzellezu schaffen, welches einfacher als bisher und gleichzeitig mit gleicherZuverlässigkeit durchgeführt werdenkann.
    [0005] Gelöst wirddie der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe bei einem Verfahrenzum Herstellen einer Festkörperelektrolyt speicherzelledurch die Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungendes erfindungsgemäßen Verfahrenszum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelle sindGegenstand der abhängigenUnteransprüche.
    [0006] Beimgattungsgemäßen Verfahrenzum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzellewird (a) als Speicherelement der Speicherzelle ein Festkörperelektrolytmaterialbereicheines Festkörperelektrolytmaterialsausgebildet. Des Weiteren wird (b) der Festkörperelektrolytmaterialbereichdurch Einbringen einer oder durch Dotieren mit einer aktivierendenSpezies aktiviert.
    [0007] Daserfindungsgemäße Verfahrenzum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelleist dadurch gekennzeichnet, dass die oben angegebenen Schritte (a)und (b) des Ausbildens des Festkörperelektrolytmaterialbereichsbzw. des Aktivierens des Festkörperelektrolytmaterialbereichsoder Teilschritte davon zeitlich miteinander kombiniert durchgeführt werdenund dass dadurch das Festkörperelektrolytmaterialdes Festkörperelektrolytmaterialbereichsin situ ausgebildet, dotiert, aktiviert und/oder konditioniert wird.
    [0008] Esist somit eine Kernidee der vorliegenden Erfindung, die für das Herstelleneines Festkörperelektrolytspeichersoder einer FestkörperelektrolytspeicherzellemaßgeblichenSchritte miteinander zeitlich zu kombinieren, und zwar derart, dasssie derart miteinander zeitlich verflochten sind, dass die Notwendigkeitdes hintereinander Ausführensnicht mehr gegeben ist, sondern dass die maßgeblichen Schritte zum Herstellenzeitlich miteinander gemischt oder auch gleichzeitig durchgeführt werden.
    [0009] Diesbetrifft insbesondere den Schritt des eigentlichen Ausbildens desMaterials fürden Festkörperelektrolytmaterialbereichund zum anderen den Prozess des Aktivierens des einmal ausgebildeten Festkörperelektrolytmaterialbereichsdurch Einbringen von oder durch Dotieren mit einer jeweils aktivierendenSpezies.
    [0010] Beieiner vorteilhaften Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrensist es vorgesehen, dass die Schritte (a) und (b) das Ausbilden des Festkörperelektrolytmaterialbereichsbzw. des Aktivierens des Festkörperelektrolytmaterialbereichs oderTeilschritte davon vollständigoder zum Teil simultan - insbesondere wiederholt – durchgeführt werden.
    [0011] Beieiner anderen vorteilhaften Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrensist es vorgesehen, dass die Schritte (a) des Ausbildens des Festkörperelektrolytmaterialbereichsbzw. des Aktivierens des Festkörperelektrolytmaterialbereichs oderTeilschritte davon sukzessive und/oder alternierend - insbesonderewiederholt – durchgeführt werden.
    [0012] Zusätzlich oderaltnativ ist es vorgesehen, dass das Festkörperelektrolytmaterial für den Festkörperelektrolytmaterialbereichund das Material für dieaktivierende Spezies in einem zeitlich kombinierten und insbesonderesimultanen und/oder sukzessiven oder alternierenden Abscheidevorgangabgeschieden werden und/oder insbesondere mittels einer Mehrkomponententargetabscheidungoder einer Legierungstargetabscheidung.
    [0013] Weiterhinvorteilhaft kann es sein, wenn das Festkörperelektrolytmaterial für den Festkörperelektrolytmaterialbereichund das Material fürdie aktivierende Spezies in einem zeitlich kombinierten und insbesonderesimultan und/oder sukzessiven oder alternierenden Co-Sputtervorgangabgeschieden werden.
    [0014] Indiesem Fall ist es denkbar, dass für das Festkörperelektrolytmaterial undfür dasMaterial für dieaktivierende Spezies jeweils Targets verwendet werden.
    [0015] Fernerist es in diesem Fall zusätzlichoder alternativ denkbar, dass fürdas Festkörperelektrolytmaterialein Target verwendet wird und dass für das Festkörperelektrolytmaterial einProzessgas oder Prozessgasbestandteile verwendet werden, z.B. in Formeines reaktiven Gasflusses aus O2, H2Se und/oder aus oder mit H2S.
    [0016] Beieiner anderen bevorzugten alternativen oder zusätzlichen Ausführungsformdes erfindungsgemäßen Verfahrensist es vorgesehen, dass als ein Festkörperelektrolytmaterial einoder mehrere Chalcogenidmaterialien verwendet werden.
    [0017] Weiterhinvorteilhaft ist es, wenn gemäß eineranderen bevorzugten Ausführungsformals ein Festkörperelektrolytmaterialein oder mehrere Verbindungen aus oder mit einem oder mehreren Elementender Hauptgruppe VI verwendet werden.
    [0018] DesWeiteren ist es denkbar, dass als Festkörperelektrolytmaterial einWolframoxid, ein Germaniumselenid, ein Germaniumsulfid, Siliziumsulfid und/oderSiliziumselenid verwendet werden.
    [0019] Weiterhindenkbar ist, dass als ein Festkörperelektrolytmaterialein Sulfid, ein Selenid und/oder ein Oxid verwendet werden.
    [0020] Darüber hinausist es alternativ oder zusätzlichdenkbar, dass als Material fürdie aktivierende Spezies ein oder mehrere Metalle verwendet werden.
    [0021] Gemäß einerweiteren bevorzugten Ausführungsformist es alternativ oder zusätzlichdenkbar, dass als Material fürdie aktivierende Spezies Kupfer, Zink, Silber, Cadmium, Gallium,Lithium und/oder Magnesium verwendet werden.
    [0022] DesWeiteren ist es denkbar, dass eine Abscheiderate und/oder eine Sputterratefür dasFestkörperelektrolytmaterialund/oder fürdas Material für dieaktivierende Spezies zeitlich variiert oder variierend eingesetztund eingestellt werden.
    [0023] Dieseund weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahmeauf die nachfolgenden Bemerkungen weiter erläutert: Die Integrationeines nichtflüchtigenSpeichers basierend auf dem resistivem Schalten eines ionenleitendenElements (Festkörperelektrolytzelle),wie z.B. die von Kozicki et al. [1–5] beschriebene Anordnung, weisteine Reihe von technologischen Problemen und Herausforderungen auf.Dies ist u.a. darin begründet,dass die in der Literatur beschriebenen Ausführungen der Festkörperelektrolytschichtneue Materialien enthalten, welche im wesentlichen Chalcogenidewie z.B. Ge-Se oder Ge-S darstellen. Diese Materialien sind schwierigherzustellen und weisen teils keine ausreichend hohe thermischeStabilität auf.Zudem sind die Auswirkungen dieser Materialien als Verunreinigungenauf die elektrischen Eigenschaften von CMOS Transistoren nicht bekannt.Zudem sind füreine Integration in einen Halbleiterprozess relevante Materialeigenschaftennicht bekannt, z.B. die Diffusionskonstanten von den neuen Materialienin Si und SiO2. Das zu lösende Problem besteht darin,neue Materialien und Materialkombinationen zu finden, die durchkonventionelle Halbleiterproduktionsprozesse herge stellt werdenkönnenund die durch einfache Verfahren in einen Halbleiterfertigungsprozessintegriert werden können.
    [0024] Derzeitwird die Abscheidung und die Dotierung des Festkörperelektrolytmaterials ingetrennten Schritten durchgeführt.Dabei wird i.a. zunächsteine Chalcogenidschicht abgeschieden und diese dann in einem mehrstufigenDotierprozess durch nachträgliches(u.U. mehrfaches) Aufbringen einer Silberschicht [1–5] bedecktund dieses Silber durch einen Photodiffusionsprozess in das Chalcogenidmaterial eingetrieben.Diese Prozess-Abfolge hat zur Konsequenz, dass das Silber nur inlimitierter Menge in das Festkörperelektrolytmaterialeingetrieben werden kann, da die UV Transparenz der Silberschichtmit zunehmender Schichtdicke sehr stark abnimmt. Zudem handelt essich um einen langsamen Mehr-Stufen-Prozess, der zusätzlichesEquipment und Fertigungszeit in Anspruch nimmt.
    [0025] ImRahmen dieser Erfindung wird vorgeschlagen, mit einem hier beschriebenenneuen, kombinierten Abscheide- und Dotierverfahren ein in situ dotiertesFestkörperelektrolytmaterialherzustellen.
    [0026] Für diesesMaterial kommen i.a. Chalcogenidmaterialien in Frage, d.h. Verbindungenmit einem Element aus der VI. Hauptgruppe. Als mögliches Beispiel ist Wolframoxid(WOx) zu nennen, das zu den Standardmaterialienin der Halbleiter-Fertigungzählt. Diesbringt die Vorteile mit sich, dass kein halbleiterfremdes Chalcogenidmaterial – wie beispielsweise eineSulfid- oder eine Selenidverbindung – eingesetzt werden muss. Durchdiesen Schritt ist es möglich,auf die schwierige Integration, Prozessierung und Optimierung vonneuen Chalcogenidmaterialien zu verzichten, da die in dieser Erfindungsmeldunggenannten Materialien Wolfram bzw. Wolframoxid zu Standardmaterialienin der CMOS Halbleiterfertigung zählen.
    [0027] Darüber hinaushat das hier beschriebene Verfahren den weiteren Vorteil, dass esebenfalls für beliebigeChalcogenide (wie beispielsweise für Selenid- und Sulfid-Verbindungen)eingesetzt werden kann, vgl. auch Ausführungsbeispiele unten.
    [0028] Kernder Erfindung ist, das ionenleitende Elektrolytmaterial für die nichtflüchtige Speicherzelle insitu mit einem Metall zu dotieren. In situ bedeutet in diesem Zusammenhang,dass bei der Herstellung der Festkörperelektrolytschicht – z.B. Wolframoxid, kannaber ebenfalls, wie oben angedeutet jedes andere taugliche Chalcogenidmaterial,wie z.B. Ge-Se oder Ge-Ssein – dieMetalldotierung direkt während desAbscheideprozesses geschieht. Das Metall kann in diesem ZusammenhangSilber, Kupfer, Zink, Cadmium, Gallium oder ein anderes, in derFestkörperelektrolytmatrixbewegliches metallisches Element sein.
    [0029] Diebevorzugte Ausführungsformsieht vor, dass das mit Metall dotierte Festkörperelektrolytmaterial direktdurch einen so genannten Co-Sputtering-Prozess hergestellt wird.Alternativ kann auch mit einem geeigneten Mehrkomponententargetgesputtert werden. Denkbar ist auch die Verwendung eines Legierungstargets.Dazu wird in einer möglichenAusführungsformein Sputterverfahren angewandt, bei dem von einem Target die Chalcogenidverbindungabgeschieden wird und von dem zweiten Sputtertarget das für die Dotierungzu verwendende Metall gesputtert wird. Diese Anordnung hat den großen Vorteil,die Metall-Dotierung so flexibel einzustellen (z.B. durch Variationder Sputterrate des Metalls), dass dadurch der Dotierungsgrad freieinstellbar ist. Überdieskann durch dieses Verfahren auch ein Dotierprofil eingestellt werden,indem die Sputterrate währenddes Abscheideprozesses nicht konstant gehalten wird, sondern z.B.graduell erhöht(oder erniedrigt) wird. Durch geeignete Prozessoptimierung lassensich somit Metall-Dotierstoffkonzentration und Profile in der Chalcogenidschichteinstellen.
    [0030] Mitdiesem Verfahren können überdiesauch Multilagenschichten hergestellt werden, die durch anschließendes – z.B. phototechnischesoder thermisches – Nachbehandelnein gewünschtesMetallkonzentrationsprofil vorgibt.
    [0031] Einemögliche,aber nicht unbedingt notwendige Erweiterung dieser Erfindung wäre die Zugabe einesreaktiven Gasflusses – z.B.des Chalcogenelements in gasförmigerForm, z.B. O2, H2Se,H2S, etc. – um die Zusammensetzung desFestkörperelektrolytmaterialsweiter zu optimieren.
    [0032] Nachfolgendwird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme aufdie beigefügtenschematischen Zeichnungen nähererläutert.
    [0033] 1 – 4 sindschematische und geschnittene Seitenansichten von Zwischenzuständen, diebei einer bevorzugten Ausführungsformdes erfindungsgemäßen Verfahrenszum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelleerreicht werden.
    [0034] Nachfolgendwerden strukturell und funktionell ähnliche Elemente mit denselbenBezugszeichen bezeichnet, ohne dass bei jedem Auftreten dieser Bezugszeicheneine detaillierte Erörterungund Beschreibung wiederholt wird.
    [0035] Die 1 bis 3 stellenin schematischer und geschnittener Seitenansicht das Innere einestypischen Sputterrezipienten R dar, bei welchem ein zu präparierendesSubstrat 20 in einem zumindest teilweise evakuierten GasraumG vorgesehen ist, in welchem sich auch ein erstes und ein zweitesTarget T1 und T2 befinden, welche in fester Form Festkörperelektrolytmaterial 11' für den auszubildendenFestkörperelektrolytmaterialbereich 11 undMaterial 12' für die imFestkörperelektrolytmaterialbereich 11 einzubringendeaktivierende Spezies 12 aufweisen.
    [0036] ImZustand, welcher in 1 dargestellt ist, ist die Oberfläche 20a deszugrunde liegenden Substrats 20 noch unbedeckt.
    [0037] Im Übergangzum Zustand der 2 wird dann der Co-Sputterprozessim Inneren des Sputterrezipienten, also im Gasraum G aktiviert,wobei in der üblichenForm gleichzeitig das Festkörperelektrolytmaterial 11' vom erstenTarget T1 und das Material 12' vom zweiten Target T2 simultanauf der gegenüberliegenden Oberfläche 20' des Substrats 20 abgeschiedenwerden, so dass ein Mischmaterial M auf der Oberfläche 20a desSubstrats entsteht, also ein bereits mit der aktivierenden Spezies 12 versetzter Festkörperelektrolytmaterialbereich 11,der mithin bereits in aktivierter Form in situ, das heißt alsobeim Entstehen auf der Oberfläche 20a desSubstrats 20 ausgebildet wird.
    [0038] ImZustand der 3 ist dann der fertig ausgebildeteFestkörperelektrolytmaterialbereich 11 mit derdarin enthaltenen aktivierenden Spezies 12 nach Abschlussdes Co-Sputtervorgangs dargestellt. Das im ausgebildeten Festkörperelektrolytmaterialbereich 11 abgeschiedeneFestkörperelektrolytmaterial 11' und Material 12' für die aktivierendenSpezies 12 fehlt entsprechend an den Trägern für die ersten und zweiten TargetsT1 und T2.
    [0039] Durchden Abschluss des Co-Sputtervorgangs gemäß der Darstellung der 3 istdann eine Grundform des Speicherelements 10 für die Festkörperelektrolytspeicherzelle 1 erzeugtworden.
    [0040] 4 zeigtebenfalls in schematischer und geschnittener Seitenansicht eineAnordnung zur Durchführungeiner Ausführungsformdes erfindungsgemäßen Verfahrens,wobei die 4 etwa der 2 entspricht,hier jedoch ein einzelnes Target T mit einer Einzelkathode K verwendetwird. Das Einzeltarget T ist ein Mehrkomponententarget mit Anteilendes Festkörperelektrolytmaterials 11' und mit Anteilendes aktivierenden Materials 12', insbesondere in Form eines Metalls.
    Zitierte Literatur
    [1] M.N. Kozicki, M. Yun, S.J. Yang, J.P. Aberouette, J.P.Bird, Superlattices and Microstructures, Vol.27, No.5/6, (2000)485–488[2] M.N. Kozicki, M. Yun, L. Hilt, A. Singh, ElectrochemicalSociety Proc., Vol.99–13,(1999) 298[3] M.N. Kozicki, M. Mitkova, J. Zhu, M. Park, C. Gopalan, „Can SolidState Electrochemistry Eliminate the Memory Scaling Quandry ", Proc. VLSI (2002)[4] R. Neale, "Micronto look again at non-volatile amorphous memory", Electronic Engineering Design (2002)[5] www.axontc.com
    1 Festkörperelektrolytspeicherzelle 10 Speicherelement 11 Festkörperelektrolytmaterialbereich 11' Festkörperelektrolytmaterial 12 aktivierendeSpezies 12' Materialfür dieaktivierende Spezies 20 zugrundeliegendes Substrat 20a Oberflächenbereich G Gasraumdes Sputterrezipienten R K Einzelkathode K1 ersteKathode K2 zweiteKathode R Rezipient T Einzeltarget,Mehrkomponententarget, Legie rungstarget T1 erstesTarget fürFestkörperelektrolytmaterial 11'T2 zweitesTarget fürMaterial 12' für die aktivie rendeSpezies
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] Verfahren zum Herstellen einer Festkörperelektrolytspeicherzelle, (a)bei welchem als Speicherelement (10) der Speicherzelle(1) ein Festkörperelektrolytmaterialbereich (11)eines Festkörperelektrolytmaterials(11') ausgebildetwird und (b) bei welchem der Festkörperelektrolytmaterialbereich(11) durch Eindringen einer oder Dotieren mit einer aktivierendenSpezies (12) aktiviert wird, dadurch gekennzeichnet, – dass dieSchritte (a) und (b) des Ausbildens des Festkörperelektrolytmaterialbereichs(11) bzw. des Aktivierens des Festkörperelektrolytmaterialbereichs (11)oder Teilschritte davon zeitlich miteinander kombiniert durchgeführt werdenund – dassdadurch das Festkörperelektrolytmaterial(11) des Festkörperelektrolytmaterialbereichs(11) in situ ausgebildet, dotiert, aktiviert und/oder konditioniert wird.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Schritte (a) und (b) des Ausbildens des Festkörperelektrolytmaterialbereichs(11) bzw. das Aktivieren des Festkörperelektrolytmaterialbereichs(11) oder Teilschritte davon vollständig oder zum Teil simultan – insbesonderewiederholt – durchgeführt werden.
    [3] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass die Schritte (a) und (b) des Ausbildens desFestkörperelektrolytmaterialbereichs(11) bzw. das Aktivieren des Festkörperelektrolytmaterialbereichs(11) oder Teilschritte davon sukzessive und/oder alternierend – insbesonderewiederholt – durchgeführt werden.
    [4] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Festkörperelektrolytmaterial(11') für den Festkörperelektrolytmaterialbereich(11) und das Material (12') für die aktivierende Spezies(12) in einem zeitlich kombinierten und insbesondere simultanenund/oder sukzessiven oder alternierenden Abscheidevorgang abgeschiedenwerden.
    [5] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Festkörperelektrolytmaterial(11') für den Festkörperelektrolytmaterialbereich(11) und das Material (12') für die aktivierende Spezies(12) in einem zeitlich kombinierten und insbesondere simultanenund/oder sukzessiven oder alternierenden Co-Sputtervorgang abgeschiedenwerden Und/oder insbesondere mittels Mehrkomponententargetabscheidungoder Legierungstargetabscheidung..
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,dass fürdas Festkörperelektrolytmaterial (11') und für das Material(12') für die aktivierende Spezies(12) Targets verwendet werden.
    [7] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 5 oder6, dadurch gekennzeichnet, dass für das Festkörperelektrolytmaterial (11') ein Prozessgasoder ein Prozessgasbestandteil verwendet werden, zum Beispiel inForm eines reaktiven Gasflusses aus oder mit O2,H2Se und/oder H2S.
    [8] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als ein Festkörperelektrolytmaterial (11') ein oder mehrereChalcogenidmaterialien verwendet werden.
    [9] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als ein Festkörperelektrolytmaterial (11') ein oder mehrereVerbindungen aus oder mit einem oder mehreren Elementen aus derHauptgruppe (VI) verwendet werden.
    [10] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als ein Festkörperelektrolytmaterial (11') ein Wolframoxid, einGermaniumselenid, ein Germaniumsulfid, Siliziumsulfid und/oder Siliziumselenidverwendet werden.
    [11] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als ein Festkörperelektrolytmaterial (11') ein Sulfid,ein Selenid und/oder ein Oxid verwendet werden.
    [12] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als Material (12') für die aktivierende Spezies(12) ein oder mehrere Metalle verwendet werden.
    [13] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass als Material (12') für die aktivierende Spezies(12) Kupfer, Zink, Silber, Cadmium, Gallium, Lithium und/oder Magnesiumverwendet werden.
    [14] Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass eine Abscheiderate und/oder Sputterrate für das Festkörperelektrolytmaterial(11') und/oderfür dasMaterial (12') für die aktivierendeSpezies (12) zeitlich variiert werden.
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    公开号 | 公开日
    DE102004025615B4|2008-09-04|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-12-29| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-11-08| 8127| New person/name/address of the applicant|Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
    2009-03-12| 8364| No opposition during term of opposition|
    2010-03-25| 8339| Ceased/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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