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    DieErfindung umfaßteine magnetische Speicherzelle. Die magnetische Speicherzelle umfaßt eineReferenzschicht, die eine voreingestellte Magnetisierung aufweist.Benachbart zu der Referenzschicht ist eine Barriereschicht gebildet.Benachbart zu der Barriereschicht ist eine Erfassungsschicht gebildet.Eine erste leitfähigeSchreibleitung ist mit der Referenzschicht elektrisch verbunden.Die magnetische Speicherzelle umfaßt ferner eine zweite leitfähige Schreibleitung,die einen Zwischenraum aufweist, wobei der Zwischenraum durch zumindest einenAbschnitt der Erfassungsschicht gefüllt ist. Ein Schreibstrom,der durch die zweite leitfähigeSchreibleitung geleitet wird, wird zumindest teilweise durch denAbschnitt der Erfassungsschicht geleitet, wobei der Schreibstromeine Temperatur der Erfassungsschicht erhöht.
    公开号:DE102004022573A1
    申请号:DE102004022573
    申请日:2004-05-07
    公开日:2005-04-07
    发明作者:Thomas C. Sunnyvale Anthony；Lung Saratoga Tran
    申请人:Hewlett Packard Development Co LP；
    IPC主号:G11C11-15
    专利说明:
    [0001] DieErfindung bezieht sich allgemein auf einen elektronischen Speicher.Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Struktur aus magnetischenSpeicherzellen.
    [0002] Einnicht-flüchtigerSpeicher ist ein Speicher, der auch dann seinen Inhalt (Daten) bewahrt,wenn die an den Speicher angeschlossene Leistung abgeschaltet wird.Ein magnetischer Direktzugriffsspeicher (MRAM) ist ein Typ einesnicht-flüchtigenSpeichers. Ein MRAM umfaßtein Speichern eines logischen Zustands bzw. Bits durch Einstellenvon Magnetisierungsorientierungen von MRAM-Zellen in dem MRAM. DieMagnetisierungsorientierungen bleiben auch dann noch bestehen, wenndie Leistung an die MRAM-Zellen abgeschaltet wird.
    [0003] 1 zeigt eine MRAM-Zelle 100.Die MRAM-Speicherzelle 100 umfaßt eine weichmagnetische Region 120,eine dielektrische Region 130 und eine hartmagnetischeRegion 110. Die Orientierung der Magnetisierung in derweichmagnetischen Region 120 ist nicht-feststehend undkann zwei stabile Orientierungen umfassen, wie sie durch den PfeilM1 gezeigt ist. Die hartmagnetische Region 110 (auch alsgepinnte („pinned") magnetische Regionbezeichnet) weist eine feststehende magnetische Orientierung auf,wie sie durch den Pfeil M2 gezeigt ist. Die dielektrische Region 130 liefertallgemein eine Isolierung zwischen der weichmagnetischen Region 120 undder hartmagnetischen Region 110.
    [0004] DieMRAM-Speicherzelle ist allgemein in der Nähe eines Kreuzungspunktes einerWortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) angeordnet. Die Wortleitungund die Bitleitung könnenverwendet werden, um den magnetischen Zustand der Speicherzelle einzustellenoder um einen bereits vorhande nen magnetischen Zustand der Speicherzellezu erfassen. 1 umfaßt fernereine naheliegende Wortleitung, die ebenfalls verwendet werden kann,um den magnetischen Zustand der MRAM-Speicherzelle 100 einzustellen.Ein Magnetfeld, wie es durch den Pfeil 150 gezeigt ist,kann durch einen Strom I, der durch die naheliegende Wortleitungfließt,induziert werden. Das induzierte Magnetfeld kann den magnetischen Zustandder MRAM-Speicherzelle 100 einstellen.
    [0005] Wiezuvor angegeben wurde, kann die Magnetisierungsorientierung derweichmagnetischen Region 120 zwei stabile Orientierungenannehmen. Diese zwei Orientierungen, die zu der magnetischen Orientierungder hartmagnetischen Region 110 entweder parallel oderantiparallel sind, bestimmen den logischen Zustand der MRAM-Speicherzelle 100.
    [0006] Diemagnetischen Orientierungen der MRAM-Speicherzellen können eingestellt(beschrieben) werden, indem elektrische Ströme, die durch die Wortleitungenund die Bitleitungen fließen,gesteuert werden, und könnensomit durch die entsprechenden Magnetfelder, die durch die elektrischenStrömeinduziert werden, eingestellt (beschrieben) werden. Da die Wortleitungund die Bitleitung in Kombination arbeiten, um die Magnetisierungsorientierungder ausgewähltenSpeicherzelle umzuschalten (d.h. die Speicherzelle zu beschreiben),könnendie Wortleitung und die Bitleitung kollektiv als Schreibleitungen bezeichnetwerden. Zusätzlichkönnendie Schreibleitungen auch verwendet werden, um den in den Speicherzellengespeicherten logischen Wert zu lesen. Die an die Bitleitung unddie Wortleitung angelegten elektrischen Ströme stellen die Orientierung derMagnetisierung der weichmagnetischen Schicht in Abhängigkeitvon den Richtungen der Ströme,die durch die Bitleitung und die Wortleitung fließen, und somitin Abhängigkeitvon den Richtungen der induzierten Magnetfelder ein, die durch dieStröme,die durch die Bitleitung und die Wortleitung fließen, erzeugtwerden.
    [0007] DieMRAM-Speicherzellen werden durch Erfassen eines Widerstandes über dieMRAM-Speicherzellen gelesen. Der Widerstand wird durch die Wortleitungenund die Bitleitungen erfaßt.Allgemein hängtder logische Wert (beispielsweise eine „0" oder eine „1") einer magnetischen Speicherzelle vonden relativen Magnetisierungsorientierungen in der Datenschichtund der Referenzschicht ab. Wenn beispielsweise bei einer Tunnel-Magnetowiderstandsspeicherzelle(einer Tunnelübergangsspeicherzelle) eineelektrische Potentialvorspannung über die Datenschicht und dieReferenzschicht angelegt wird, wandern Elektronen durch die Zwischenschicht(eine dünnedielektrische Schicht, die üblicherweiseals die Tunnelbarriereschicht bezeichnet wird) zwischen der Datenschichtund der Referenzschicht. Das Phänomender Elektronenwanderung durch die Barriereschicht kann als quantenmechanischesTunneln oder Spintunneln bezeichnet werden. Der logische Zustandkann durch Messen des Widerstands der Speicherzelle bestimmt werden.Beispielsweise befindet sich die magnetische Speicherzelle in einemZustand eines niedrigen Widerstands, wenn die Gesamtorientierungder Magnetisierung in ihrer Datenspeicherschicht parallel zu dergepinnten Orientierung der Magnetisierung der Referenzschicht ist.Umgekehrt befindet sich die Tunnelungsübergangsspeicherzelle in einemhohen Widerstand, wenn die Gesamtorientierung der Magnetisierungin ihrer Datenspeicherschicht zu der gepinnten Orientierung derMagnetisierung der Referenzschicht antiparallel ist. Wie erwähnt wurde,wird der logische Zustand eines in einer magnetischen Speicherzellegespeicherten Bit geschrieben, indem externe Magnetfelder angelegt werden,die die Gesamtmagnetisierungsorientierung der Datenschicht verändern. Dieexternen Magnetfelder könnenals Schaltfelder bezeichnet werden, die die magnetischen Speicherzellenzwischen hohen und niedrigen Widerstandszuständen schalten.
    [0008] 2 zeigt ein Array 210 vonMRAM-Speicherzellen. Die logischen Zustände jeder der MRAM-Speicherzellenkönnendurch extern angelegte Magnetfelder durch Bitleitungen (BL) undWortleitungen (WL) magnetisch eingestellt werden. Allgemein werdendie Bitleitungs- und die Wortleitungsauswahlen durch einen Reihendecodierer 220 und einenSpaltendecodierer 230 durchgeführt. Die logischen Zustände derSpeicherzellen werden durch einen Erfassungsverstärker 240 bestimmt.
    [0009] DasArray 210 von MRAM-Speicherzellen kann Halbwählfehleraufweisen. Speicherzellen werden ausgewählt, indem eine bestimmte Bitleitung (BL)ausgewähltwird und indem eine bestimmte Wortleitung (WL) ausgewählt wird.Halbwählfehler tretenauf, wenn eine Speicherzelle, die einer ausgewählten Bitleitung und einernicht ausgewählten Wortleitungzugeordnet ist, ihren Zustand ändertoder wenn eine Speicherzelle, die einer nicht ausgewählten Bitleitungund einer ausgewähltenWortleitung zugeordnet ist, ihren Zustand ändert. Halbwählfehler verschlechterndeutlich die Leistungsfähigkeiteines MRAM-Speichers.
    [0010] Esist wünschenswert,Halbwählfehlervon MRAM-Speicherzellenzu minimieren. Ferner ist es wünschenswert,daß einMRAM-Speicher dicht ist und wenig Verlustleistung hat.
    [0011] DieAufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, magnetische Speicherzellen,magnetische Speicherstrukturen, ein Rechensystem sowie ein Verfahrenmit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
    [0012] DieseAufgabe wird durch magnetische Speicherzellen gemäß Anspruch1 oder 22, durch magnetische Speicherstrukturen gemäß Anspruch9 oder 21, durch ein Rechensystem gemäß Anspruch 23 sowie durch einVerfahren gemäß Anspruch25 gelöst.
    [0013] DieErfindung umfaßteine Vorrichtung und ein Verfahren zum Konfigurieren von magnetischen Speicherzellen.Die Vorrichtung und das Verfahren liefern verringerte Halbwählfehler.
    [0014] Zusätzlich istder Magnetübergangsspeicher dichtund hat eine geringe Verlustleistung.
    [0015] EinAusführungsbeispielder Erfindung umfaßteine magnetische Speicherzelle. Die magnetische Speicherzelle umfaßt eineReferenzschicht, die eine voreingestellte Magnetisierung aufweist.Benachbart zu der Referenzschicht ist eine Barriereschicht gebildet.Benachbart zu der Barriereschicht ist eine Erfassungsschicht gebildet.Eine erste leitfähigeSchreibleitung ist mit der Referenzschicht elektrisch verbunden.Die magnetische Speicherzelle umfaßt ferner eine zweite leitfähige Schreibleitung, dieeinen Zwischenraum aufweist, der durch zumindest einen Abschnittder Erfassungsschicht gefülltist. Ein Schreibstrom, der durch die zweite leitfähige Schreibleitunggeführtwird, wird zumindest teilweise durch den Abschnitt der Erfassungsschichtgeführt, wobeider Schreibstrom eine Temperatur der Erfassungsschicht erhöht.
    [0016] Einweiteres Ausführungsbeispielder Erfindung umfaßteine Gruppe von magnetischen Speicherzellen, wobei die Gruppe vonmagnetischen Speicherzellen eine Schicht über einem Substrat bildet.Jede magnetische Speicherzelle umfaßt eine Referenzschicht, dieeine voreingestellte Magnetisierung aufweist. Benachbart zu derReferenzschicht ist eine Barriereschicht gebildet. Benachbart zuder Barriereschicht ist eine Erfassungsschicht gebildet. Eine ersteleitfähigeSchreibleitung ist mit der Referenzschicht elektrisch verbunden.Eine zweite leitfähige Schreibleitungumfaßteinen Zwischenraum, der durch zumindest einen Abschnitt der Erfassungsschichtgefülltist. Die Gruppe von magnetischen Speicherzellen umfaßt fernerdie zweite leitfähige Schreibleitung,die mit den magnetischen Speicherzellen elektrisch verbunden ist,wobei die gemeinsame leitfähigeSchreibleitung einen leitfähigenPfad für einenSchreibstrom durch Abschnitte der Erfassungsschichten jeder dermagnetischen Speicherzellen der Gruppe liefert.
    [0017] BevorzugteAusführungsbeispieleder vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme aufdie beiliegenden Zeichnungen nähererläutert.Es zeigen:
    [0018] 1 eine bekannte MRAM-Speicherzelle;
    [0019] 2 ein Array von MRAM-Speicherzellen;
    [0020] 3 eine magnetische Speicherzellegemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung;
    [0021] 4 eine weitere magnetischeSpeicherzelle gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung;
    [0022] 5 eine weitere magnetischeSpeicherzelle gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung;
    [0023] 6 eine Gruppe von magnetischenSpeicherzellen, die eine Schicht über einem Substrat bilden;
    [0024] 7 mehrere Gruppen von magnetischen Speicherzellen,die eine Schicht übereinem Substrat bilden;
    [0025] 8 eine gestapelte Speicherstrukturgemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung;
    [0026] 9A eine Darstellung, dieeine Temperaturabhängigkeitder magnetischen Koerzitivkraft einer magnetischen Speicherzellezeigt;
    [0027] 9B eine Darstellung, dieeine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern (Hx, Hy) zeigt, die erforderlichist, um zu bewirken, daß eine MRAM-Speicherzelle ihrenZustand ändert;
    [0028] 10 eine Darstellung, dieeine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist, umzu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle ihren Zustand ändert, für zwei unterschiedliche MRAM-Zellen-Temperaturen;
    [0029] 11 eine gestapelte Speicherstrukturgemäß einemweiteren Ausführungsbeispielder Erfindung;
    [0030] 12 eine gestapelte Speicherstrukturgemäß einemweiteren Ausführungsbeispielder Erfindung;
    [0031] 13 ein Diagramm, das eineLese-/Schreibschaltungsanordnungder magnetischen Speicherzellen gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung zeigt;
    [0032] 14 ein Rechensystem, dasmagnetische Speicherzellen gemäß einemAusführungsbeispiel derErfindung umfaßt;und
    [0033] 15A und 15B Flußdiagramme, die ein Verfahrenzum Zugreifen auf ein Array von magnetischen Übergängen gemäß einem Ausführungsbeispielder Erfindung zeigen.
    [0034] Wiezu Veranschaulichungszwecken in den Zeichnungen gezeigt ist, istdie Erfindung in einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Konfigurieren vonmagnetischen Speicherzellen verkörpert.Die Vorrichtung und das Verfahren liefern verringerte Halbwählfehler.Ferner ist der Magnetischer-Übergang-Speicherdicht und weist eine geringe Verlustleistung auf.
    [0035] 3 zeigt eine magnetischeSpeicherzelle gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung. Die magnetische Speicherzelle umfaßt eineErfassungsschicht (Datenschicht) 340, eine Barriereschicht 330 undeine Referenzschicht 320. Eine erste leitfähige Leitung 310 istmit der Referenzschicht 320 elektrisch verbunden, und einezweite leitfähigeLei tung 350 ist mit der Erfassungsschicht 340 elektrisch verbunden.
    [0036] Diezweite leitfähigeLeitung 350 umfaßteinen Zwischenraum, in dem zumindest ein Abschnitt der Erfassungsschicht 340 positioniertist. Ein Strom (Ischreiben), der durch die zweite leitfähige Leitung 350 geführt wird,fließtdurch die Erfassungsschicht 340. Der Strom (Ischreiben)kann zwei Zwecke erfüllen.Ein erster Zweck umfaßtein Unterstützenbeim Einstellen der Orientierung der Magnetisierung der Erfassungsschicht 340.Das heißt,daß einerster Zweck des Stroms (Ischreiben) darin besteht, ein Schreibenauf die Erfassungsschicht 340 der magnetischen Speicherzellezu unterstützen.Ein zweiter Zweck kann ein Erwärmender Erfassungsschicht 340 der magnetischen Speicherzelleumfassen. Ein Widerstand der Erfassungsschicht 340 weisteinen Leistungsverlust auf, wenn Strom durch die Erfassungsschicht 340 fließt. Dieverbrauchte Leistung bewirkt, daß sich die Erfassungsschicht 340 erwärmt. Wienachfolgend ausführlicherbeschrieben wird, kann ein Erwärmender Erfassungsschicht 340 die Magnetfeldintensität, die erforderlichist, um auf die Erfassungsschicht 340 zu schreiben, verringern.Ein selektives Erwärmender magnetischen Speicherzellen verringert selektiv die Magnetfeldintensität, die erforderlichist, um auf die ausgewählteSpeicherzelle zu schreiben. Dieses Merkmal kann verwendet werden,um Halbwählfehlerzu verringern.
    [0037] DieReferenzschicht 320 kann eine einzige Materialschicht odermehrere Materialschichten umfassen. Beispielsweise kann die Referenzschicht 320 einoder mehrere ferromagnetische Materialien umfassen. Derartige Materialienkönneneine Nickel-Eisen-, eine Nickel-Eisen-Kobalt-, eine Kobalt-Eisen- oder anderemagnetische Legierungen aus Nickel, Eisen und Kobalt umfassen. DieReferenzschicht 320 kann auch ein antiferromagnetischesMaterial, z.B. Platinmangan oder Iridiummangan, umfassen. Die Barriereschicht 330 kannAluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid und/oderandere isolierende Materialien umfassen. Die Erfassungsschicht 340 kannein oder mehrere ferromagnetische Materialien umfassen. DerartigeMaterialien können eineNickel-Eisen-, eine Nickel-Eisen-Kobalt-, eine Kobalt-Eisen- oder anderemagnetische Legierungen aus Nickel, Eisen und Kobalt umfassen.
    [0038] 4 zeigt eine weitere magnetischeSpeicherzelle gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung. Die Erfassungsschicht dieses Ausführungsbeispiels umfaßt eineferromagnetische Schicht 442 und eine antiferromagnetischeSchicht 444. Allgemein bestimmt die antiferromagnetischeSchicht 444 eine Temperaturabhängigkeit der magnetischen Speicherzelle.Das heißt,daß dieantiferromagnetische Schicht 444 die Schwankung der magnetischen Koerzitivkraftder Erfassungsschicht bei Temperaturschwankungen bestimmt. DiesesAusführungsbeispielliefert das Merkmal, daß dieTemperaturabhängigkeitder magnetischen Koerzitivkraft durch die Temperaturabhängigkeitder antiferromagnetischen Schicht und nicht durch die Temperaturabhängigkeit derferromagnetischen Schicht gesteuert werden kann. Dies ermöglicht einehöhereFlexibilitätbeim Erzeugen der gewünschtenTemperaturabhängigkeit dermagnetischen Koerzitivkraft der Erfassungsschicht.
    [0039] 3 und 4 zeigen Abschnitte der Erfassungsschichten,die physisch in einem Zwischenraum der zweiten leitfähigen Leitungpositioniert sind. Ein weiteres Ausführungsbeispiel umfaßt einenAbschnitt der Referenzschicht 320, die physisch in dem Zwischenraumpositioniert ist. Ein Strom, der durch den Abschnitt der Referenzschicht 320 verläuft, kann diemagnetische Speicherzelle ebenfalls erwärmen, wobei eine Verringerungder Magnetfeldintensitätgeliefert wird, die erforderlich ist, um die magnetische Speicherzellezu beschreiben.
    [0040] 5 zeigt eine weitere magnetischeSpeicherzelle gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung. Die Erfassungs schicht dieses Ausführungsbeispiels umfaßt eineerste Teilerfassungsschicht 542 und eine zweite Teilerfassungsschicht 546.Die erste Teilerfassungsschicht 542 und die zweite Teilerfassungsschicht 546 sinddurch eine Abstandhalterschicht 544 getrennt. Die Abstandhalterschicht 544 verhinderteinen direkten ferromagnetischen Austausch zwischen den zwei Teilerfassungsschichten 542, 546 odervermittelt einen ferromagnetischen Austausch zwischen den zwei Teilerfassungsschichten 542, 546.Allgemein bestimmt die magnetische Orientierung der ersten Teilerfassungsschicht 542 denmagnetischen (logischen) Zustand der Speicherzelle. Allgemein istdie Magnetisierungsrichtung der ersten Teilerfassungsschicht 542 zuder Magnetisierungsrichtung der zweiten Teilerfassungsschicht 546 entgegengesetzt.Allgemein sind die Magnetisierungsrichtungen der ersten Teilerfassungsschicht 542 undder zweiten Teilerfassungsschicht 546 orthogonal zu denRichtungen des Stromflusses (Ischreiben) durch den Leiter 350.
    [0041] Diemagnetische Speicherzelle der 5 kannso konfiguriert sein, daß dieAbstandhalterschicht 544 ein Erwärmen der Teilerfassungsschichten 542, 546 ermöglicht.Für dieseKonfiguration kann die Abstandhalterschicht 544 aus Isolatorenwie z . B . Al2O3 oderAlN oder aus Materialien mit hohem Widerstand, z.B. Ta oder TaN,gebildet sein. Eine isolierende oder mit hohem Widerstand behafteteAbstandhalterschicht 544 beschränkt Ischreiben darauf, in denTeilerfassungsschichten 542, 546 zu fließen.
    [0042] Alternativdazu kann die magnetische Speicherzelle der 5 so konfiguriert sein, daß die Abstandhalterschicht 544 nichtein Erwärmender Teilerfassungsschichten 542, 546 ermöglicht,sondern vorwiegend einen leitfähigenPfad fürStrom liefert, um ein Beschreiben (Einstellen der magnetischen Orientierungen)der Teilerfassungsschichten 542, 546 zu unterstützen. Für dieseKonfiguration kann die Abstandhalterschicht 544 aus Ruoder Cu gebildet sein.
    [0043] DieTeilerfassungsschichten 542, 546 können jeweilsein oder mehrere ferromagnetische Materialien umfassen. DerartigeMaterialien können eineNickel-Eisen-, eine Nickel-Eisen-Kobalt-,eine Kobalt-Eisen- oder andere magnetische Legierungen aus Nickel,Eisen und Kobalt umfassen. Andere ferromagnetische Materialen umfassenamorphe Legierungen wie z.B. CoZrNb oder CoFeB.
    [0044] 6 zeigt eine Gruppe vonmagnetischen Speicherzellen zum Bilden einer Schicht über einem Substrat.Diese erste Gruppe umfaßtmagnetische Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D.Die Gruppe von magnetischen Speicherzellen umfaßt einen gemeinsamen zweitenLeiter 620. Wenn er ausgewählt ist, bewirkt der gemeinsamezweite Leiter, daß Stromdurch die Erfassungsschichten aller magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D derGruppe geleitet wird. Die magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D in derGruppe könnendurch erste leitfähigeLeitungen 630 einzeln ausgewählt werden. Allgemein (jedoch nichtimmer) bewirkt eine Auswahl des gemeinsamen zweiten Leiters 620,daß sichdie Erfassungsschichten der magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D erwärmen, wasermöglicht,daß diemagnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D leichterbeschrieben werden. Ferner kann ein Strom, der durch die Erfassungsschichtender magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D geführt wird,ebenfalls ein Beschreiben der Erfassungsschichten der magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C, 1D unterstützen. Dieses Ausführungsbeispielkann Gruppen einer beliebigen Anzahl von magnetischen Speicherzellenumfassen.
    [0045] Diemagnetischen Speicherzellen der 6 können diein 3, 4 oder 5 beschriebenenmagnetischen Speicherzellen umfassen.
    [0046] 7 zeigt eine erste Gruppevon magnetischen Speicherzellen 1A, 1B, 1C undzweite Gruppe von magnetischen Speicherzellen 2A, 2B, 2C.Allgemein wird zu einem Zeitpunkt lediglich eine einzige Gruppevon Speicherzellen ausge wählt.Die zweite Gruppe von magnetischen Speicherzellen 2A, 2B, 2C umfaßt fernereinen gemeinsamen zweiten Leiter 720. Allgemein (jedochnicht immer) bewirkt eine Auswahl des gemeinsamen zweiten Leiters 720,daß sichdie Erfassungsschichten der magnetischen Speicherzellen 2A, 2B, 2C erwärmen, wasermöglicht,daß diemagnetischen Speicherzellen 2A, 2B, 2C leichterbeschrieben werden. Ferner kann ein durch die magnetischen Speicherzellen 2A, 2B, 2C geführter Stromebenfalls ein Beschreiben der Erfassungsschichten der magnetischenSpeicherzellen 2A, 2B, 2C unterstützen.
    [0047] DiesesAusführungsbeispielkann mehr als lediglich zwei Gruppen von Speicherzellen umfassen.Jede der Gruppen kann eine beliebige Anzahl von magnetischen Speicherzellenumfassen. Die magnetischen Speicherzellen der 7 könnendie bei 3, 4 oder 5 beschriebenen magnetischen Speicherzellenumfassen.
    [0048] 8 zeigt eine gestapeltemagnetische Speicherstruktur gemäß einemAusführungsbeispiel derErfindung. Wie beschrieben wird, umfaßt dieses Ausführungsbeispielzwei Schichten von magnetischen Speicherzellen. Die Erfindung kannjedoch eine beliebige Anzahl von Schichten gestapelter Speicherzellenumfassen.
    [0049] Diemagnetischen Speicherzellen umfassen allgemein magnetische Speicherzellen,wie sie in den 3, 4 und 5 gezeigt sind.
    [0050] Benachbartzu einem Substrat 870 ist eine erste Schicht 810 gebildet.Die erste Schicht 810 umfaßt eine erste Mehrzahl vonmagnetischen Speicherzellen 811, 813, 815.Jede der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 811, 813, 815 ist miteinem ersten gemeinsamen Leiter 840 elektrisch verbunden.Jede der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen ist fernermit entsprechenden ersten leitfähigenAuswahlleitungen 812, 814, 816 elektrischverbunden. Die ersten leitfähigenAuswahlleitungen 812, 814, 816 können leitfähige Spaltenauswahlleitungensein.
    [0051] EinBeschreiben eines bestimmten magnetischen Tunnelübergangs erfordert allgemein,daß Stromdurch eine entsprechende erste leitfähige Auswahlleitung und einenentsprechenden gemeinsamen Leiter geführt wird. Beispielsweise erfordertein Beschreiben eines ersten magnetischen Tunnelübergangs 811 allgemein,daß Stromdurch eine erste leitfähigeAuswahlleitung 812 und den ersten gemeinsamen Leiter 840 geführt wird.Der durch die erste leitfähigeLeitung 812 geführteStrom erzeugt ein Magnetfeld Hx, das eine erste Orientierung bezüglich des magnetischenTunnelübergangsaufweist, und der durch den gemeinsamen Leiter 840 geführte Strom erzeugtein Magnetfeld Hy, das eine zweite Orientierung bezüglich desmagnetischen Tunnelübergangs aufweist.Der durch den gemeinsamen Leiter 840 geführte Stromkann auch zu einer Joule-Erwärmung desmagnetischen Tunnelübergangs 811 (undder Tunnelübergänge 813, 815, 821, 823, 825)führen.
    [0052] Beieinem ersten Ausführungsbeispielist eine magnetische Speicherzelle 811 zum Beschreibendurch eine Kombination des Magnetfeldes Hx, das durch einen Stromin der leitfähigenLeitung 812 erzeugt wird, und Wärme, die durch den Strom geliefertwird, der durch den gemeinsamen Leiter 840 und die Erfassungsschichtder magnetischen Speicherzelle 812 fließt, ausgewählt. Die erhöhte Temperatur derErfassungsschicht verringert ihre Koerzitivkraft bis auf einen Punkt,an dem das durch den Strom in der leitfähigen Leitung 812 erzeugteFeld ausreichend ist, um den magnetischen Zustand der Speicherzelleumzuschalten. Ein Beispiel der Temperaturabhängigkeit der magnetischen Koerzitivkrafteiner magnetischen Speicherzelle ist in 9A gezeigt. Eine Speicherzelle, die erhitztwird, weist ein als H1 bezeichnetes Schaltfeld auf. Falls beispielsweiseder Strom des Leiters 840 die Speicherzelle 811 aufTschreiben erwärmt,ist das angelegte Feld Hschreiben ausreichend, um das er wärmte Speicherelement 811 umzuschalten,ist jedoch nicht groß genug,um nicht erwärmteSpeicherzellen, die die leitfähigeLeitung 812 gemeinsam verwenden, umzuschalten.
    [0053] Beieinem zweiten Ausführungsbeispielbesteht die Hauptfunktion von Strom, der durch den gemeinsamen Leiter 840 fließt, darin,der Erfassungsschicht der magnetischen Speicherzelle 811 einMagnetfeld Hy bereitzustellen. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die magnetischeSpeicherzelle 811 zum Beschreiben durch eine Kombinationdes Magnetfeldes Hx von dem durch die leitfähige Leitung 812 fließenden Stromund des Magnetfelds Hy, das sich aus einem Strom ergibt, der durchden gemeinsamen Leiter 840 und die Erfassungsschicht derSpeicherzelle 811 fließt,ausgewählt.Die Kombination des Hx- und des Hy-Feldes liefert ein ausreichendesMagnetfeld, um den magnetischen Zustand der Speicherzelle umzuschalten,wohingegen das Hx- oder das Hy-Feld alleine den Zustand der Speicherzellenicht umschalten können.Die Abhängigkeitdes Schaltfeldes von dem Hx- und dem Hy-Feld ist in 9B gezeigt.
    [0054] Eindrittes Ausführungsbeispielumfaßteinen Strom in dem gemeinsamen Leiter 840, der der Erfassungsschichtder Speicherzelle 811 sowohl ein Magnetfeld Hx als aucheine Joule-Erwärmung liefert.Bei diesem Ausführungsbeispielfindet ein Beschreiben der Speicherzelle aufgrund der Kombinationdes Magnetfeldes Hx, das sich aus dem in der leitfähigen Leitung 812 fließenden Stromergibt, des Magnetfeldes Hy, das sich aus dem durch den gemeinsamenLeiter 840 fließendenStrom ergibt, und eines Anstiegs der Temperatur der Speicherzelle 811 aufgrunddes durch die Erfassungsschicht fließenden Stroms statt.
    [0055] EinLesen von einer magnetischen Speicherzelle erfordert eine elektrischeVerbindung zwischen jedem der zwei Anschlüsse der magnetischen Speicherzellen.Ein Lesen einer magnetischen Speicherzelle erfordert ein Erfasseneines Widerstands der magnetischen Speicherzelle.
    [0056] Wiein 8 gezeigt ist, ist über derersten Schicht 810 von magnetischen Speicherzellen eine zweiteSchicht 820 von magnetischen Speicherzellen gebildet. Diezweite Schicht 820 umfaßt eine zweite Mehrzahl vonmagnetischen Speicherzellen 821, 823, 825.Die magnetische Speicherstruktur der 8 kannferner einen zweiten gemeinsamen Leiter 850 umfassen, derbenachbart zu der zweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 821, 823, 825 gebildetist.
    [0057] DasSubstrat 870 kann einen ersten Auswahltransistor Q1 undeinen zweiten Auswahltransistor Q2 umfassen. Wenn sowohl der ersteAuswahltransistor Q1 als auch der zweite Auswahltransistor Q2 eingeschaltetsind, wird Strom durch den ersten gemeinsamen Leiter 840 undden zweiten gemeinsamen Leiter 850 geführt. Allgemein werden sowohlder erste Auswahltransistor Q1 als auch der zweite AuswahltransistorQ2 ausgewählt,wenn zumindest eine der magnetischen Speicherzellen 811, 813, 815 der erstenSchicht 810 oder der magnetischen Speicherzellen 821, 823, 825 derzweiten Schicht 820 beschrieben wird. Der erste gemeinsameLeiter 840 und der zweite gemeinsame Leiter 850 müssen nur eingeschaltetwerden, wenn eine magnetische Speicherzelle beschrieben wird.
    [0058] EinAusführungsbeispielumfaßtden zweiten Auswahltransistor Q2, der einen Stromfluß durchden ersten und den zweiten gemeinsamen Leiter 840, 850 steuert.Eine Gemeinsamer-Leiter-Freigabe-Steuerungist mit dem Gate (G2) des zweiten Auswahltransistor Q2 verbundenund schaltet den zweiten Auswahltransistor Q2 ein, wenn die gemeinsamenLeiter 840, 850 Strom ziehen sollen. Die Source (S2)des zweiten Auswahltransistors Q2 ist mit Masse verbunden, und derDrain (D2) des zweiten Auswahltransistors Q2 ist durch leitfähige Leitungenmit dem zweiten gemeinsamen Leiter 850 verbunden.
    [0059] EinAusführungsbeispielumfaßt,daß der ersteAuswahltransistor Q1 eine Zeilenauswahl und eine Gemeinsamer-Leiter- Steuerung liefert.Eine Zeilen-Freigabe-Steuerung ist mit dem Gate (G1) des erstenAuswahltransistors Q1 verbunden. Eine Vlesen-Erfassung oder eineVH (Spannung fürdie gemeinsamen Leiter) ist mit dem Drain (D1) des ersten Auswahltransistors(Q1) verbunden. Die Source (S1) des ersten Auswahltransistors Q1ist mit dem ersten gemeinsamen Leiter 840 verbunden. Später wirdein Schaltdiagramm bereitgestellt, um die elektrische Verbindungder gestapelten magnetischen Speicherzellenstruktur zusätzlich zuerklären.
    [0060] EinLesen zumindest einer der magnetischen Speicherzellen 811, 813, 815 derersten Schicht 810 oder der magnetischen Speicherzellen 821, 823, 825 derzweiten Schicht 820 erfordert lediglich, daß der ersteAuswahltransistor Q1 ausgewählt wird.Der ausgewählteTransistor kann verwendet werden, um einen Widerstandszustand einermagnetischen Speicherzelle zu erfassen, die zwischen einer der leitfähigen Auswahlleitungen 812, 814, 816, 822, 824, 826 unddem ausgewähltenTransistor angeordnet ist. Wie zuvor beschrieben wurde, bestimmt derWiderstandszustand jeder magnetischen Speicherzelle den logischenZustand der magnetischen Speicherzelle.
    [0061] Leitfähige Leitungen 831, 833, 835, 837 liefernelektrische Verbindungen zwischen dem ersten gemeinsamen Leiter 840,dem zweiten gemeinsamen Leiter 850 und den AuswahltransistorenQ1, Q2.
    [0062] DasSubstrat 870 kann jegliches standardmäßige Substratmaterial, z.B.Silizium, umfassen.
    [0063] DieleitfähigenLeitungen 812, 814, 816, 822, 824, 826, 831, 833, 835, 837, 840, 850 können jeglichesallgemein akzeptierte leitfähigeMaterial, z.B. Aluminium, Kupfer oder Gold, umfassen.
    [0064] 9B zeigt die Magnetfeldintensität, die erforderlichist, um die magnetische Orientierung der weichmagnetischen Regionder magnetischen Speicherzelle in Übereinstimmung mit dem zuvorbeschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel „umzuschalten" oder zu ändern. Beispielsweisezeigt ein erster Quadrant 905 der Darstellung der 9 das Hx-Magnetfeld, das benötigt wird, um zu bewirken, daß die MRAM-Speicherzellemagnetische Zustände für verschiedeneWerte eines angelegten Hy-Magnetfeldes ändert. Ein erster Schaltpunkt 910 schlägt ein Erster-Pegel-Hx1der erforderlichen Hx-Magnetfeldintensität, um den magnetischen Zustandder Speicherzelle füreinen ersten Pegel Hy1 der Hy-Magnetfeldintensität zu ändern, vor.Ein zweiter Schaltpunkt 920 schlägt einen zweiten Pegel Hx2der erforderlichen Hx-Magnetfeldintensität, um den magnetischen Zustandder Speicherzelle füreinen zweiten Pegel Hy2 der Hy-Magnetfeldintensität zu ändern, vor.Die erforderliche Hx2-Magnetfeldintensität des zweitenSchaltpunkts 920 ist größer alsdie erforderliche Hx1-Magnetfeldintensität des ersten Schaltpunkts 910.
    [0065] 10 ist eine Darstellung,die eine Intensitätvon extern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist,um zu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle fürzwei verschiedene MRAM-Zellen-Temperaturen ihren Zustand ändert. Eineerste Kurve 1010 stellt die Magnetfeldintensität dar, dieerforderlich ist, um die magnetische Orientierung einer magnetischenSpeicherzelle füreine erste Temperatur zu ändernbzw. umzuschalten. Eine zweite Kurve 1020 stellt die Magnetfeldintensität dar, dieerforderlich ist, um die magnetische Orientierung einer magnetischenSpeicherzelle füreine zweite Temperatur zu ändernbzw. umzuschalten.
    [0066] DieAuswirkung der Temperatur auf die Fähigkeit, den Zustand der magnetischenSpeicherzelle zu ändern,kann beobachtet werden, indem das Hx-Magnetfeld, das erforderlichist, um den Zustand der magnetischen Speicherzellen für ein feststehendesHy-Magnetfeld, wie es durch die Linie 1030 gezeigt ist,zu ändern,beobachtet wird. Wie durch Linie 1020 gezeigt ist, beträgt die erforderlicheHx- Magnetfeldintensität für ein feststehendesHy-Magnetfeld von Hy1 fürdie erste Temperatur Hx1, und die erforderliche Hx-Magnetfeldintensität beträgt für die zweiteTemperatur Hx1'.Hx1' ist niedrigerals Hx1, wenn die zweite Temperatur höher ist als die erste Temperatur.
    [0067] Dieerste Temperatur ist allgemein niedriger als die zweite Temperatur.Deshalb ist die Magnetfeldintensität, die erforderlich ist, umden Zustand der magnetischen Speicherzelle zu ändern bzw. umzuschalten, für eine höhere Temperaturgeringer. Dies legt nahe, daß einAktivieren eines gemeinsamen Leiters in der Nähe einer magnetischen Speicherzelledie Menge an Schreibstrom, die erforderlich ist, um die magnetischeOrientierung der magnetischen Speicherzelle zu ändern bzw. umzuschalten, verringert.
    [0068] Für die magnetischenSpeicherzellen der 8 erforderndie magnetischen Speicherzellen, die einen gemeinsamen Leiter umfassen,der „eingeschaltet" wird, eine geringereMenge an Schreibstrom, um den magnetischen Zustand der magnetischenSpeicherzellen zu ändernbzw. umzuschalten. Magnetische Speicherzellen, die einen gemeinsamenLeiter umfassen, der nicht „eingeschaltet" ist, erfordern einegrößere Mengean Schreibstrom, um den magnetischen Zustand der magnetischen Speicherzellenzu ändernbzw. umzuschalten. Deshalb ist es weniger wahrscheinlich, daß nichtausgewähltemagnetische Speicherzellen, die nicht ausgewählte gemeinsame Leiter umfassen, Halbwählfehleraufweisen.
    [0069] Dievorstehende Schreibprozedur beschreibt ein Beschreiben einer einzelnenmagnetischen Speicherzelle in einer Gruppe von magnetischen Speicherzellen,die ausgewähltwird, indem Strom durch den zugeordneten gemeinsamen Leiter geführt wird. Einungefährgleichzeitiges Beschreiben mehr als einer Speicherzelle in einerGruppe kann erfolgen, indem mehr als eine leitfähige Auswahlleitung aktiviert wird.Unter Bezugnahme auf 8 werdendie Speicherzellen 811, 813, 815, 821, 823, 825 allesamtfür einSchreiben freigegeben, wenn ein Strom durch den gemeinsamen Leiter 840, 850 fließt. Es kannin eine oder mehrere dieser Speicherzellen geschrieben werden, indemein Strom an eine oder mehrere erste Auswahlleitung 812, 814, 816, 822, 824, 826 angelegtwird. Bei einem Ausführungsbeispielwerden alle Speicherzellen eines ausgewählten gemeinsamen Leiters gleichzeitigbeschrieben. Ein versehentliches Halbwählfehler-Schreiben aufgrundeines durch den gemeinsamen Leiter fließenden Stroms kann vermiedenwerden. Das heißt,daß allefreigegebenen Bits auf dem ausgewählten gemeinsamen Leiter imwesentlichen zur selben Zeit geschrieben werden.
    [0070] 11 zeigt eine gestapelteSpeicherstruktur gemäß einemweiteren Ausführungsbeispielder Erfindung. Dieses Ausführungsbeispielumfaßtzwei separate Gruppen von magnetischen Speicherzellen 1102, 1104.Allgemein wird zu einem Zeitpunkt lediglich eine der zwei Gruppenvon magnetischen Speicherzellen 1102, 1104 ausgewählt.
    [0071] Bei 11 ist die erste Gruppeals GRUPPE 1 bezeichnet. Die zweite Gruppe ist als GRUPPE N bezeichnet,um zu zeigen, daß dasAusführungsbeispieleine Zeile umfassen kann, die N Gruppen von gestapelten magnetischenSpeicherzellen umfaßt. Zusätzlich können dieZeilen wiederholt werden, um ein Array von gestapelten magnetischenSpeicherzellen zu bilden. Das Array umfaßt Zeilen und Spalten von gestapeltenmagnetischen Speicherzellen. Spalten von gestapelten Speicherzellensind hinter und vor den in 11 gezeigtenmagnetischen Speicherzellen angeordnet.
    [0072] Dieerste Gruppe von magnetischen Speicherzellen 1102 umfaßt ein Ausführungsbeispiel,das ähnlichdem Ausführungsbeispielder 8 ist. Das Ausführungsbeispielder 8 wurde in 11 aufgenommen, und diegemeinsamen Referenzbezeichnungen wurden aufgenommen.
    [0073] EskönnenZeilen und Spalten von gestapelten magnetischen Speicherzellen ausgewählt werden.Innerhalb einer Zeile könnenbestimmte Gruppen von gestapelten magnetischen Speicherzellen ausgewählt werden.Wie in 11 gezeigt ist,könnenAuswahlen von magnetischen Speicherzellen beispielsweise ein Auswählen entwederder ersten Gruppe 1102 oder der zweiten Gruppe (N) 1104 umfassen.Die Auswahl kann durch eine Auswahl der Auswahltransistoren Q1,Q2, Q3, Q4 erfolgen. Die Steuerleitungen der AuswahltransistorenQ1, Q2 der ersten Gruppe 1102 wurden zu Vlesen/VH1, Zeilen-Freigabel und Gemeinsamer-Leiter-Freigabel modifiziert,um eine Differenzierung von den Steuerleitungen der anderen Gruppenvon gestapelten magnetischen Speicherzellen zu ermöglichen,wie bei 8 beschrieben.Die Vlesen/VH1- und Zeilen-Freigabel-Steuerleitung kann für die zweiteGruppe (N) 1104 verwendet werden, da die zweite Gruppe 1104 inderselben Zeile angeordnet ist wie die erste Gruppe 1102.Die zweite Gruppe 1104 umfaßt eine getrennte Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Steuerleitung.Die Sources, Gates und Drains der Steuertransistoren Q1, Q2, Q3,Q4 sind in 11 nichtgezeigt, die physischen Charakteristika der Steuertransistoren Q1,Q2, Q3, Q4 sind jedoch in 8 beschrieben.
    [0074] Diezweite Gruppe von magnetischen Speicherzellen 1104 umfaßt eineerste Schicht 1110 der zweiten Gruppe, die benachbart zudem Substrat 1100 gebildet ist. Die erste Schicht 1110 derzweiten Gruppe umfaßteine dritte Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115.Jede der dritten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115 istmit einem dritten gemeinsamen Leiter 1140 elektrisch verbunden.Jede der dritten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen ist ferner mitentsprechenden dritten leitfähigenAuswahlleitungen 1112, 1114, 1116 elektrischverbunden. Die dritten leitfähigenAuswahlleitungen 1112, 1114, 1116 können leitfähige Spaltenauswahlleitungensein.
    [0075] EinSchreiben in eine bestimmte magnetische Speicherzelle erfordertallgemein, daß ein Stromdurch eine entsprechende dritte leitfähige Auswahlleitung und einenentsprechenden gemeinsamen Leiter geleitet wird. Ein Beschreibeneiner dritten magnetischen Speicherzelle 1111 erfordertallgemein beispielsweise, daß einStrom durch eine dritte leitfähigeAuswahlleitung 1112 und den dritten gemeinsamen Leiter 1140 geleitetwird. Der durch die dritte leitfähigeAuswahlleitung 1112 geleitete Strom erzeugt ein Magnetfeld,das bezüglichder magnetischen Speicherzelle eine erste Orientierung aufweist,und der durch den gemeinsamen Leiter geleitete Strom erzeugt einMagnetfeld, das bezüglichder magnetischen Speicherzelle eine zweite Orientierung aufweist.Die Kombination der zwei Magnetfelder stellt die magnetische Orientierungder magnetischen Speicherzelle ein.
    [0076] Derdritte gemeinsame Leiter 1140 liefert Strom an Erfassungsschichtender magnetischen Speicherzellen, was der dritten Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen 1111, 1113, 1115 Wärme bereitstellt.Ein Erwärmender magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115 verringertdie Höhedes Schreibstroms, der erforderlich ist, um magnetische Orientierungender magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115 einzustellen.Der gemeinsame Leiter verringert lediglich den erforderlichen Schreibstromvon magnetischen Speicherzellen, die mit dem gemeinsamen Leiterverbunden sind. Deshalb könnenHalbwählfehlervon magnetischen Speicherzellen, die nicht mit dem gemeinsamen Leiter verbundensind, verringert werden, da an die magnetischen Speicherzellen,die durch den gemeinsamen Leiter ausgewählt werden, eine kleinere Mengean Schreibstrom angelegt werden kann.
    [0077] Wiein 11 gezeigt ist, ist über derersten Schicht 1110 der zweiten Gruppe von magnetischen Speicherzelleneine zweite Schicht 1120 der zweiten Gruppe von magnetischenSpeicherzellen gebildet. Die zweite Schicht 1120 der zweitenGruppe umfaßt einevierte Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 1121, 1123, 1125.
    [0078] Diegestapelte magnetische Speicherstruktur der 11 kann ferner einen vierten gemeinsamenLeiter 1150 umfassen, der benachbart zu der vierten Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen 1121, 1123, 1125 gebildetist. Der vierte gemeinsame Leiter 1150 bewirkt, daß ein Stromdurch die entsprechenden magnetischen Speicherzellen fließt, wasdie vierte Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen 1121, 1123, 1125 mitWärme versorgt.Wie beschrieben wurde, verringert ein Erwärmen der magnetischen Speicherzellen 1121, 1123, 1125 dieGröße des Schreibstroms,die erforderlich ist, um magnetische Orientierungen der magnetischenSpeicherzellen 1121, 1123, 1125 einzustellen.
    [0079] DasSubstrat 1170 kann einen dritten Auswahltransistor Q3 undeinen vierten Auswahltransistor Q4 umfassen. Wenn sowohl der dritteAuswahltransistor Q3 als auch der vierte Auswahltransistor Q4 eingeschaltetsind, wird Strom durch den dritten gemeinsamen Leiter 1140 undden vierten gemeinsamen Leiter 1150 geleitet. Allgemeinwerden sowohl der dritte Auswahltransistor Q3 als auch der vierte Auswahltransistorausgewählt,wenn zumindest eine der magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115 derersten Schicht 1110 der zweiten Gruppe oder eine der magnetischenSpeicherzellen 1121, 1123, 1125 der zweitenSchicht 1120 der zweiten Gruppe beschrieben wird. Der drittegemeinsame Leiter 1140 und der vierte gemeinsame Leiter 1150 müssen nur eingeschaltetwerden, wenn eine magnetische Speicherzelle beschrieben wird. EinLesen einer magnetischen Speicherzelle erfordert nicht, daß ein gemeinsamerLeiter eingeschaltet ist.
    [0080] EinAusführungsbeispielumfaßt,daß der vierteAuswahltransistor Q4 ein Freigeben des dritten und des vierten gemeinsamenLeiters 1140, 1150 steuert. Eine Gemeinsamer-Leiter-Freigabe2-Steuerungist mit dem Gate des vierten Auswahltransistors Q4 verbunden undschaltet den vierten Auswahltransistor Q4 ein, wenn die gemeinsamenLeiter 1140, 1150 eingeschaltet werden sollen.Die Source des vierten Auswahltransistors Q4 ist mit Masse verbunden,und der Drain des vierten Auswahltransistors Q4 ist durch leitfähige Leitungenmit dem vierten gemeinsamen Leiter 1150 verbunden.
    [0081] EinAusführungsbeispielumfaßt,daß der dritteAuswahltransistor Q3 eine Zeilenauswahl und eine Gemeinsamer-Leiter-Steuerung liefert.Eine Zeilen-Freigabel-Steuerung ist mit dem Gate des dritten AuswahltransistorsQ3 verbunden. Eine Vlesen-Erfassung oder eine VH (Spannung für die gemeinsamenLeiter) ist mit dem Drain des dritten Auswahltransistors (Q3) verbunden.Die Source des dritten Auswahltransistors Q3 ist mit dem drittengemeinsamen Leiter 1140 verbunden. Später wird ein Schaltungsdiagrammbeschrieben, um die elektrische Verbindung der gestapelten magnetischenSpeicherzellenstruktur weiter zu verdeutlichen.
    [0082] EinLesen zumindest einer der magnetischen Speicherzellen 1111, 1113, 1115 derersten Schicht 1110 der zweiten Gruppe oder einer der magnetischenSpeicherzellen 1121, 1123, 1125 der zweitenSchicht 1120 der zweiten Gruppe erfordert lediglich, daß einerder Transistoren Q3, Q4 ausgewähltwird. Der ausgewählteTransistor kann verwendet werden, um einen Widerstandszustand einermagnetischen Speicherzelle zu erfassen, die zwischen einer der leitfähigen Auswahlleitungen 1112, 1114, 1116, 1122, 1124, 1126 unddem ausgewähltenTransistor angeordnet ist. Wie zuvor beschrieben wurde, bestimmtder Widerstandszustand jeder magnetischen Speicherzelle den logischenZustand der magnetischen Speicherzelle.
    [0083] DiesesAusführungsbeispielminimierte Halbwählfehler,da die magnetischen Speicherzellen in Gruppen von magnetischen Speicherzellenaufgeteilt sind. Lediglich die magnetischen Speicherzellen innerhalbeiner ausgewähltenGruppe werden erwärmt.Wie zuvor gezeigt wurde, verringert ein Erwärmen der magnetischen Speicherzellenden Strom, der erforderlich ist, um zu bewirken, daß die magnetischeSpeicherzelle ihre magnetische Orientierung ändert bzw. umschaltet. MagnetischeSpeicherzellen in den ausgewähltenGruppen werden erwärmtund ändernsomit ihren Zustand infolge eines Schreib stroms einer geringerenGröße. Wennmagnetische Speicherzellen von nicht ausgewählten Gruppen von magnetischenSpeicherzellen dem Schreibstrom ausgesetzt sind, ist es wenigerwahrscheinlich, daß sieihren Zustand ändern.
    [0084] Beispielsweisekann die erste Gruppe von magnetischen Speicherzellen 1102 ausgewählt werden,währenddie zweite Gruppe von magnetischen Speicherzellen 1104 nichtausgewähltwird. Somit werden die magnetischen Speicherzellen der ersten Gruppe 1102 erwärmt, während diemagnetischen Speicherzellen der zweiten Gruppe 1104 nichterwärmtwerden.
    [0085] 12 zeigt eine gestapelteSpeicherstruktur gemäß einemweiteren Ausführungsbeispielder Erfindung. Diese gestapelte Speicherstruktur umfaßt zusätzlicheSchichten 1210, 1220. Die zusätzlichen Schichten 1210, 1220 lieferneine größere Dichtevon magnetischen Speicherzellen. Wie gezeigt ist, kann die gestapeltemagnetische Speicherzelle eine große Anzahl von Schichten vonmagnetischen Speicherzellen umfassen. Allgemein kann die Schicht 1220 eineM-te Schicht sein, und die Schicht 1210 kann eine (M – 1)te Schichtsein. Wie gezeigt ist, werden alle Schichten einer Gruppe von magnetischenSpeicherzellen gleichzeitig ausgewählt.
    [0086] DieM-te Schicht 1220 der 12 umfaßt zusätzlichemagnetische Speicherzellen 1221, 1223, 1225.Die zusätzlichenmagnetischen Speicherzellen sind mit zusätzlichen leitfähigen Auswahlleitungen 1222, 1224, 1226 undeinem zusätzlichengemeinsamen Leiter 1280 elektrisch verbunden. Ähnlich dem Ausführungsbeispielder 8 wird der zusätzliche gemeinsameLeiter eingeschaltet, wenn der erste Auswahltransistor Q1 und derzweite Auswahltransistor Q2 durch die Gemeinsamer-Leiter-Freigabe-Steuerungund die Zeilen-Freigabe-Steuerung ausgewählt werden.
    [0087] Die(M – 1)teSchicht 1210 der 12 umfaßt zusätzlichemagnetische Speicherzellen 1211, 1213, 1215.Die zusätzlichenmagnetischen Speicherzellen sind mit zusätzlichen leitfähi gen Auswahlschaltungen 1212, 1214, 1216 undeinem zusätzlichengemeinsamen Leiter 1270 elektrisch verbunden. Ähnlich demAusführungsbeispielder 8 wird der zusätzlichegemeinsame Leiter 1270 eingeschaltet, wenn der erste AuswahltransistorQ1 und der zweite Auswahltransistor Q2 durch die Gemeinsamer-Leiter-Freigabe-Steuerungund die Zeilen-Freigabe-Steuerungausgewähltwerden.
    [0088] 13 ist ein Diagramm, daseine Lese-/Schreibschaltungsanordnungder magnetischen Speicherzellen gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung der 11 zeigt,mit dem Zusatz einer dritten Gruppe (GRUPPE 3) und einer viertenGruppe (GRUPPE 4). Wie zuvor beschrieben wurde, kann die Erfindungeine beliebige Anzahl von Gruppen von magnetischen Speicherzellenumfassen.
    [0089] Wiein 13 gezeigt und zuvorbeschrieben wurde, wird die erste Gruppe ausgewählt, indem die Zeilen-Freigabel-,Vlesen/VH1- und die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Leitungen freigegebenwerden. Die zweite Gruppe wird ausgewählt, indem die Zeilen-Freigabel-,Vlesen/VH1- und die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Leitungenfreigegeben werden. Die dritte Gruppe wird ausgewählt, indemdie Zeilen-Freigabel-, Vlesen/VH2- und die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Leitungenfreigegeben werden. Die vierte Gruppe wird ausgewählt, indemdie Zeilen-Freigabel-, Vlesen/VH2- und die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Leitungenfreigegeben werden.
    [0090] Wiein dem Diagramm gezeigt ist, umfaßt die erste Gruppe von magnetischenSpeicherzellen die Auswahltransistoren Q1, Q2, die gemeinsamen Leiter 840, 850 undmagnetische Speicherzellen 811 bis 825. Die zweiteGruppe von magnetischen Speicherzellen umfaßt die AuswahltransistorenQ3, Q4, die gemeinsamen Leiter 1140, 1150 undmagnetische Speicherzellen 1111 bis 1125. Diedritte und die vierte Gruppe umfassen Auswahltransistoren Q5, Q6,Q7, Q8, wie in 11 gezeigtist. Die dritte und die vierte Gruppe umfassen ent sprechende magnetischeSpeicherzellen und gemeinsame Leiter.
    [0091] Wiezuvor beschrieben wurde, ist die Vlesen/VH1-Steuerleitung mit dem Drain des ersten AuswahltransistorsQ1 verbunden. Die Zeilen-Freigabel-Steuerleitung ist mit dem Gatedes ersten Auswahltransistors Q1 verbunden. Ferner ist die Vlesen/VH1-Steuerleitungmit dem Drain eines dritten Auswahltransistors Q3 verbunden, unddie Zeilen-Freigabel-Steuerleitungist mit dem Gate des dritten Auswahltransistors Q3 verbunden.
    [0092] Wiezuvor beschrieben wurde, ist die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Steuerleitungmit dem Gate des zweiten Auswahltransistors Q2 verbunden. Fernerist die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Steuerleitungmit dem Gate des sechsten Transistors Q6 verbunden.
    [0093] DieVlesen/VH2-Steuerleitung ist mit dem Drain des fünften Auswahltransistors Q5verbunden. Die Zeilen-Freigabe2-Steuerleitungist mit dem Gate des fünftenAuswahltransistors Q5 verbunden. Ferner ist die Vlesen/VH2-Steuerleitungmit dem Drain eines siebten Auswahltransistors Q7 verbunden, und dieZeilen-Freigabel-Steuerleitung ist mit dem Gate des siebten AuswahltransistorsQ7 verbunden.
    [0094] Wiezuvor beschrieben wurde, ist die Gemeinsamer-Leiter-Freigabe2-Steuerleitungmit dem Gate des vierten Auswahltransistors Q4 verbunden. Fernerist die Gemeinsamer-Leiter-Freigabel-Steuerleitungmit dem Gate eines achten Transistors Q8 verbunden.
    [0095] 14 ist ein Rechensystem,das magnetische Speicherzellen gemäß einem Ausführungsbeispielder Erfindung umfaßt.Das Rechensystem umfaßteine CPU (Zentralverarbeitungseinheit) 1410, die eine Schnittstellemit einem Array von magnetischen Speicherzellen 1420 gemäß Ausführungsbeispielender Erfindung bildet.
    [0096] EineTrägerschaltungsanordnungkann Adreß-und Datenbusleitungen umfassen. Ein Zeilendecodierer 1430 wählt eineZeile des Arrays 1420 aus. Ein Spaltendecodierer 1450 wählt Spaltendes Arrays 1420 aus. Eine L-/S-Steuerung liefert Lese- und Schreibsteuerungen.Eine Schreibantriebs- und Gemeinsamer-Leiter-Steuerung 1470 lieferteine Steuerung überein Schreiben in das Array 1420. Erfassungsverstärker 1480 liefernein Erfassen von Zuständenvon magnetischen Speicherzellen in dem Array 1420. EineI-/O-Steuerung 1440 liefert Eingangs-/Ausgangssteuerungendes Arrays 1420. Eine MRAM-Steuerung 1490 kann eine Gesamtsteuerung desArrays 1420 liefern.
    [0097] 15A und 15B sind Flußdiagramme, die ein Verfahrenzum Zugreifen auf ein Array eines gestapelten magnetischen Übergangsgemäß einem Ausführungsbeispielder Erfindung zeigen.
    [0098] DasFlußdiagrammder 15A zeigt Schritteeines Beschreibens eines gestapelten magnetischen Speicherzellenspeichersgemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung.
    [0099] Einerster Schritt 1510 umfaßt ein Auswählen zumindest einer Spaltenauswahlleitung.
    [0100] Einzweiter Schritt 1520 umfaßt ein Auswählen zumindest einer Zeilenfreigabeleitung.
    [0101] Eindritter Schritt 1530 umfaßt ein Auswählen einer Gemeinsamer-Leiter-Freigabe-Leitung,die einen entsprechenden gemeinsamen Leiter auswählt.
    [0102] DasFlußdiagrammder 15B zeigt Schritteeines Lesens von einem gestapelten magnetischen Speicherzellenspeichergemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung.
    [0103] Einerster Schritt 1515 umfaßt ein Auswählen zumindest einer Spaltenauswahlleitung.
    [0104] Einzweiter Schritt 1525 umfaßt ein Auswählen zumindest einer Zeilenfreigabeleitung.
    [0105] Eindritter Schritt 1535 umfaßt ein Erfassen eines Widerstandszustandseiner entsprechenden magnetischen Speicherzelle.
    权利要求:
    Claims (26)
    [1] Magnetische Speicherzelle, die folgende Merkmaleumfaßt: eineReferenzschicht (320), die eine voreingestellte Magnetisierungaufweist; eine Barriereschicht (330), die zu der Referenzschicht(320) benachbart ist; eine Erfassungsschicht (340),die eine änderbare Magnetisierungaufweist, wobei die Erfassungsschicht (340) zu der Barriereschicht(330) benachbart ist; eine erste leitfähige Schreibleitung(310), die mit der Referenzschicht (320) elektrischverbunden ist; eine zweite leitfähige Schreibleitung (350),die einen Zwischenraum aufweist, wobei der Zwischenraum durch zumindesteinen Abschnitt der Erfassungsschicht (340) gefüllt ist;wobei: der Schreibstrom, der durch die zweite leitfähige Schreibleitung(350) geführtwird, zumindest teilweise durch den Abschnitt der Erfassungsschicht(340) geführtwird, wobei der Schreibstrom eine Temperatur der Erfassungsschicht(340) erhöht.
    [2] Magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Erfassungsschicht(340) ferner folgende Merkmale umfaßt eine ferromagnetischeSchicht; und eine antiferromagnetische Schicht.
    [3] Magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1 oder 2, bei derdie Erfassungsschicht (340) ferner folgende Merkmale umfaßt: eineerste Teilerfassungsschicht (542); eine zweite Teilerfassungsschicht(546); eine Abstandhalterschicht (544) zwischender ersten Teilerfassungsschicht (542) und der zweitenTeilerfassungsschicht (546).
    [4] Magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 3, bei der die ersteTeilerfassungsschicht (542) und die zweite Teilerfassungsschicht(546) ein magnetisches Material umfassen.
    [5] Magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 3 oder 4, bei derdie Abstandhalterschicht (544) ein nicht-magnetisches Materialumfaßt.
    [6] Magnetische Speicherzelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis5, bei der ein durch die Erfassungsschicht (340) geführter Schreibstromeine Temperatur der Erfassungsschicht (340) erhöht und beider eine magnetische Koerzitivkraft der Erfassungsschicht (340)abnimmt, wenn eine Temperatur der Erfassungsschicht (340)steigt.
    [7] Gruppe von magnetischen Speicherzellen, wobei dieGruppe eine Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen gemäß einemder Ansprüche1 bis 6, die eine Schicht übereinem Substrat (610) bilden, umfaßt.
    [8] Gruppe von magnetischen Speicherzellen gemäß Anspruch7, bei der eine gemeinsame zweite leitfähige Schreibleitung einen Schreibstromdurch Abschnitte der Erfas sungsschichten (340) jeder der magnetischenSpeicherzellen der Gruppe leitet.
    [9] Magnetische Speicherstruktur, die folgende Merkmaleaufweist: eine erste Gruppe von magnetischen Speicherzellen gemäß einemder Ansprüche1 bis 8, wobei die erste Gruppe folgende Merkmale umfaßt: einebenachbart zu einem Substrat (610) gebildete erste Schichtder ersten Gruppe, wobei die erste Schicht eine erste Mehrzahl vonmagnetischen Speicherzellen aufweist; eine benachbart zu derersten Schicht gebildete zweite Schicht der ersten Gruppe, wobeidie zweite Schicht eine zweite Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenaufweist; und einen gemeinsamen Leiter der ersten Gruppe, der mitjeder der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen und derzweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen verbunden ist.
    [10] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 9, bei der ein Strom,der durch die Regionen des ersten gemeinsamen Leiters fließt, zumindest eineder ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen und der zweitenMehrzahl von magnetischen Speicherzellen thermisch erwärmt, wennzumindest eine der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenund der zweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen ausgewählt ist.
    [11] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 9 oder 10, die fernerfolgende Merkmale umfaßt: einezweite Gruppe von magnetischen Speicherzellen, wobei die zweiteGruppe folgende Merkmale umfaßt: einebenachbart zu dem Substrat gebildete erste Schicht der zweiten Gruppe,wobei die erste Schicht der zweiten Gruppe eine dritte Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen aufweist; eine benachbart zuder ersten Schicht der zweiten Gruppe gebildete zweite Schicht derzweiten Gruppe, wobei die zweite Schicht der zweiten Gruppe eine vierteMehrzahl von magnetischen Speicherzellen aufweist; einen gemeinsamenLeiter der zweiten Gruppe, der mit jeder der dritten Mehrzahl vonmagnetischen Speicherzellen und der vierten Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen verbunden ist.
    [12] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis11, bei der ein Strom, der durch die Regionen des ersten gemeinsamenLeiters fließt, zumindesteine der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen und derzweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen thermisch erwärmt, wennzumindest eine der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenund der zweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen ausgewählt ist.
    [13] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis12, bei der in dem Substrat aktive Bauelemente gebildet sind, dieeine Auswahl der magnetischen Speicherzelle steuern.
    [14] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis13, bei der in dem Substrat aktive Bauelemente gebildet sind, dieein Erfassen von magnetischen Zuständen der magnetischen Speicherzellesteuern.
    [15] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis14, bei der weniger Schreibstrom erforderlich ist, um eine ausgewählte Gruppevon magnetischen Speicherzellen zu beschreiben.
    [16] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis15, bei der weniger Schreibstrom erforderlich ist, um die erste,zweite, dritte und vierte Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenzu beschreiben, falls entsprechende Gemeinsamer-Leiter-Regionenausgewähltsind.
    [17] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 9 bis16, die ferner erste Auswahlleitungen, zweite Auswahlleitungen unddritte Auswahlleitungen umfaßt,wobei die ersten Auswahlleitungen einzelne magnetische Speicherzellender ersten Gruppe auswählenund wobei die zweiten Auswahlleitungen und die dritten Auswahlleitungendie erste und die zweite Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenauswählen.
    [18] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 17, bei der eineerste Auswahlleitung, eine zweite Auswahlleitung und eine dritteAuswahlleitung ausgewähltwerden müssen,um eine magnetische Speicherzelle zu beschreiben.
    [19] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 17, bei der lediglicheine erste Auswahlleitung und eine zweite Auswahlleitung ausgewählt werden müssen, umvon einer magnetischen Speicherzelle zu lesen.
    [20] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 17 bis19, bei der die ersten Auswahlleitungen Spaltenauswahlleitungensind, die zweiten Auswahlleitungen Zeilenfreigabeleitungen sindund die dritten Auswahlleitungen Schreibfreigabeleitungen sind.
    [21] Magnetische Speicherstruktur, die folgende Merkmaleaufweist: eine erste Gruppe von magnetischen Speicherzellen, wobeidie erste Gruppe folgende Merkmale umfaßt: eine benachbart zueinem Substrat (610) gebildete erste Schicht der erstenGruppe, wobei die erste Schicht eine erste Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen aufweist; eine benachbart zu der ersten Schichtgebildete zweite Schicht der ersten Gruppe, wobei die zweite Schichteine zweite Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen aufweist; und einengemeinsamen Leiter der ersten Gruppe, der mit jeder der ersten Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen und der zweiten Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen verbunden ist.
    [22] Magnetische Speicherzelle, die folgende Merkmaleaufweist: eine Referenzschicht (320), die eine voreingestellte Magnetisierungaufweist; eine Barriereschicht (330), die zu der Referenzschicht(320) benachbart ist; eine Erfassungsschicht (340),die eine änderbare Magnetisierungaufweist, wobei die Erfassungsschicht (340) zu der Barriereschicht(330) benachbart ist; eine erste leitfähige Schreibleitung(310), die mit der Referenzschicht (320) elektrischverbunden ist; eine zweite leitfähige Schreibleitung (350),die einen Zwischenraum aufweist, wobei der Zwischenraum durch zumindesteinen Abschnitt der Erfassungsschicht (340) gefüllt ist;wobei: der Schreibstrom, der durch die erste leitfähige Schreibleitung(310) geführtwird, zumindest teilweise durch den Abschnitt der Referenzschicht(320) geführtwird, wobei der Schreibstrom eine Temperatur zumindest entwederder Erfassungsschicht (340) oder der Referenzschicht (320)erhöht.
    [23] Rechensystem, das folgende Merkmale aufweist: eineZentralverarbeitungseinheit; ein Speicherarray, das mit derZentralverarbeitungseinheit elektronisch verbunden ist; wobeidas Speicherarray eine magnetische Speicherstruktur aufweist; eineerste Gruppe von Speicherzellen, wobei die erste Gruppe von Speicherzellenfolgende Merkmale aufweist: die magnetische Speicherstruktur,die folgende Merkmale aufweist: eine Referenzschicht (320),die eine voreingestellte Magnetisierung aufweist; eine Barriereschicht(330), die zu der Referenzschicht (320) benachbartist; eine Erfassungsschicht (340), die eine änderbare Magnetisierungaufweist, wobei die Erfassungs schicht (340) zu der Barriereschicht(330) benachbart ist; eine erste leitfähige Schreibleitung(310), die mit der Referenzschicht (320) elektrischverbunden ist; eine zweite leitfähige Schreibleitung (350),die einen Zwischenraum aufweist, wobei der Zwischenraum durch zumindesteinen Abschnitt der Erfassungsschicht (340) gefüllt ist;wobei: der Schreibstrom, der durch die zweite leitfähige Schreibleitung(350) geführtwird, zumindest teilweise durch den Abschnitt der Erfassungsschicht(340) geführtwird, wobei der Schreibstrom eine Temperatur der Erfassungsschicht(340) erhöht.
    [24] Rechensystem gemäß Anspruch23, das ferner folgende Merkmale aufweist: eine zweite Gruppevon magnetischen Speicherzellen, wobei die zweite Gruppe folgendeMerkmale umfaßt: einebenachbart zu dem Substrat gebildete erste Schicht der zweiten Gruppe,wobei die erste Schicht der zweiten Gruppe eine dritte Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen aufweist; eine benachbart zuder ersten Schicht der zweiten Gruppe gebildete zweite Schicht derzweiten Gruppe, wobei die zweite Schicht der zweiten Gruppe eine vierteMehrzahl von magnetischen Speicherzellen aufweist; einen drittengemeinsamen Leiter, der benachbart zu mindestens einer der drittenMehrzahl von ma gnetischen Speicherzellen und der vierten Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen gebildet ist, wobei der dritte gemeinsameLeiter bewirkt, daß Stromdurch eine Erfassungsschicht der magnetischen Speicherzellen geleitetwird, wodurch zumindest einer der dritten Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen und der vierten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenthermische Wärmebereitgestellt wird; wobei zu einem Zeitpunkt lediglich eineder ersten Gruppe und der zweiten Gruppe ausgewählt werden kann.
    [25] Verfahren zum Beschreiben einer magnetischen Speicherstruktur,wobei die magnetische Speicherstruktur eine benachbart zu einemSubstrat gebildete erste Schicht, wobei die erste Schicht eine ersteMehrzahl von magnetischen Speicherzellen aufweist, eine benachbartzu der ersten Schicht gebildete zweite Schicht, wobei die zweiteSchicht eine zweite Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen aufweist,einen ersten gemeinsamen Leiter, der mit Erfassungsschichten (340)zumindest einer der ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellenund der zweiten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen verbundenist, aufweist, wobei der erste gemeinsame Leiter Strom durch Erfassungsschichten (340)der magnetischen Speicherzellen leitet, wodurch zumindest einerder ersten Mehrzahl von magnetischen Speicherzellen und der zweitenMehrzahl von magnetischen Speicherzellen thermische Wärme bereitgestelltwird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfaßt: Auswählen zumindesteiner Spaltenauswahlleitung; Auswählen zumindest einer Zeilenfreigabeleitung; Auswählen einerSchreibfreigabeleitung, die einen entsprechenden gemeinsamen Leitereinschaltet; und Beschreiben einer magnetischen Speicherzelle,die mit dem gemeinsamen Leiter elektrisch gekoppelt ist.
    [26] Verfahren gemäß Anspruch25, bei dem der gemeinsame Leiter mit einer Mehrzahl von magnetischenSpeicherzellen verbunden ist, und bei dem gleichzeitig die Mehrzahlvon magnetischen Speicherzellen beschrieben wird, wenn der gemeinsame LeiterStrom leitet.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US20050052905A1|2005-03-10|
    US6925003B2|2005-08-02|
    JP2005086203A|2005-03-31|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-04-07| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-03-15| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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