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    Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystem und auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unter Verwendung desselben. Das Halbleiterherstellungssystem weist Folgendes auf: ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiten eines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes des Reaktionsrohres angebracht ist, und das zweite Waferladeschiff so aufgebaut ist, dass es an einer Innenseite oder an einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes angrenzt; eine Spalteinstelleinheit, die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebracht ist; und eine Gaszuführungseinheit zum Zuführen von zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.
    公开号:DE102004022932A1
    申请号:DE200410022932
    申请日:2004-05-10
    公开日:2005-07-21
    发明作者:Myung-Koo Suwon Jeong；Jeong-Ho Suwon Yoo
    申请人:Terasemicon Co Ltd；
    IPC主号:H01L21-683
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystemund auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unterVerwendung desselben, bei dem eine Vielzahl Wafer verarbeitet werden,und insbesondere auf ein Stapelwafer- Halbleiterherstellungssystemund auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer beirelativ hoher Temperatur unter Verwendung desselben.
    [0002] Alsallgemeine Halbleiterherstellungssysteme zum Verarbeiten eines Wafersgibt es ein Stapelwafer-Halbleiterherstellungssystemeinschließlicheines Ladeschiffes zum Laden einer Vielzahl Wafer darin, um so dieProzesseigenschaften zu verbessern, und ein Einfachwafer-Halbleiterherstellungssystem zumReduzieren einer Prozesszeit zum Verarbeiten des Wafers Stück bei Stück.
    [0003] 1A zeigt eine schematischeSchnittansicht eines herkömmlichenStapel-Halbleiterherstellungssystems, und 1B zeigt eine Draufsicht von der 1A, und zwar eine vergrößerte Schnittansichtvon einem Teil "A" aus der 1A.
    [0004] UnterBezugnahme auf die 1A und 1B hat ein herkömmlichesStapelwafer-Halbleiterherstellungssystem ein röhrenartiges Reaktionsrohr 110 mit einemunteren Öffnungsabschnittzum Ausbilden eines Innenraums, der darin angeordnet ist; ein Waferladeschiff 120,das innerhalb des Reaktionsrohres 110 untergebracht istund Schlitze 120 zum Laden einer Vielzahl Wafer aufweist,die in einer Hoch/Runter-Richtung geschichtet sind; eine Heizvorrichtung (150),die das Reaktionsrohr 100 umgibt, um den Innenraum desReaktionsrohres 110 zu erwärmen; und eine Schiffabdeckung 140 desWaferladeschiffes 120 an dessen unterem Abschnitt, unddas zum Öffnen undSchließendes Öffnungsabschnittesdes Reaktionsrohres 110 betrieben wird. Dabei hat das Waferladeschiff 120 eineVielzahl Stützsäulen (Bezugszeichen 121 inder 1B), die säulenförmig sind,und die Schlitze 120a sind so angebracht, dass sie voneinanderentlang der Stützsäule 121 beabstandet sind.Hierbei bezeichnen die Bezugszeichen 160 beziehungsweise 170 eineGaseinspritzeinheit zum Einspritzen eines Prozessgases und eineGasauslasseinheit zum Auslassen des Prozessgases zur Außenseite.
    [0005] Beidem gemäß der vorstehendenBeschreibung aufgebauten herkömmlichenStapelwafer-Halbleiterherstellungssystem wird ein Dünnfilm anbeiden Seiten des Wafers 100, dem Ladeschiff und den Schlitzenzum Stützendes Wafers an deren unterem Abschnitt und dergleichen ausgebildet,wenn der Prozess durchgeführtwird, wie dies in der 1B gezeigtist, da der Schlitz den Wafer 100 an dessen Kantenabschnitt(P) örtlichstützt,wie zum Beispiel in einer CVD-Vorrichtung (chemische Dampfabscheidung)zum Ausbilden des Dünnfilmes.
    [0006] Nachdemein CVD-Prozess abgeschlossen wurde, werden dementsprechend relativviele Partikel (Unreinheitspartikel) von einer hinteren Fläche desWafers erzeugt. Da des weiteren eine Filmregelmäßigkeit der hinteren Fläche desWafers außerdem bedeutendreduziert ist verglichen mit einer Filmregelmäßigkeit einer vorderen Fläche desWafers, werden viele Nachteile beim Prozess hinsichtlich eines nachfolgendenProzesses insbesondere bei einer Photolithografie hervorgerufen.Da der Wafer einen großenDurchmesser aufweist (zum Beispiel 200 mm und 300 mm) und eine Mustergröße verfeinertist (zum Beispiel unter 0,15 Mikrometer), ist der an der hinterenFlächedes Wafers abgelagerte Film eine Hauptursache für ernsthafte Fehler beim Prozessbei der nachfolgenden Photolithografie und dergleichen. Des weiterenwird der Film, der an der vorderen Fläche des Wafers ausgebildetist, fast weggeätzt,außereinem Abschnitt des Filmes, der auch bei den nachfolgenden Photolithografie-und Ätzprozessen erforderlichist, wohingegen der an der hinteren Fläche des Wafers ausgebildeteFilm so wie er ist verarbeitet wird, und zwar auch bei den nachfolgenden Prozessen,falls ein spezieller Prozess zum Beseitigen des Filmes von der hinterenFlächenicht individuell durchgeführtwird. Dabei wird bei einem nachfolgenden Wärmebehandlungsprozess mit hoher Temperatureine Filmspannung aufgrund des Filmes an der hinteren Fläche desWafers erzeugt, und in Folge dessen wird der gesamte Wafer verformt,wodurch der Fehler hervorgerufen wird.
    [0007] Desweiteren bewirkt der an der hinteren Fläche des Wafers ausgebildeteFilm eine Änderungdes Emessionsgrades auch bei einem schnellen thermischen Prozess(RTP) zum Messen einer Temperatur unter Verwendung des Emissionsgradesder hinteren Flächedes Wafers, wodurch es schließlichunmöglichist, die Temperatur exakt zu messen, und der Fehler beim Prozesswird hervorgerufen.
    [0008] Dementsprechendrichtet sich die vorliegende Erfindung auf ein Halbleiterherstellungssystem und-Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmesauf einen Wafer unter Verwendung des selben, das eines oder mehrereProbleme aufgrund der Beschränkungenund Nachteile des dazugehörigenStandes der Technik im Wesentlichen beseitigt.
    [0009] Esist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterherstellungssystemund- Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unterVerwendung des selben vorzusehen, bei dem der Film ausschließlich aneiner vorderen Flächeeines Wafers mit großemDurchmesser ausgebildet wird, ohne dass er an der hinteren Fläche ausgebildetwird, zum Beispiel bei einem CVD-Prozess und dergleichen, um imWesentlichen einen Nachteil beim Prozess zu beseitigen, der durchdie hintere Flächedes Wafers hervorgerufen werden würde, wodurch die Produktivität des gesamtenHalbleiterherstellungsprozesses bedeutend verbessert wird.
    [0010] ZusätzlicheVorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden aus der folgendenBeschreibung füreinen Fachmann ersichtlich. Die Vorteile der Erfindung können durchden Aufbau verwirklicht und erreicht werden, der insbesondere inder Beschreibung und den Ansprüchensowie den beigefügten Zeichnungendargelegt ist.
    [0011] Umdie Aufgabe zu lösenund weitere Vorteile gemäß dem Zweckder Erfindung zu erhalten, wie diese hierbei im breiten Rahmen beschriebenwird, ist ein Halbleiterherstellungssystem vorgesehen, das folgendesaufweist: Ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichtetenRaumes zum Verarbeiten eines Wafers; Ein Waferladedoppelschiff,das aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiffbesteht, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichtetenRaumes des Reaktionsrohres zum Laden von zumindest einem Wafer darin angebrachtist und einen Waferhalter zum Stützen stützt, umkeinen Film an der hinteren Flächedes Wafers abzulagern, wobei das zweite Waferladeschiff so aufgebautist, dass es an einer Innenseite oder einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes angrenzt,um sich hinsichtlich des ersten Waferladeschiffes genau hoch undrunter zu bewegen, und das eine zweite Waferstütze zum unabhängigen Stützen einesKantenabschnittes des Wafers aufweist; Eine Spalteinstelleinheit,die an einem unteren Abschnitt des Waferladedoppelschiffes zum jeweiligenunabhängigenStützender unteren Abschnitte des ersten Waferladeschiffes und des zweitenWaferladeschiffes angebracht ist, während sie einen von dem ersten Waferladeschiffund dem zweiten Waferladeschiff anhebt und herabfallen lässt, umdadurch einen Stützzustanddes Wafers relativ einzustellen; und eine Gaszuführungseinheit zum Zuführen vonzumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.
    [0012] Hierbeiweist das erste Waferladeschiff folgendes auf: erste Stützsäulen, dieparallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden,von dem eine Seitenwand tatsächlichoffen ist; und einen ersten oberen Verbindungsabschnitt und einenersten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der ersten Stützsäulen anden oberen und unteren Seiten als eine Fläche, wobei die Halterstützen anden ersten Stützsäulen so angebrachtsind, dass sie den Kantenabschnitt des Waferhalters in einer Längsrichtungteilweise stützen.
    [0013] Daszweite Waferladeschiff weist folgendes auf: Zweite Stützsäulen, dieparallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden,wobei eine Seitenwand tatsächlichoffen ist; und einen zweiten oberen Verbindungsabschnitt und einenzweiten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der zweiten Stützsäulen ander oberen und der unteren Seite als eine Fläche, wobei die Waferstützen anden zweiten Stützsäulen soangebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Wafers in einerLängsrichtungstützen.
    [0014] Dabeiist die erste Stützsäule konkav,so dass sie im Querschnitt einen mittleren vertieften Raum aufweist,und der vertiefte Raum nimmt zumindest einen Teil der zweiten Stützsäule darinauf.
    [0015] Dieerste Stützsäule kannim "⊂"-förmig sein, odersie kann zylinderförmigsein, so dass sie im Querschnitt eine offene Seite aufweist. Diezweite Stützsäule kannpolygonalstangenförmigsein, so dass sie einen polygonalen Querschnitt aufweist, oder säulen-stangenförmig, sodass sie einen runden Querschnitt aufweist.
    [0016] DerWaferhalter weist folgendes auf: Einen runden flachen Halterkörper; einenWaferseitensicherungsabschnitt, der an einer ebenen Fläche des Halterkörpers zumAbschneiden eines Seitenabschnittes des Wafers angebracht ist, sodass das Prozessgas nicht hindurchtritt; und einen Ausschnittsabschnitt,der an der ebenen Flächedes Halterkörpersentsprechend einer zweiten Waferstütze so angebracht ist, dassdie zweite Waferstützehindurchtreten kann.
    [0017] DerWaferseitensicherungsabschnitt kann taschenförmig sein, wobei die ebeneFlächedes Halterkörpersbei einer bestimmten Tiefe vertieft ist, oder er kann von eineroberen Flächedes Halterkörpers entlangeinem Umfangskantenabschnitt des Wafers um seine Dicke vorstehen,wobei er eine Ringform aufweist. Der Waferseitensicherungsabschnittkann an einem Kantenendabschnitt des Halterkörpers angebracht sein, under kann an einer Innenseite von einem Kantenabschnitt des Halterkörpers entfernt angebrachtsein.
    [0018] Andererseitshat die Spalteinstelleinheit des weiteren eine Drehantriebseinheit,die mit einem von dem ersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiffzum Antreiben verbunden ist, um das eine von diesem zu drehen, sodass der Wafer um seine eigene Achse gedreht werden kann, wodurcheine Prozessregelmäßigkeitverbessert werden kann, indem der Wafer während des Prozesses gedrehtwird.
    [0019] EinVerfahren zum Ausbilden des Dünnfilmesaus dem Wafer bei dem vorstehend beschriebenen Halbleiterherstellungssystemwird z.B. bei der CVD-Vorrichtung in den folgenden Schritten durchgeführt. a) Der Wafer wird an dem Waferhalter in Doppelschiffengeladen, die ein erstes Waferladeschiff und ein zweites Waferladeschiffaufweisen. Hierbei hat das erste Waferladeschiff eine Halterstütze, dielängs ineiner Hoch- und Runterrichtung regelmäßig und mit einem Abstand zumStützen einesWaferhalters angebracht ist, und das zweite Waferladeschiff hateine Waferstütze,die in einer Längsrichtungzum Stützendes Wafers regelmäßig angebrachtist, der an dem Waferhalter angeordnet ist. b) Die Doppelschiffe werden in ein Reaktionsrohr eingefügt, um einenProzessraum abzudichten und ein Prozessgas zum Fortschreiten einesProzesses zuzuführen. c) Nach Verstreichen einer vorbestimmten Zeit wird der Waferzumindest einmal und intermittierend von dem Waferhalter für eine vorbestimmte Zeitund übereine vorbestimmte Höheentfernt. d) Falls der Prozess abgeschlossen ist, werden die Doppelschiffezurückgenommen,um den Wafer zu entladen.
    [0020] Hierbeiist bei dem Schritt b) das Prozessgas ein Gas für einen Siliziumnitritfilm,einen Siliziumoxidfilm, Polysilizium und epitaktisches Silizium.
    [0021] Beidem Schritt c) ist die Höhezum Trennen des Wafers von einem Halterkörper nicht größer als einSpalt zwischen Waferstützen.Bei dem Schritt c) wird ein Edelgas zugeführt, während der Wafer von dem Halterkörper getrenntist.
    [0022] Desweiteren ist bei dem Schritt c) die Trennzeit durch eine Filmdickebestimmt.
    [0023] Währenddessenbeinhaltet der Schritt c) des weiteren einen Schritt zum Drehendes Wafers, so dass die Regelmäßigkeitbeim Ausbilden des Dünnfilmesdes Wafers verbessert werden kann.
    [0024] Daserfindungsgemäße Verfahrenzum Ausbilden des Dünnfilmesauf dem Wafer kann durch die folgenden Schritte durchgeführt werden. a) Ein zweites Waferladeschiff wird von einem erstenLadeschiff zum Stützeneines Waferhalters getrennt, um den Wafer auf das zweite Waferladeschiffzu laden. b) Währendein Prozess durchgeführtwird, wird das zweite Waferladeschiff zumindest einmal oder mehrmalsfallen gelassen oder angehoben, um den Wafer an einem Waferhalteranzuordnen. c) Falls der Prozess abgeschlossen ist, dann wird das zweiteWaferladeschiff von dem Waferhalter getrennt, um nur den Wafer zuentladen.
    [0025] Wiedies bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungssystemvorstehend beschrieben ist, ist der Waferseitige Sicherungsabschnittan dem Waferhalter angebracht, an dem der Wafer so angeordnet ist,dass das Prozessgas nicht zu der hinteren Fläche des Wafers dringt, wodurcheine Ausbildung des Filmes an der hinteren Fläche des Wafers verhindert wird.Dementsprechend kann der Prozessfehler stark reduziert werden, derbei dem nachfolgenden Prozess auftreten würde, da der Film in unerwünschterWeise an der hinteren Flächedes Wafers abgelagert werden würde.
    [0026] Dazusätzlichdas erfindungsgemäße Filmausbildungsverfahrenden Wafer von dem Waferhalter in einem vorbestimmten Zeitintervalltrennen kann, währendder Film abgelagert wird, kann verhindert werden, dass das Waferhaftungsphänomen während derAusbildung des Filmes erzeugt wird. Dementsprechend kann die Erzeugungeines Partikels unterdrücktwerden, währendder Wafer geladen (entladen) wird, und zwar aufgrund der Haftungdes Kantenabschnittes des Wafers an dem Waferhalter, wenn ein Dickfilmausgebildet wird.
    [0027] Esist klar, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung alsauch die nachfolgende detaillierte Beschreibung der vorliegendenErfindung beispielhaft sind und die Erfindung entsprechend den Ansprüchen weiterbeschreiben soll.
    [0028] DiebeigefügtenZeichnungen, die zum besseren Verständnis der Erfindung beigefügt sind,bilden einen Bestandteil dieser Anmeldung, und sie stellen ein Ausführungsbeispiel(Ausführungsbeispiele)der Erfindung zusammen mit der Beschreibung dar, und sie dienenzum Erläuterndes Prinzips der Erfindung. Zu den Zeichnungen:
    [0029] 1A zeigteine schematische Schnittansicht eines herkömmlichen Stapel-Halbleiterherstellungssystems;
    [0030] 1B zeigteine obere Draufsicht gemäß der 1A undeine vergrößerte Schnittansichteines Abschnittes -A- aus der 1A;
    [0031] 2 zeigteine schematische Schnittansicht eines Halbleiterherstellungssystemsgemäß einembevorzugten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung;
    [0032] 3A und 3B zeigeneine seitliche Schnittansicht und eine Draufsicht als vergrößerte Ansichteneines Abschnittes -B- aus der 2, und siezeigen einen Waferhalter, der bei einem Halbleiterherstellungssystemgemäß der vorliegendenErfindung angebracht ist;
    [0033] 4A und 4B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einemersten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung;
    [0034] 5A und 5B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einemzweiten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung;
    [0035] 6A und 6B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einemdritten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung;
    [0036] 7A und 7B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einesvierten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung; und
    [0037] 8 zeigtein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden eines Dünnfilmesauf einem Wafer gemäß einembevorzugten Ausführungsbeispiel dervorliegenden Erfindung.
    [0038] Nunwird auf die bevorzugten Ausführungsbeispieleder vorliegenden Erfindung im einzelnen eingegangen, die als Beispielein den beigefügten Zeichnungendargestellt sind.
    [0039] Die 2 zeigteine schematische Schnittansicht eines Halbleiterherstellungssystemsgemäß einembevorzugten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0040] UnterBezugname auf die 2 hat das erfindungsgemäße Halbleiterherstellungssystemein Reaktionsrohr 30 zum Bereitstellen eines bestimmtenabgedichteten Raumes zum Durchführeneines Prozesses darin; Waferladedoppelschiffe 10 und 20, dieaus einem ersten Waferladeschiff 10 und einem zweiten Waferladeschiff 20 bestehen,wobei das erste Waferladeschiff 10 einen Waferhalter 25 zumLaden einer Vielzahl Wafer 100 daran stützt, während es in das Reaktionsrohr 30 eingefügt und ausdiesem herausgenommen wird, wobei das zweite Waferladeschiff 20 eineWaferstütze 26a zumunabhängigen Stützen desan dem Waferhalter 25 geladenen Wafers 100 aufweist;und eine Spalteinstelleinheit 70 (oder eine Schiffsantriebseinheit),die an den unteren Seiten der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 angebrachtist, um das erste und das zweite Ladeschiff 10 und 20 anihren unteren Abschnitten unabhängigzu stützen.Zusätzlichhat sie eine Heizeinheit 60, die so angebracht ist, dasssie das Reaktionsrohr 30 an dessen Außenabschnitt umschließt, um einenInnenraum des Reaktionsrohres 30 auf eine vorbestimmte Temperaturzu erwärmen;und eine Türplatte 50,die sich nach oben und nach unten bewegt, während sie die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 anihren unteren Abschnitten stützt,damit sie in das Reaktionsrohr 30 eingefügt werdenoder daraus entnommen werden.
    [0041] DieSpalteinstelleinheit 70 ist so aufgebaut, dass sie daserste und das zweite Waferladeschiff 10 und 20 gleichzeitigund getrennt stützt,und dass sie genau nach oben und nach oben bewegbar ist. Dementsprechendkann die Spalteinstelleinheit 70 zum Laden und Entladendes Wafers 100 an dem Waferhalter 25 verwendetwerden. Ein Kontaktzustand des Wafers 100 kann beliebigan dem Waferhalter 25 eingestellt werden. Zusätzlich kannsie je nach Bedarf eine Drehantriebseinheit (nicht gezeigt) zumDrehen der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 aufweisen,um den Wafer 100 um seine eigene Achse zu drehen.
    [0042] Die 3A und 3B zeigeneine seitliche Schnittansicht und eine Draufsicht als vergrößerte Ansichteneines Abschnittes "B" aus der 2,und sie zeigen einen Waferhalter, der bei einem Halbleiterherstellungssystemgemäß der vorliegendenErfindung angebracht ist.
    [0043] UnterBezugnahme auf die 3A und 3B habendie Waferladedoppelschiffe 10 und 20 das ersteWaferladeschiff 10 und das zweite Waferladeschiff 20,die jeweils parallel an ihren und äußeren Seiten angebracht sind.Das erste Waferladeschiff 10 stützt den Waferhalter 25,und das zweite Waferladeschiff 20 stützt teilweise einen Kantenabschnittdes Wafers 100.
    [0044] Daserste Waferladeschiff 10 hat zumindest drei erste Stützsäulen 15.Ihre inneren Abschnitte sind rund und säulenförmig, und ihre Seitenwände sindparallel angeordnet, um offene Räumeauszubilden. An einem oberen und einem unteren Endabschnitt derersten Stützsäule sindjeweils ein erster oberer Verbindungsabschnitt (Bezugszeichen 11 inder 2) und ein erster unterer Verbindungsabschnitt(Bezugszeichen 13 in der 2) angebracht, umdas Stützenund Befestigen der ersten Stützsäulen 15 ander selben Ebene zu ermöglichen.Zusätzlichist an einer Innenseite der ersten Stützsäule 15 eine Halterstütze 15a zumStützendes Waferhalters 25 an seinem Kantenabschnitt angebracht.Eine Vielzahl der Halterstützen 15a istin einer Längsrichtung und über eineDistanz entlang der ersten Stützsäule 15 angebracht.Die Halterstütze 15a kannschlitzartig geformt sein, und sie kann so geformt sein, dass sie sovorsteht, wie dies gezeigt ist.
    [0045] Daszweite Waferladeschiff 20 hat zumindest drei zweite Stützsäulen 26 ähnlich wiedas erste Waferladeschiff 10, und deren innere Abschnittesind säulenförmig, undihre Seitenwändesind parallel angeordnet, um offene Räume zu bilden. Ein oberer undein unterer Endabschnitt der zweiten Stützsäule 26 ist jeweilsan einem zweiten oberen Verbindungsabschnitt 21 und einemzweiten unteren Verbindungsabschnitt 23 angebracht, umdas Stützenund Befestigen der zweiten Stützsäulen 26 ander selben Ebene zu ermöglichen.Zusätzlichist an einer Innenseite der zweiten Stützsäule 26 die Waferstütze 26a soangebracht, dass sie einen Kantenabschnitt des Wafers 100 teilweisestützt,der an dem Waferhalter 25 angeordnet ist. Die Waferstütze 26a istin einer Längsrichtungund übereine Distanz entlang der zweiten Stützsäule 26 entsprechendeiner Position der Halterstütze 15a angebracht.Die Waferstütze 26a kannschlitzartig geformt sein, und sie kann so geformt sein, dass sievorsteht.
    [0046] Währenddessenist es wünschenswert,dass die erste und die zweite Stützsäule 15 und 26 anunterschiedlichen Positionen und nicht an der selben geometrischenEbene und dem selben Umfang angebracht sind. Dies ist dadurch begründet, dassein Stützpunktder Halterstütze 15a vondem Waferhalter 25 in jenem Fall verschwindet, wenn sichein Abschnitt der Halterstütze 15a undein Abschnitt der Waferstütze 26a desWaferhalters 25 überlappen, wiedies späterbeschrieben ist.
    [0047] UnterBezugnahme auf die 3B ist die zweite Stützsäule 26,die eine polygonale Stangenform aufweist, in einem konkaven Raumder Stützsäule 15 untergebracht,falls die erste Stützsäule 15 konkavim Querschnitt ist und innerhalb der Waferladedoppelschiffe angebrachtist. Dementsprechend kann die Waferstütze 26a oder die Halterstütze 15a jeweilsso angebracht sein, ohne dass sich der Stützpunkt überlappt, auch wenn die ersteund die zweite Stützsäule 15 und 26 ander gleichen Position angebracht sind. Dabei ist die zweite Stützsäule 26 sogeformt, dass sie eine runde Säuleist, oder dass sie ein Polygon wie zum Beispiel ein Dreieck, einQuadrat oder ein Sechseck ist, und die Waferstütze 26a ragt in eineninneren Bereich der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 hineinund ist entlang einer Längsrichtung derzweiten Stützsäule 26 angebracht.Des weiteren kann die erste Stützsäule 15 imQuerschnitt zum Beispiel mit einer "⊂"-Form konkav sein,und sie kann zu einer zylindrischen Form abgewandelt werden, wobei eineSeite offen ist.
    [0048] Die 4A und 4B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einemersten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0049] UnterBezugnahme auf die 4A und 4B hatder Waferhalter 25 einen runden plattenförmigen Halterkörper 25-1;einen Ausschnittsabschnitt 25a, der durch Ausschneideneines Überlappungsabschnittesdes Abschnittes der Waferstütze 26a zueiner bestimmten Form ausgebildet wird; und einen Waferseitensicherungsabschnitt 25-2,der an einer ebenen Flächedes Halterkörpers 25-1 soangebracht ist, dass er nahezu an einem Seitenkantenabschnitt desWafers 100 angebracht ist, um das Fließen des Prozessgases dazwischenzu verhindern. Hierbei ist der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 ringförmig, wobeier von der ebenen Flächedes Halterkörpers 25 umeine Höhevorsteht, die einer Dicke des Wafers 100 entlang einemKantenendabschnitt des Wafers 100 entspricht. Dementsprechendist der Wafer 100 innerhalb des ringförmigen Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 untergebracht.Dementsprechend verhindert der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2, dassder Seitenabschnitt des Wafers 100 dem Prozessgas direktausgesetzt wird, und er verhindert das Eintreten des Prozessgaseszwischen der hinteren Flächedes Wafers 100 und dem Waferhalter 25, der damitin Kontakt ist. Daher ist die vordere Fläche des Wafers 100 vollständig demProzessgas ausgesetzt, so dass der Film an der vorderen Fläche desWafers 100 ausgebildet wird. Die hintere Fläche desWafers 100 hat keinen Film, der daran abgelagert ist, und zwaraufgrund des Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2.Wie dies in der vergrößerten Ansichtgezeigt ist, kann dabei ein Spalt (d) zwischen der Seitenfläche desWafers 100 und dem Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 in Abhängigkeitvon einer Strömungsratedes Prozessgases bestimmt werden. Eine Größe des Spaltes (d) wird nämlich eingestellt,um zu verhindern, dass das Prozessgas in den Spalt (d) eintritt,um zu der hinteren Flächedes Wafers 100 zu strömen.Um den Wafer 100 zu laden, soll der Spalt (d) auf ein bestimmtes Maß gesichertwerden. Ist er kleiner als ein vorbestimmter Spalt, dann wird eineFluidströmungscharakteristikverwendet, bei der, auch wenn das Prozessgas mit dem unteren Abschnittdes Wafers 100 kollidiert, es nicht hydromechanisch inden unteren Abschnitt des Wafers 100 eindringen kann.
    [0050] Die 5A und 5B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einemzweiten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0051] UnterBezugnahme auf die 5A und 5B istein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 zum Ausschneideneines Seitenabschnittes eines Wafers 100 taschenförmig ausgebildet,und zwar anders als bei den 4A und 4B.Es ist nämlichein vertiefter Abschnitt, der durch Vertiefen einer ebenen Fläche einesHalterkörpers 25-1 angepasstausgebildet ist, um den Wafer 100 so zu formen, dass derWafer 100 in den vertieften Abschnitt eingesetzt ist. Dementsprechendist es wünschenswert,dass die ebene Flächenhöhe eines Halterkörpers 25-1 diegleiche Höheoder mehr als die Höhedes Wafers 100 ist.
    [0052] Währenddessenist es bei den Ausführungsbeispielender 5A und 5B undbei den Ausführungsbeispielender 6A und 6B wünschenswert,dass ein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2,bei dem der Wafer 100 angeordnet ist, eine Differenz aufweist,die größer istals der Halterkörper 25-1.Es ist wünschenswert,dass ein Durchmesser des ringförmigenoder des taschenförmigenWaferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 entsprechendeinem regelmäßigen Gasstrahlbereichausgebildet ist, der tatsächlichdann beobachtet wird, wenn das Prozessgas zu dem Waferhalter 25 gestrahltwird. Dementsprechend kann der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2,bei dem der Wafer 100 tatsächlich angeordnet ist, einen sehrkleinen Durchmesser im Vergleich mit dem Durchmesser des Waferhalters 25 aufweisen,und dementsprechend kann eine Filmregelmäßigkeit des Wafers 100 starkverbessert werden.
    [0053] Die 6A und 6B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einemdritten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0054] UnterBezugnahme auf die 6A und 6B hatein Waferhalter 25 einen runden plattenförmigen Halterkörper 25-1;und einen Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2,der hinsichtlich einer ebenen Flächeentlang eines Kanteneckenbereiches des Halterkörpers 25-1 nach obenvorsteht. Zusätzlichist ein Ausschnittsabschnitt 25a an der ebenen Fläche desHalterkörpers 25-1 dadurchausgebildet, dass ein Abschnitt der ebenen Fläche des Halterkörpers 25-1 ausgeschnittenist, um zu ermöglichen,dass das zweite Waferladeschiff 20 und die Waferstütze 26a nachoben und nach unten passieren können.
    [0055] DerWaferhalter 25 hat den Vorteil, dass der Waferhalter 25 in ähnlicherGröße wie derWafer 100 hergestellt werden kann, damit die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 einekompakte Größe haben.
    [0056] Die 7A und 7B zeigeneine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einemvierten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0057] UnterBezugnahme auf die 7A und 7B sindandere Bauteile ähnlich,wie dies vorstehend beschrieben ist, aber ein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 istan einem Kontaktabschnitt mit einem Wafer 100 abgeschrägt. Falls derWafer an dem Halterkörper 25-1 gesetztwird, ist dementsprechend eine Ecke des Wafers 100 miteiner Seitenwand des Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 inKontakt, um so wirksam zu verhindern, dass ein Prozessgas zu einerhinteren Flächedes Wafers 100 strömt.
    [0058] Die 8 zeigtein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden des Dünnfilmesan dem Wafer gemäß einembevorzugten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung.
    [0059] UnterBezugnahme auf die 8 wird der Wafer 100 andem Waferhalter 25 gemäß der 2 geladen(S1). Nachdem der Prozessraum abgedichtet wurde, wird das Prozessgasinnerhalb des Reaktionsrohres 30 eingeführt, um den Prozess zu starten (S2).Dabei ist das eingeführteGas ein Gas fürden CVD-Prozess, und es ist ein Gas zum Ausbilden eines Siliziumnitritfilmes,eines Siliziumnitritfilmes, Polysilizium und epitaktisches Silizium.
    [0060] Fallsder Prozess gestartet ist, nachdem eine vorbestimmte Prozesszeitverstrichen ist, wird der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 ineinem vorbestimmten Zeitintervall getrennt, und zwar zumindest einmalund übereine vorbestimmte Höhe(S3). Dabei werden das Zeitintervall und die Anzahl der Vorgänge in Abhängigkeitvon einer Dicke des Filmes bestimmt, der durch einen Filmbindungsprozessausgebildet ist. Falls die Filmdicke dick ist, dann ist nämlich die Anzahlder Trennungen des Wafers 100 von dem Waferhalter 25 erhöht. Fallsdie Filmdicke dünnist, dann ist sogar eine einmalige Trennung ausreichend. Falls derProzess abgeschlossen ist, dann wird der Wafer 100 vondem Waferhalter 25 der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 entladen(S4).
    [0061] Beidem Wafertrennschritt wird zunächstdie Waferstütze 26a deszweiten Waferladeschiffes 20 so angehoben, dass der Wafer 100 umeine vorbestimmte Höheangehoben wird, um ihn von dem Waferhalter 25 zu trennen,falls die Spalteinstelleinheit 70 eines von dem erstenund dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 über einenkleinen Abstand nach oben und nach unten bewegt, der kleiner istals eine Teilung der Waferstütze 26a.Nachdem eine vorbestimmte Zeit verstrichen ist, wird die Spalteinstelleinheit 70 betrieben,so dass sie eines von dem ersten und dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 einwenig nach oben und nach unten bewegt, so dass ein Roh-Wafer 100 andem Waferhalter 25 geladen wird. Dementsprechend wird dieWaferstütze 26a des zweitenWaferladeschiffes 20 nach unten fallen gelassen, so dassder Wafer 100 erneut an dem Waferhalter 25 gesetztwird. Dabei ist es wünschenswert, dassein Edelgas anstelle des Prozessgases zugeführt wird, während der Wafer 100 vondem Waferhalter 25 getrennt wird. Dies ist dadurch begründet, dass dasProzessgas einer freiliegenden hinteren Fläche des Wafers 100 zugeführt wird,wobei der Film an der hinteren Fläche des Wafers 100 ausgebildetwerden würde.
    [0062] Während dasProzessgas zum Ablagern des Filmes zugeführt wird, besteht die Tendenz,dass der Film auch an dem Kontaktabschnitt des Wafers 100 mitdem Waferhalter 25 abgelagert wird, wodurch diese aneinanderhaften, da der Film nicht nur an dem Wafer 100 abgelagertwird, sondern der Film auch an jenen Teilen abgelagert wird, dieinnerhalb des Reaktionsrohres 30 angebracht sind, insbesonderean dem Waferhalter 25, der den Wafer 100 stützt, auchwenn dies nur in geringem Umfang geschieht. Um dieses Phänomen zuverhindern, wird der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 getrennt. Dementsprechendkann ein Nachteil hinsichtlich der Partikel oder ein Nachteil hinsichtlichder Lebensdauer der Bauteile beseitigt werden, die durch das Haftendes Wafers 100 an dem Waferhalter 25 hervorgerufenwerden würden.
    [0063] Zusätzlich werdenbei dem Startschritt (S2) die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 unterVerwendung der Drehantriebseinheit gedreht, die zusätzlich ander Spalteinstelleinheit 70 angebracht ist, so dass derWafer gedreht werden kann. Dementsprechend wird der Wafer 100 während desProzesses gedreht, wodurch die Regelmäßigkeit des an dem Wafer 100 ausgebildetenFilmes stark verbessert wird. Hierbei wird zumindest eines von demersten und dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 unterVerwendung der Spalteinstelleinheit 70 gedreht, um so denWafer 100 zu drehen.
    [0064] Währenddessenist es wünschenswert,dass das erste und das zweite Waferladeschiff 10 und 20 sowieder Waferhalter 25 aus einem Quarz oder einem Siliziumkarbitausgebildet sind, und zwar hinsichtlich der Haltbarkeit bei hohenTemperaturen. Insbesondere ist es wünschenswert, dass der Waferhalter 25 aufeinem Siliziumkarbit ausgebildet ist, der zur Verarbeitung bei hohenTemperaturen von mehr als 1200°Cverwendet wird.
    [0065] EineGaszuführungsvorrichtung(nicht gezeigt) hat eine Vielzahl Prozessgasbehälter (nicht gezeigt), um dasProzessgas zuzuführen,dass innerhalb des Reaktionsrohres 30 eingeführt wird,und zwar durch die Gaszuführungseinheit.Falls der CVD-Prozessdurchgeführtwird, könnenandere Prozessgase eingespritzt werden. Zum Beispiel werden dieGase fürden CVD-Prozesszugeführt,um einen Siliziumoxidfilm (SiO2) oder einenSiliziumnitritfilm (SiN) und einen Film aus Polysilizium und dergleichenauszubilden. Insbesondere könnenbei einem Epitaxie-Ablagerungsprozess,der einer von den chemischen Dampfabscheidungsprozessen unter hoher Temperaturist, ein Siliziumquellengas und ein Prozessgasträgergas sowie ein Spülgas gleichzeitigzugeführtwerden. Gase auf der Grundlage von DSC (SiH2Cl2), TCS (SiHCl3)und SiCl4, SixHy und dergleichen können als das Siliziumquellengasverwendet werden, und H2 wird als das Trägergas verwendet.N2 oder Ar, He und dergleichen werden alsdas Edelgas und auch als das Spülgasverwendet.
    [0066] Wiedies vorstehend beschrieben ist, wird der Film nicht an der hinterenFlächedes Wafers abgelagert (das heißtdie Ablagerung an der hinteren Fläche kann im Wesentlichen verhindertwerden), da das erfindungsgemäße Halbleiterherstellungssystem denWaferseitenabschnittssicherungsabschnitt aufweist, um zu verhindern,dass der Dünnfilman der hinteren Flächedes Wafers abgelagert wird. Dementsprechend kann verhindert werden,dass der Film unregelmäßig an derhinteren Flächedes Wafers 100 ausgebildet wird, nachdem der Filmablagerungsprozessabgeschlossen ist, wodurch ein Prozessfehler durch eine Fehlausrichtungbei der nachfolgenden Fotolithografie hervorgerufen werden könnte.
    [0067] Während dererfindungsgemäße Ausbildungsprozessdes Dünnfilmesdurchgeführtwird, stellt die Spalteinstelleinheit 70 zusätzlich daserste Waferladeschiff 10 oder das zweite Waferladeschiff 20 nachoben und nach unten genau ein, um den Wafer 100 von demWaferhalter 25 beliebig zu trennen, um dadurch zum Beispieleinen Vorfall zu verhindern, bei dem der Wafer an dem Waferhalterhaftet, währendder Dünnfilmwährenddes Ausbildungsprozesses des CVD-Filmes ausgebildet wird.
    [0068] Wiedies bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungssystemvorstehend beschrieben ist, ist der Waferseitenabschnittsicherungsabschnittan dem Waferhalter angebracht, an dem der Wafer so gesetzt wird,dass das Prozessgas nicht zu der hinteren Fläche des Wafers dringen kann,oder der Wafer ist mit dem Waferseitenabschnittssicherungsabschnittin Kontakt, der mit einem vorbestimmten Winkel abgeschrägt ist,um dadurch zu verhindern, dass der Film an der hinteren Fläche desWafers ausgebildet wird. Dementsprechend kann der Prozesswähler imWesentlichen verhindert werden, der bei dem nachfolgenden Prozessaufgrund des Filmes auftreten würde,der in unerwünschterWeise an der hinteren Flächedes Wafers abgelagert wäre.
    [0069] Dazusätzlichdas erfindungsgemäße Filmausbildungsverfahrenden Wafer von dem Waferhalter in einem vorbestimmten Zeitintervalltrennen kann, währendder Film abgelagert wird, kann verhindert werden, dass das Phänomen derWaferhaftung währendder Ausbildung des Filmes auftritt, wodurch eine Partikelquellean der hinteren Flächereduziert werden kann und eine Stabilität des Prozesses stark verbessertwird.
    [0070] DemFachmann ist offensichtlich, dass verschiedene Abwandlungen und Änderungender vorliegenden Erfindung möglichsind. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Abwandlungen und Änderungendieser Erfindung abdeckt, die innerhalb des Umfanges der beigefügten Ansprüche und deren Äquivalenteliegen.
    [0071] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystemund auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unterVerwendung desselben. Das Halbleiterherstellungssystem weist folgendesauf: Ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zumVerarbeiten eines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einemersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen,wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumesdes Reaktionsrohres angebracht ist, und das zweite Waferladeschiffso aufgebaut ist, dass es an einer Innenseite oder an einer Außenseitedes ersten Waferladeschiffes angrenzt; eine Spalteinstelleinheit,die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebrachtist; und eine Gaszuführungseinheitzum Zuführenvon zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.
    权利要求:
    Claims (22)
    [1] Halbleiterherstellungssystem mit: einemReaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiteneines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einem erstenWaferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobeidas erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes desReaktionsrohres zum Laden von zumindest einem Wafer darin angebracht istund einen Waferhalter so stützt,dass kein Film an einer Rückseitedes Wafers abgelagert wird, und das zweite Waferladeschiff angrenzendan einer Innenseite oder einer Außenseite des ersten Waferladeschiffesso angebracht ist, dass es sich hinsichtlich des ersten Waferladeschiffesexakt nach oben und unten bewegt und die zweite Waferstütze zumunabhängigenStützeneines Kantenabschnittes des Wafers aufweist; einer Spalteinstelleinheit,die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebrachtist, um die unteren Abschnitte des ersten Waferladeschiffes unddes zweiten Waferladeschiffes jeweils unabhängig zu stützen, während eines von dem erstenWaferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff angehoben wird undfallen gelassen wird, um einen relativen Stützzustand des Wafers einzustellen;und einer Gaszuführungseinheitzum Zuführenvon zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.
    [2] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei das ersteWaferladeschiff folgendes aufweist: erste Stützsäulen, dieparallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden,wobei eine Seitenwand tatsächlichoffen ist; und einen ersten oberen Verbindungsabschnitt undeinen ersten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der ersten Stützsäulen ander oberen und unteren Seite als eine Fläche, wobei die Halterstützen anden ersten Stützsäulen so angebrachtsind, dass sie den Kantenabschnitt des Waferhalters in einer Längsrichtungteilweise stützen.
    [3] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei das zweiteWaferladeschiff folgendes aufweist: zweite Stützsäulen, dieparallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden,wobei eine Seitenwand tatsächlichoffen ist; und einen zweiten oberen Verbindungsabschnitt undeinen zweiten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen derzweiten Stützsäulen ander oberen und unteren Seite als eine Fläche, wobei die Waferstützen anden zweiten Stützsäulen soangebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Wafers in einerLängsrichtungstützen.
    [4] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 2 oder 3, wobeidie erste Stützsäule konkav ist,so dass sie einen mittleren vertieften Raum im Querschnitt aufweist,und der vertiefte Raum nimmt zumindest einen Teil der zweiten Stützsäule darin auf.
    [5] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die ersteStützsäule im Querschnitt eine '⊂'-Form aufweist.
    [6] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die ersteStützsäule zylinderförmig ist,so dass sie im Querschnitt eine offene Seite aufweist.
    [7] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die zweiteStützsäule einepolygonale Stangenform aufweist, so dass sie einen polygonalen Querschnitthat.
    [8] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die zweiteStützsäule einesäulenartigeStangenform aufweist, so dass sie einen runden Querschnitt hat.
    [9] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei der Waferhalterfolgendes aufweist: einen runden flach geformten Halterkörper; einenWaferseitenabschnittssicherungsabschnitt, der an einer ebenen Fläche desHalterkörpersangebracht ist, um einen Seitenabschnitt des Wafers so abzuschirmen,dass das Prozessgas nicht passiert; und einen Ausschnittsabschnitt,der an der ebenen Flächedes Halterkörpersentsprechend einer zweiten Waferstütze so angebracht ist, dassdie zweite Waferstützehindurch treten kann.
    [10] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittsicherungsabschnitttaschenförmigist, wobei die ebene Fläche desHalterkörpersmit einer bestimmten Tiefe vertieft ist.
    [11] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnittvon einer oberen Flächedes Halterkörpersentlang einem Umfangskantenabschnitt des Wafers durch seine Dickevorsteht, so dass er eine Ringform aufweist.
    [12] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnittan einem Kantenendabschnitt des Halterkörpers angebracht ist.
    [13] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnittan einer Innenseite angebracht ist, die von einem Kantenabschnittdes Halterkörpersbeabstandet ist.
    [14] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnittso abgeschrägtist, dass er mit dem Kantenabschnitt des Wafers in Kontakt tretenkann, und zwar in einem vorbestimmten Schrägungswinkel an der ebenen Fläche desHalterkörpers.
    [15] Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei die Spalteinstelleinheitdes weiteren eine Drehantriebseinheit aufweist, die mit einem von demersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff verbundenist, um dieses drehend anzutreiben, so dass sich der Wafer um seineeigene Achse drehen kann.
    [16] Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer, wobeidas Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a) Laden desWafers an dem Waferhalter in Doppelschiffen, die aus einem erstenWaferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobeidas erste Waferladeschiff eine Halterstütze aufweist, die längs in einerHoch- und Runterrichtung und mit einem regelmäßigen Abstand zum Stützen einesWaferhalters angebracht ist, und wobei das zweite Waferladeschiffeine Waferstützeaufweist, die in einer Längsrichtungzum Stützendes Wafers angebracht ist, der an dem Waferhalter gesetzt ist; b)Einfügender Doppelschiffe in ein Reaktionsrohr zum Abdichten eines Prozessraumsund Zuführeneines Prozessgases zum Beschleunigen eines Prozesses; c) Trennendes Wafers von dem Waferhalter füreine vorbestimmte Zeit und um eine vorbestimmte Höhe zumindesteinmal und intermittierend, nachdem eine vorbestimmte Zeit verstrichenist; und d) Herausnehmen der Doppelschiffe, um die Wafer zuentladen, falls der Prozess abgeschlossen ist.
    [17] Verfahren gemäß Anspruch16, wobei bei dem Schritt b) das Prozessgas ein Gas für einenSiliziumnitritfilm, einen Siliziumoxidfilm, Polysilizium oder epitaktischesSilizium ist.
    [18] Verfahren gemäß Anspruch16, wobei bei dem Schritt c) eine Höhe zum Trennen des Wafers voneinem Halterkörpernicht größer istals ein Spalt zwischen Waferstützen.
    [19] Verfahren gemäß Anspruch16, wobei bei dem Schritt c) ein Edelgas zugeführt wird, während der Wafer von dem Halterkörper getrenntwird.
    [20] Verfahren gemäß Anspruch16, wobei bei dem Schritt c) die Trennzeiten durch eine Filmdicke bestimmtsind.
    [21] Verfahren gemäß Anspruch16, wobei der Schritt c) des weiteren einen Schritt zum Drehen des Wafersaufweist.
    [22] Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer, wobeidas Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Trennen eineszweiten Waferladeschiffes von einem ersten Ladeschiff zum Stützen einesWaferhalters, um den Wafer an dem zweiten Waferladeschiff zu laden; Fallenlassenoder Anheben des zweiten Waferladeschiffes zumindest einmal odermehrmals, um den Wafer an einem Waferhalter anzuordnen, während einProzess durchgeführtwird; und Trennen des zweiten Waferladeschiffes von dem Waferhalter,um ausschließlichden Wafer zu entladen, falls der Prozess abgeschlossen ist.
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