• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von aluminiumhaltigen Schichten. Typische Prozessierungsschritte aluminiumhaltiger Schichten S3 in der Halbleitertechnologie erfordern eine Barriereschicht S2 aus Titan und eine Antireflexschicht S4 aus Titannitrid, welche auf eine untere und eine obere Fläche der aluminiumhaltigen Schicht S3 aufgebracht sind. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die titanhaltigen Schichten mit einem Plasma P1 geätzt, wobei das Plasma P1 vorwiegend halogenhaltige Gase enthält. Die aluminiumhaltige Schicht S3 wird mit einem Plasma P2 geätzt, das vorwiegend halogenhaltiges und ein stickstoffhaltiges Gas enthält. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lagern sich vorteilhafterweise keine übermäßigen Polymer-Ablagerungen an den Grabenwänden 7 ab, wenn die titanhaltigen Schichten geätzt werden.
    公开号:DE102004022402A1
    申请号:DE200410022402
    申请日:2004-05-06
    公开日:2005-12-15
    发明作者:Jens Bachmann
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L21-3213
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum anisotropen Ätzen vonaluminiumhaltigen Substraten.
    [0002] Obwohlprinzipiell auf beliebige Strukturen anwendbar, wird die vorliegendeErfindung sowie die ihr zugrunde liegende Problematik nachfolgendin Bezug auf die Fertigung von metallischen Leiterbahnen in DRAM-Speicherbausteinenerläutert.
    [0003] Esbesteht der Bedarf, in Speicherbausteinen möglichst große Datenmengen in möglichstkurzer Zeit abzuspeichern. Ein Speicherbaustein besteht aus einerVielzahl an Speicherzellen. Jede der Speicherzellen ist über interneLeiterbahnen des Speicherbausteins mit den externen Kontakten des Speicherbausteinsverbindbar. Überdiese Leiterbahnen werden Daten transportiert, welche in dem Speicherbausteinabgelegt werden sollen. Die abzuspeichernden Daten liegen als elektrischeSignale an den externen Kontakten an. Die Transportgeschwindigkeitder Daten hängtsomit von der Ausbreitungsgeschwindigkeit elektrischer Signale inden Leiterbahnen ab. Die Ausbreitungsgeschwindigkeit elektrischerSignale ist in metallischen Leitern am höchsten. Daher besteht ein Interesse,die Leiterbahnen innerhalb eines Speicherbausteins aus Metall anzufertigen.
    [0004] Einbevorzugtes Metall fürLeitungen in Speicherbausteinen ist Aluminium. Der Grund dafür ist, dasssich Aluminium verhältnismäßig einfachprozessieren lässt.
    [0005] ReinesAluminium neigt zur Elektromigration. Das bedeutet, dass während einStrom fließtAluminiumatome transportiert werden. Die transportierten Aluminiumatomelagern sich dann unter anderem in durch die mit Leiterbahnen kontaktierten Bereiche vonHalbleitersubstraten ab. Dies führtunter anderem zu unerwünschtenLeiterbrücken.Dies ist eine Ursache fürAlterungsdefekte von Bauelementen. Durch Beimischen von Siliziumoder Kupfer zu Aluminium wird die Elektromigration des Aluminiumsverringert.
    [0006] Während Wärmebehandlungsschrittender Halbleiterherstellungsverfahren diffundiert Aluminium in angrenzendeHalbleiterschichten. Dies führtzu unerwünschtengalvanischen Verbindungen. Die Diffusion wird durch eine dünne Barriereschichtaus Titan und/oder einer Titan-Wolfram-Legierung zwischen der Halbleiterschichtund der Aluminiumschicht unterbunden.
    [0007] Umdas Aluminium zu strukturieren, wird eine Maske erzeugt. Ein Schrittzur Erzeugung der Maske ist einen Photolack zu belichten, der aufeine Oberflächedes Aluminiums aufgebracht ist. Dabei wird ein Muster einer Maskenvorlageauf den Photolack übertragen.Die Oberflächevon epitaktisch abgeschiedenem Aluminiums ist sehr stark reflektierend.Bei der Belichtung interferieren die reflektieren Lichtstrahlenmit den einfallenden Lichtstrahlen. Dabei bildet sich ein Interferenzmusteraus, welches unter anderem von der Oberflächenbeschaffenheit des Aluminiums,der Dicke der Photolackschicht und der Maskenvorlage abhängt. DasInterferenzmuster verändertunerwünschterweisedas Muster, welches auf den Photolack übertragen wird. Daher ist dieEntstehung von Interferenzmustern zu vermeiden. Dazu wird auf dieOberflächedes Aluminiums eine Antireflexschicht aus Titannitrid abgeschieden.
    [0008] Einetypische Schichtfolge zum Strukturieren von Aluminium und zum Erstellenvon metallischen Leitungen ist in 3 gezeigt.Die Schichtenfolge enthälteine dünneBarriereschicht S2 aus Titan, eine dicke Aluminiumschicht S3 undabschließendeine dünneAntireflexschicht S4 aus Titan und Titannitrid. Die Schichtenfolgeist auf ein isolierendes Substrat S1 aufgebracht. Das Substrat S1isoliert die leitfähige aluminiumhaltigeSchicht S3 von Strukturen (nicht darge stellt) die an die untereFläche 10 derSubstratschicht S1 angrenzen. Vorzugsweise enthält das Substrat S1 Siliziumdioxidoder nichtdotiertes Halbleitermaterial. In 3 ist ein bereits geätzter Graben mit einem Grabenboden 8 undGrabenwänden 7 dargestellt.Auf eine oberste Fläche 6 derAntireflexschicht S4 ist eine Maske S5 aufgebracht. Typischerweisebesteht die Maske S5 aus belichtetem Photolack.
    [0009] Einbeispielhaftes Verfahren ätztdie drei Schichten einstufig mit einem Plasma P2 in einer Reaktionskammer.Das Plasma P2 setzt sich typischerweise aus den Gasen Cl2, BCl3 und N2 zusammen. Dabei werden die Volumenanteileder Gase während des Ätzvorgangskonstant gehalten. Das Reaktionsprodukt AlCl3 ausAluminium und den chlorhaltigen Gasen ist gasförmig und wird aus der Reaktionskammerabgepumpt. Der Zusatz an N2 führt zurBildung von Polymerablagerungen S6 an den Grabenwänden 7.Diese Polymerablagerungen S6 passivieren die Grabenwände undverhindern, dass die Grabenwände 7 durchdie chlorhaltigen Gase geätztwerden. Die Polymerablagerungen S6 im Bereich des Grabenbodens 8 werdenphysikalisch, vorwiegend durch die BCl3-Moleküle abgetragen.Daher wird das Aluminium im Bereich des Grabenbodens 8 durchdie chlorhaltigen Gase geätzt.Die Passivierung der Grabenwändeund der nicht passivierte Boden ermöglichen ein anisotropes Ätzen desAluminiums.
    [0010] EinNachteil des erwähntenVerfahrens ist, dass sich währenddem Ätzender dünnentitanhaltigen Schichten S2, S4 verstärkt Polymer-Ablagerung S6 inden geätztenGräbenbilden. Die Polymerablagerungen S6 müssen für nachfolgende Prozessierungsschritteder Speicherbausteine entfernt werden.
    [0011] Jedochlassen sich diese starken Polymerablagerungen S6 nur schwer entfernen.Des weiteren schälensich währenddes Ätzensdie starken Polymerablagerung S6 teilweise von den Grabenwänden 7.Damit sind die freigelegten Grabenwände 7 dem Ätzgas Cl2 ausgesetzt,was dazu führt,dass dort die Grabenwände 7 geätzt werden.Die Folge ist ein ungleichmäßiges Ätzen derGrabenwände 7.Die verstärktgeätztenBereiche der Grabenwändeführenzu lokal ausdünntenLeiterbahnen. Dies führtzu einer erhöhtenDefektbildung bei Strukturen kleiner Abmessungen.
    [0012] DieAufgabe des erfindungsgemäßen Verfahrensbesteht darin ein verbessertes Verfahren zum anisotropen Ätzen vonaluminiumhaltigen Schichten zu schaffen, wobei die Bildung übermäßig starkerPolymerablagerungen beim Ätzender titanhaltigen Schichten verhindert werden soll.
    [0013] Erfindungsgemäß wird dieseAufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Verfahren gelöst.
    [0014] Mitdem erfindungsgemäßen Verfahrenlässt sichdie Defektrate bei Bauelementen mit metallischen Leiterbahnen reduzieren.
    [0015] Daserfindungsgemäße Verfahren ätzt die Schichtenfolgenicht mit einem Ätzschrittmit einem Plasma, mit vorwiegend konstanter Zusammensetzung derGase, sondern in drei Ätzschrittenmit dazu korrespondierenden Plasmen, welche unterschiedliche Zusammensetzungender Gase aufweisen. Die aluminiumhaltige Schicht wird nach dem allgemein bekanntenVerfahren mit chlorhaltigem und stickstoffhaltigem Gas geätzt. Dabeiwird durch den Anteil des stickstoffhaltigen Gases eine Passivierungder Grabenwändedurch Polymerablagerungen erreicht, welche für ein anisotropes Ätzen deraluminiumhaltigen Schicht notwendig sind. Die titanhaltigen Schichten werdenohne stickstoffhaltiges Gas geätzt.Damit wird die Erzeugung von Polymerablagerung während des Ätzens der titanhaltigen Schichtenvorteilhafterweise verringert.
    [0016] Inden Unteransprüchenfinden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen desin Anspruch 1 angegebenen Verfahrens.
    [0017] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung werden die drei Ätzschritte in einer Reaktionskammerdurchgeführt,wobei die Gasmenge stickstoffhaltiger Gase in der Reaktionskammerderart kontrolliert und eingestellt wird, dass für die Ätzschritte für die titanhaltigenSchichten die Gasmenge stickstoffhaltiger Gase in der Reaktionskammerreduziert wird und fürden Ätzschrittdie Gasmenge stickstoffhaltiger Gase in der Reaktionskammer erhöht wird.
    [0018] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung wird die Gasmenge an stickstoffhaltigemGas fürdie Ätzschritteder titanhaltigen Schichten auf Null reduziert.
    [0019] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung enthältdas stickstoffhaltige Gas vorwiegend N2.
    [0020] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung enthältdas halogenhaltige Gas vorwiegend ein Gasgemisch aus BCl3 und Cl2.
    [0021] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung wird eine jeweilige Dauer des Ätzens korrespondierendenzu mindestens einem der Ätzschrittevorgegeben, wobei die jeweilige Dauer festlegt, wie lange die Schichtenfolgemit dem Plasma des korrespondierenden Ätzschrittes geätzt wird.
    [0022] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung wird jeweils ein Endpunkt korrespondierendzu mindestens einem der Ätzschrittedurch eine Endpunktkontrolle signalisiert, wobei der jeweilige Endpunkt festlegt,wann das Ätzender Schichtenfolge mit dem Plasma des jeweiligen Ätzschrittesbeendet wird.
    [0023] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung signalisiert die Endpunktkontrolle denEndpunkt füreinen jeweiligen Schritt der Schritte, wenn ein oder mehrere Ätzproduktedes Plasmas des jeweiligen Schrittes mit einem oder mehreren Materialiender freigeätztenSchicht unterhalb der zu ätzenden Schichtdes jeweiligen Schrittes nachgewiesen werden, wobei die unterhalb derzu ätzendenSchicht des jeweiligen Schrittes, die Schicht ist, auf welcher die zu ätzende Schichtdes jeweiligen Schrittes unmittelbar aufgebracht wurde.
    [0024] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung enthältdas aluminiumhaltige Material vorwiegend Aluminium, welchem zurvorteilhaften Verringerung der Elektromigration Kupfer und/oderSilizium beigemischt ist.
    [0025] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung setzen sich die vierte Schicht und/oderdie zweite Schicht aus mehreren Teil-Schichten zusammen. Die Teil-Schichtenenthalten vorwiegend Titan und/oder titanhaltige Materialien. Eintypisches titanhaltiges Material ist Titannitrid.
    [0026] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung enthältmindestens eines der verwendeten Plasmen ein methanhaltiges Gas.Das methanhaltige Gas stellt typischerweise Kohlenwasserstoffmonomere zurBildung der Polymerschicht zur Verfügung, welche zur Passivierungder Grabenwändebenötigt wird.
    [0027] Gemäß einerbevorzugten Weiterbildung enthältmindestens eines der verwendeten Plasmen ein edelgashaltiges Gas.Edelgashaltige Gase dienen typischerweise dem physikalischen Abtragender Polymerablagerungen im Bereich des Grabenbodens und ermöglichenvorteilhafterweise eine Erhöhungdes anisotropen Charakters des Ätzverfahrens.
    [0028] Ausführungsformender Erfindung sind unter Verwendung der Zeichnungen in der nachfolgenden Beschreibungnäher erläutert.
    [0029] Eszeigen:
    [0030] 1 eineschematische Darstellung eines Teilschnittes einer maskierten Schichtenfolgezum Ätzengemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung;
    [0031] 2a–c eineschematische Darstellung von Teilschnitten der Schichtenfolge während der Prozessierunggemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung; und
    [0032] 3 eineschematische Darstellung eines Teilschnittes einer Schichtenfolgen,welche mit einem beispielhaften Verfahren geätzt wurden.
    [0033] Inden Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleicheBestandteile.
    [0034] 1 zeigteine Darstellung eines Teilschnittes einer maskierte Schichtenfolgezum Ätzengemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung. Es ist eine aluminiumhaltige SchichtS3 gezeigt. Die Schicht S3 besteht bevorzugt aus einer Aluminiumkupferlegierungoder Aluminium mit beigemengtem Silizium. Eine Schicht S1 ist auseinem nichtleitenden Substrat, vorzugsweise Siliziumdioxid odernichtdotiertem Halbleitermaterial. Zwischen der SubstratschichtS1 und der aluminiumhaltigen Schicht S3 befindet sich eine dünne Barriereschicht S2.Die Barriereschicht S2 besteht aus Titan.
    [0035] DieBarriereschicht S2 verhindert, dass während Wärmebehandlungsschritten derHalbleitertechnologie Aluminium aus der Schicht S3 in das Substrat S1diffundiert. Eine Maske S5 ist auf die Schichtenfolge aufgebracht.Die Maske S5 besteht aus belichtetem Photolack. Zwischen der MaskeS5 und der aluminiumhaltigen Schicht S3 befindet sich eine AntireflexschichtS4. Die Antireflexschicht S4 besteht aus einer dünnen Lage Titan und Titannitrid.Die Antireflexschicht S4 verhindert, dass sich beim Belichten desPhotolacks Interferenzen ausbilden. Die sonst entstehenden Interferenzmusterwürdendie Belichtung des Photolacks mit beeinflussen und damit würde eineMaske S5 erzeugt, die nicht einer gewünschten Maskenvorlage entspricht.
    [0036] 2a zeigteine Darstellung einer Teilschnitts der Schichtenfolge aus 1.Die Schichtenfolge ist in eine Reaktionskammer eingebracht. EinPlasma P1 enthältCl2-haltige und BCl3-haltige Gase.Die Gase des Plasmas bewegen sich senkrecht auf die oberste Fläche 6 derSchichtenfolge zu. In den nicht maskierten Bereichen reagieren die Gasemit der Antireflexschicht S4. Die Dauer des Ätzens mit dem Plasma P1 istso eingestellt, dass die nicht maskierten Bereiche der AntireflexschichtS4 überden gesamten Bereich des Substrats weggeätzt werden. Die vorliegendeAusführungsformdes erfindungsgemäßen Verfahrenssieht vor die Dauer des Ätzensmit dem Plasma P1 fest vorzugegeben. Bei einer weiteren vorteilhaftenAusführungsformwird das Ätzenmit dem Plasma P1 dann beendet, wenn auf geeignete Weise Reaktionsproduktedes Plasmas P1 mit der aluminiumhaltigen Schicht S3 nachgewiesenwerden.
    [0037] Eineweitere Ausführungsformbeendet das Ätzenmit dem Plasma P2, wenn ein Großteilder Antireflexschicht S4 geätztist. Dies ist insbesondere dann von Interesse, wenn die Uniformität des Ätzprozesses über diegesamte Schichtenfolge gering ist. Beim Ätzen der aluminiumhaltigenSchicht S3 mit dem stickstoffarmen oder stickstofffreien PlasmaP2 lagern sich keine passivierenden Polymer-Ablagerungen an denGrabenwändenab. Dies würdezu einem Unterätzenführen.Hierbei mag es vorteilhafter sein, verbliebene Anteile der titanhaltigenAntireflexschicht S4 mit einem stickstoffhaltigen Plasma zu ätzen undverstärktePolymer-Ablagerungen zu tolerieren.
    [0038] DernächsteSchritt zum Ätzender Aluminiumkupferlegierung ist in 2b gezeigt.Nach der geeignet gewähltenDauer fürden ersten Ätzschritt wirddie Zusammensetzung der Gase des Plasmas geändert. Ein Plasma P2 enthält zusätzlich zuden Gasen des Plasmas P1 ein stickstoffhaltiges Gas.
    [0039] DerStickstoffzusatz lässtPolymer-Ablagerungen an den Grabenwänden des geätzten Grabens entstehen. DiesePolymer-Ablagerungensind eine Schlüsseleigenschaftdes anisotropen Ätzprozessesvon aluminiumhaltigen Substraten. Die Polymer-Ablagerungen passivieren die Grabenwände 7. AmGrabenboden 8 lagern sich keine Polymere ab, da diese dortphysikalisch durch das Plasma P2, vor allem durch BCl3 abgetragenwerden. Damit wird selektiv das Substrat im Bereich des Grabenbodens 8 geätzt.
    [0040] DieStärkeder Polymer-Ablagerung an den Grabenwänden 7 des Grabenslässt sichdurch Erhöhendes Stickstoff-Anteils in dem Gasgemisch erhöhen. Die Polymer-Ablagerungenwerden in einem weiteren Prozessierungsschritt der Halbleitertechnologieentfernt. Dabei ist vorteilhaft, wenn die Polymer-Ablagerungen sichleicht entfernen lassen. Hierbei wirkt sich unter anderem eine übermäßige Stärke derPolymer-Ablagerungen negativ aus. Daher ist es notwendig, die Stickstoff-Konzentration soeinzustellen, dass sich nicht zu viele Polymere an den Grabenwänden anlagern,andererseits muss eine ausreichend dicke Polymerschicht gewährleistetsein, um eine Passivierung der Grabenwände zu erreichen.
    [0041] DasSchichtenfolge wird so lange mit dem Plasma P2 geätzt, bisan einer Stelle der Schichtenfolge die titanhaltige BarriereschichtS2 freigelegt ist. Dies erfolgt zeitgesteuert, indem man die Dauerdes Ätzschrittesmit dem Plasma P2 geeignet festlegt. Eine andere Ausführungsformsieht eine Endpunktkontrolle vor. Bei einer Endpunktkontrolle werdenReaktionsprodukte der Ätzgasemit der Schichtenfolge mit geeigneten Verfahren analysiert. WennReaktionsprodukte mit der Ätzgasemit der Barriereschicht S2 nachgewiesen werden, ist gezeigt, dassdie aluminiumhaltige Schicht S3 zumindest in einem Bereich weggeätzt ist.Erfolgt der Nachweis der Ätzproduktemit der Barriereschicht S2 wird das Ätzen mit dem Plasma P2 entwedersofort beendet oder die Schicht S3 noch für eine vorgegebene Dauer überätzt. Das Überätzen istzum Teil notwendig, da die Uniformität des Ätzens über die gesamte Schichtenfolgebegrenzt ist.
    [0042] Dernächste Ätzschrittist in 2c dargestellt. Die BarriereschichtS2 aus Titan wird wie die Antireflexschicht S4 mit dem Plasma P1geätzt.Dazu ist der Stickstoff-Anteil in dem Gasgemisch des Plasmas zureduzieren. Dieser Ätzschritterfolgt so lange, bis überdie gesamte Schichtenfolge die Barriereschicht S2 geätzt ist.Nun sind der rechte und der linke Bereich der Schicht S3, wie in 2c dargestellt, galvanischvoneinander isoliert. Hierbei ist zu beachten, dass dazu die BarriereschichtS2 vollständiggeätztsein muss, da diese ebenfalls leitfähig ist.
    [0043] DerVorteil die Schichtfolge S4, S3, S3 in drei statt in einem Schrittzu ätzenist, dass währenddem Ätzender Schichten S2 und S4 keine oder nur in geringem Maße Polymerablagerungenentstehen.
    [0044] Obwohldie vorliegende Erfindung vorstehend anhand von bevorzugten Ausführungsformen beschriebenwurde, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auf vielfältige Artund Weise modifizierbar.
    [0045] Zusätzlich zuden erwähntenGasen lassen sich zusätzlichedelgashaltige Gase verwenden. Die edelgashaltigen Gase erhöhen dasanisotrope Ätzverhalten,indem sie bevorzugt Polymer-Ablagerungenim Bereich des Grabenbodens 7 physikalisch abtragen.
    [0046] Zusätzlich zuden erwähntenGasen lässt sichzusätzlichoder statt der chlorhaltigen Gase ein fluorhaltiges Gas zum Ätzen derBarriereschicht S2 und/oder der Antireflexschicht S4 verwenden.
    S1 Schichtaus isolierendem Substrat S2 Barriereschicht S3 aluminiumhaltigeSchicht S4 Antireflexschicht S5 Maske S6 Polymer-Ablagerungen 6 obersteFläche 7 Grabenboden 8 Grabenwand 10 untersteFläche P1 stickstoffarmesoder stickstofffreies Plasma P2 Plasmamit stickstoffhaltigem Gas
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] Verfahren zum Trockenätzen einer Schichtenfolge,welche aufweist: eine erste Schicht (S1), welche ein isolierendesSubstrat enthält,eine zweite Schicht (S2), welche vorwiegend titanhaltige Materialenenthält,die auf die erste Schicht (S1) aufgebracht ist, eine dritte Schicht(S3), welche vorwiegend Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung enthält, dieauf die zweite Schicht (S2) aufgebracht ist, und eine vierte Schicht(S4), welche vorwiegend titanhaltige Materialen enthält, dieauf die dritte Schicht (S3) aufgebracht ist, mit folgenden Schritten: a)Aufbringen einer Maske (S5) auf die vierte Schicht (S4); b) Ätzen dernichtmaskierten Bereiche der vierten Schicht (S4) in einem erstenPlasma (P1), wobei sich das Plasma erste (P1) vorwiegend aus halogenhaltigenGasen zusammensetzt; c) Ätzender dritten Schicht (S3) in einem zweiten Plasma (P2), wobei sichdas zweite Plasma (P2) aus halogenhaltigen und stickstoffhaltigenGasen zusammensetzt; und d) Ätzen der zweiten Schicht (S2)in einem dritten Plasma (P1).
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das dritte Plasma(P1) gleich dem ersten Plasma (P3) ist.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schritteb), c) und d) in einer Reaktionskammer durchgeführt werden, wobei die Gasmengestickstoffhaltiger Gase in der Reaktionskammer derart kontrolliertund eingestellt wird, dass fürdie Schritte b) und d) die Gasmenge stickstoffhaltiger Gase in derReaktionskammer reduziert wird und für den Schritt c) die Gasmengestickstoffhaltiger Gase in der Reaktionskammer erhöht wird.
    [4] Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Gasmenge anstickstoffhaltigem Gas in der Reaktionskammer für die Schritte b) und/oderd) auf Null reduziert wird.
    [5] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeidas stickstoffhaltige Gas vorwiegend N2 ist.
    [6] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeidas halogenhaltige Gas vorwiegend ein Gasgemisch aus BCl3 und Cl2 ist.
    [7] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeijeweils eine Dauer korrespondierend zu mindestens einem der Schritteb), c) oder d) vorgegeben wird, wobei die jeweilige Dauer festlegt, wielange die Schichtenfolge mit dem Plasma des jeweiligen Schrittesgeätztwird.
    [8] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeijeweils ein Endpunkt korrespondierend zu mindestens einem der Schritteb), c) oder d) durch eine Endpunktkontrolle signalisiert wird, wobeider jeweilige Endpunkt festlegt, wann das Ätzen der Schichtenfolge mitdem Plasma des jeweiligen Schrittes beendet wird.
    [9] Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Endpunktkontrolleden Endpunkt füreinen jeweiligen Schritt der Schritte b), c) oder d) signalisiert,wenn ein oder mehrere Ätzproduktedes Plasmas des jeweiligen Schrittes mit einem oder mehreren Materialien derfreigeätztenSchicht unterhalb der zu ätzenden Schichtdes jeweiligen Schrittes nachgewiesen werden, wobei die unterhalbder zu ätzendenSchicht des jeweiligen Schrittes, die Schicht ist, auf welcher die zu ätzende Schichtdes jeweiligen Schrittes unmittelbar aufgebracht wurde.
    [10] Verfahren nach einem der vorliegenden Ansprüche, wobeidas aluminiumhaltige Material vorwiegend aus Aluminium besteht,welchem Kupfer und/oder Silizium beigemischt sind.
    [11] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeidie vierte Schicht und/oder die zweite Schicht sich aus mehrerenTeil-Schichten zusammensetzten, wobei diese Teil-Schichten vorwiegend Titan und/odertitanhaltige Materialien enthalten.
    [12] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeiin mindestens einem der Schritte b) bis d) ein methanhaltiges Gasin dem Plasma enthalten ist.
    [13] Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeiin mindestens einem der Schritte b) bis d) ein oder mehrere edelgashaltigeGase in dem Plasma enthalten sind.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    JP3400770B2|2003-04-28|エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
    KR101029947B1|2011-04-19|플라즈마 에칭 성능 강화를 위한 방법
    KR101555397B1|2015-09-23|포토레지스트 마스크 전처리를 갖는 플라즈마 프로세스
    US6042999A|2000-03-28|Robust dual damascene process
    US8268118B2|2012-09-18|Critical dimension reduction and roughness control
    CN1139971C|2004-02-25|具有多层布线的半导体器件的制造方法
    KR101082993B1|2011-11-11|레지스트용 박리제조성물 및 반도체장치의 제조방법
    US4545852A|1985-10-08|Planarization of dielectric films on integrated circuits
    US7067435B2|2006-06-27|Method for etch-stop layer etching during damascene dielectric etching with low polymerization
    JP3248492B2|2002-01-21|半導体装置及びその製造方法
    US6309955B1|2001-10-30|Method for using a CVD organic barc as a hard mask during via etch
    CN100477135C|2009-04-08|一种在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度的方法及其半导体器件
    CN105990126A|2016-10-05|用于制造半导体器件的方法
    US7241683B2|2007-07-10|Stabilized photoresist structure for etching process
    CN1146967C|2004-04-21|用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术
    DE69837313T2|2007-12-20|Verfahren zur Herstellung von koplanaren Metal/isolierenden mehrlagigen Schichten unter Verwendung eines damaszenen Prozesses mit fliesfähiger Opferoxyd
    US6245658B1|2001-06-12|Method of forming low dielectric semiconductor device with rigid, metal silicide lined interconnection system
    EP1280197B1|2010-02-17|Herstellung einer Doppel-Damaszener-Struktur
    JP4293752B2|2009-07-08|半導体装置の製造方法
    EP0284795A2|1988-10-05|Verfahren zum anisotropischen Ätzen von Wolframschichten
    KR20010072034A|2001-07-31|집적회로에 있어서 배선구조 형성방법
    US5219791A|1993-06-15|TEOS intermetal dielectric preclean for VIA formation
    US7125793B2|2006-10-24|Method for forming an opening for an interconnect structure in a dielectric layer having a photosensitive material
    JP2006013190A|2006-01-12|半導体装置の製造方法
    KR19990082633A|1999-11-25|반도체 웨이퍼를 에칭하기 위한 방법과 장치
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004022402B4|2007-03-15|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-12-15| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-09-13| 8364| No opposition during term of opposition|
    2007-09-27| 8327| Change in the person/name/address of the patent owner|Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
    2010-03-25| 8339| Ceased/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE200410022402|DE102004022402B4|2004-05-06|2004-05-06|Verfahren zum anisotropen Ätzen von aluminiumhaltigen Substraten|DE200410022402| DE102004022402B4|2004-05-06|2004-05-06|Verfahren zum anisotropen Ätzen von aluminiumhaltigen Substraten|
    [返回顶部]