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    • 专利摘要:
    Ungleichförmigkeitund Bildverkürzungwerden in einem auf ein Substrat belichteten Bild wesentlich reduziert,und zwar unter Verwendung einer photolithographischen Maske, beider die Maskenstruktur mindestens ein Array aus Linien und Spaltenneben mindestens einem transparenten Gebiet enthält. Mindestens ein Linienstrukturmerkmalist in das transparente Gebiet der Maskenstruktur integriert undist in der Nähedes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet. Das Linienstrukturmerkmalweist eine Linienbreite auf, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems. Das Bild wird belichtet durch Beleuchtender photolithographischen Maske und Projizieren von durch die photolithographischeMaske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung des optischen Projektionssystems.
    公开号:DE102004021151A1
    申请号:DE102004021151
    申请日:2004-04-29
    公开日:2005-02-24
    发明作者:Thimoty Allan Ridgefield Brunner；Shahid Butt；Patrick Speno；Chung-Hsi Wu
    申请人:Infineon Technologies AG；International Business Machines Corp；
    IPC主号:G03C5-00
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft photolithographische Prozesse undMasken, wie sie fürdie Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, undinsbesondere photolithographische Prozesse und Masken zum Belichtenvon Strukturmerkmalen im Submikrometerbereich auf ein Substrat.
    [0002] Beiexistierenden optischen photolithographischen Prozessen wird einephotolithographische Maske mit verschiedenen Strukturen, die aufein Substrat belichtet werden sollen, von einer Lichtquelle beleuchtet.Das Licht wird durch die Öffnungenin der Maske übertragenund von einer Projektionslinse gesammelt, die die Maskenstrukturen,in der Regel mit einem vorbestimmten Verkleinerungsverhältnis, aufeinen Wafer oder ein anderes in der Bildprojektionsebene angeordnetesSubstrat abbildet. Das fokussierte Bild belichtet eine oder mehrereFotolackschichten, die zuvor auf den Wafer aufgetragen wurden, undder belichtete Lack wird dann mit einer Entwicklerlösung entwickelt.Der Entwickler entfernt die belichteten Teile der Resistschicht,wenn ein Positiv-Lack verwendet wird, und entfernt die unbelichtetenTeile des Lacks, wenn ein Negativ-Lack verwendet wird. Dadurch wirddie Maskenstruktur im wesentlichen auf den Lack übertragen und kann zum Maskierennachfolgender Ätz-oder Dotierschritte verwendet werden.
    [0003] Mitder Einführungneuerer Generationen von dichter gepackten und/oder schnellerenBauelementen müssenkleinere Strukturmerkmale auf die Oberfläche des Wafers belichtet werden,was die Grenzen der optischen Photolithographie ausdehnt. Die optischenphotolithographischen Systeme und Lacke müssen in Bereichen mit nichtlinearemVerhalten arbeiten, was oftmals die Steuerung kritischer Abmessungender belichteten Strukturmerkmale verschlechtert. Weiterhin werden,da sich die Größe der Strukturmerkmaleder Wellenlängeder zum Beleuchten der Maske verwendeten Lichtquelle annähert oderkleiner wird als diese, zudem in die belichteten Strukturen optischeVerzerrungen eingeführt.Die optischen Verzerrungen verursachen Abweichungen bei den kritischenAbmessungen der belichteten Strukturmerkmale, die zu der Dichte,Größe und Anordnungihrer benachbarten Strukturmerkmale in Beziehung stehen. Als Beispielsind Arrays aus Linien und Spalten, die an einen transparenten Bereichangrenzen, oftmals den als „Überstrahlung" bekannten Effektenvon Licht ausgesetzt, das von dem transparenten Bereich in das Gebietdes Arrays gestreut wird, was eine Ungleichförmigkeit in den Linienbreitendes Arrays als Funktion der Entfernung vom transparenten Bereichverursachen kann. Zudem hängtder Grad an Ungleichförmigkeitin den Linienbreiten weiterhin auch von der Größe des Arrays ab. Als weiteresBeispiel sind Arrays aus dichten Linien und Spalten mit versetztenLinienenden oftmals für eineLinienendenverkürzunganfällig,die durch kleine Änderungenbei der Fokussierung der Maskenstruktur verursacht wird. Die Ungleichförmigkeitbei der kritischen Abmessung und die Linienendenverkürzung kanneinen vergrößerten Kontaktwiderstandsowie Unterbrechungen in dem fertiggestellten Bauelement hervorrufen.
    [0004] Einbekannter Ansatz, der diese Probleme anspricht, besteht darin, dieverwendeten Beleuchtungsbedingungen beim Belichten der Maske zujustieren, wie etwa das Justieren der räumlichen Kohärenz, desBeleuchtungswinkels, des Grads der Defokussierung und der Belichtungszeit.Die optimalen Beleuchtungsbedingungen zum Reduzieren der Linienverkürzung undUngleichförmigkeitsind jedoch oftmals nicht die besten Bedingungen für die Auflösung derbelichteten Strukturmerkmale.
    [0005] Einweiterer bekannter Ansatz besteht darin, den Maskenvorhalt zu justieren.Die Kanten der Strukturmerkmale auf der Maske werden vergrößert, umdie Linienverkürzungoder Ungleichförmigkeitin der belichteten Struktur auf dem Wafer zu kompensieren. Während dieBauelementdichte zunimmt und die Strukturmerkmalgrößen weiterschrumpfen, besteht jedoch oftmals nicht ausreichend Platz zwischenbenachbarten Strukturmerkmalen auf der Maske, um die Kanten zu vergrößern, damitdiese Abweichungen ausreichend kompensiert werden.
    [0006] Einweiterer bekannter Ansatz besteht darin, als Serife bekannte Formenzu der Maskenstruktur hinzuzufügen,um in den Bereichen Licht zu addieren oder zu subtrahieren, in deneneine Linienverkürzung odereine Eckenabrundung auftritt, was die Verkürzung oder Abrundung kompensiert.Diese Technik ist jedoch mit dem Nachteil verbunden, daß die Serife sehrklein sind und die Untersuchung und das Schreiben der Maske sehrschwierig gestalten. Außerdem kannjedes Strukturmerkmal möglicherweisemehrere Serife erfordern, wodurch die Daten, die in dem Maskenschreibsystembeim Herstellen einer derartigen Maske gespeichert werden müssen, starkzunehmen. Außerdemverliert die Verwendung von Serifen bei abnehmenden Strukturmerkmalgrößen an Effektivität.
    [0007] Eineweitere bekannte Alternative ist in dem US-Patent Nr. 6,451,490B1 mit dem Titel „MethodTo Overcome Image Shortening By Use Of Sub-Resolution Reticle Features" an W.H. Advocateet al. beschrieben, dessen Offenbarung durch Bezugnahme hier aufgenommenist. Um das Problem der Bildverkürzungvon dichten Arraystrukturen anzusprechen, werden zu der MaskenstrukturStrukturmerkmale hinzugefügt,die kleiner sind als das Auflösungsvermögen desphotolithographischen Systems und die als Hilfsstrukturmerkmaleunterhalb der Auflösungbekannt sind und zu mindestens einem Strukturmerkmal der dichtenArraystruktur senkrecht orientiert sind. Die Hilfsstrukturmerkmaleunterhalb der Auflösungweisen eine geringere Breite auf als die des Strukturmerkmals derArraystruktur und werden nicht auf den Wafer belichtet. Die beschriebenenHilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung sind jedoch entweder inden Spalten zwischen den Strukturmerkmalen der dichten Arraystrukturangeordnet oder schneiden die Strukturmerkmale der dichten Arraystrukturund reduzieren deshalb die Ungleichförmigkeit nicht signifikantund sind zum Minimieren der Linienverkürzung nicht optimal angeordnet.
    [0008] Esist deshalb wünschenswert,die Linienverkürzungoder Ungleichförmigkeitin belichteten Arrays auf eine Weise zu reduzieren, durch die dieobigen Nachteile vermieden werden.
    [0009] Dievorliegende Erfindung betrifft das Problem der Ungleichförmigkeitund Linienverkürzungin aus Linien und Spalten bestehenden Arrays durch Integrieren vonHilfsstrukturmerkmalen unterhalb der Auflösung in die transparenten Gebiete,die die aus Linien und Spalten bestehenden Arrays umgeben.
    [0010] Gemäß einesAspekts der Erfindung werden Ungleichförmigkeit und Bildverkürzung ineinem auf ein Substrat belichteten Bild erheblich reduziert, und zwarunter Verwendung einer photolithographischen Maske mit einer Maskenstruktur,die mindestens ein aus Linien und Spalten bestehendes Array neben mindestenseinem transparenten Gebiet enthält.Das Bild wird belichtet durch Beleuchten der photolithographischenMaske und Projizieren von durch die photolithographische Maske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystems.Mindestens ein Linienstrukturmerkmal ist in das transparente Gebietder Maskenstruktur integriert. Das Linienstrukturmerkmal ist inder Nähedes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet und weist eine Linienbreiteauf, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [0011] Gemäß einesweiteren Aspekts der Erfindung wird unter Verwendung eines optischenProjektionssystems ein Strukturmerkmal auf ein Substrat belichtet.Eine photolithographische Maske wird unter Verwendung einer Lichtquellebestrahlt. Die Maske weist eine Struktur auf, die mindestens einArray aus Linien und Spalten neben mindestens einem transparentenGebiet enthält,und ein im transparenten Gebiet angeordnetes Linienstrukturmerkmal.Das Linienstrukturmerkmal befindet sich in der Nähe des Arrays aus Linien undSpalten und weist eine Linienbreite auf, die kleiner ist als einekleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems. Durch die photolithographische Maske übertragenesLicht wird unter Verwendung des optischen Projektionssystems auf dasSubstrat projiziert.
    [0012] Gemäß einesweiteren Aspekts der Erfindung wird eine photolithographische Maskezur Verwendung in einem optischen Projektionssystem ausgebildet.Es wird eine Maskenstruktur bereit gestellt, die mindestens ein Arrayaus Linien und Spalten neben mindestens einem transparenten Gebietenthält. Mindestensein Linienstrukturmerkmal wird in das transparente Gebiet der Maskenstrukturintegriert. Das Linienstrukturmerkmal ist in der Nähe des Arrays ausLinien und Spalten angeordnet und weist eine Linienbreite auf, diekleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [0013] Gemäß noch einesweiteren Aspekts der Erfindung wird eine photolithographische Maskein einem optischen Projektionssystem verwendet. Eine Maskenstrukturenthältmindestens ein Array aus Linien und Spalten neben mindestens einemtransparenten Gebiet. Mindestens ein Linienstrukturmerkmal wirdin dem transparenten Gebiet der Maskenstruktur angeordnet. Das Linienstrukturmerkmalist in der Nähedes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet und weist eine Linienbreiteauf, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [0014] Gemäß der obigenAspekte der Erfindung könnenbenachbarte Linien des Arrays aus Linien und Spalten versetzte Endenaufweisen. Das Linienstrukturmerkmal kann parallel zu den Liniendes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet sein, oder es kannin einer Richtung senkrecht zu den Linien des Arrays aus Linienund Spalten angeordnet sein. Das transparente Gebiet kann sich nebeneiner Längsseiteeiner Linie des Arrays aus Linien und Spalten oder neben einem Endeder Linien des Arrays aus Linien und Spalten befinden. Das transparenteGebiet der Maskenstruktur kann eine Öffnung in einem opaken Gebiet,einem teildurchlässigenGebiet oder einem phasenschiebenden Gebiet sein. Mehrere der Linienstrukturmerkmalekönnenjeweils parallel zueinander angeordnet sein, und die Linien strukturmerkmalekönnenin einem Gebiet mit einer Breite von mindestens 2 μm angeordnetsein.
    [0015] Dievorausgegangenen Aspekte, Merkmale und Vorteile der vorliegendenErfindung lassen sich weiter würdigen,wenn sie unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung der bevorzugtenAusführungsformenund beiliegenden Zeichnungen betrachtet werden.
    [0016] 1 ist ein Diagramm, daseinen Teil einer photolithographischen Maskenstruktur zeigt, inder ein Array aus Linien und Spalten in einem transparenten Gebietangeordnet ist.
    [0017] 2 veranschaulicht einenTeil eines unter Verwendung der Maskenstruktur von 1 belichteten Arrays aus Linien und Spalten.
    [0018] 3 ist eine graphische Darstellung,die die gemessenen Linienbreiten der Linien des Arrays aus Linienund Spalten von 2 zeigt.
    [0019] 4A veranschaulicht die Endeneines unter Verwendung der Maskenstruktur von 1 belichteten Arrays aus Linien und Spalten,wenn die Maskenstruktur optimal auf das Substrat fokussiert ist;und 4B veranschaulichtdie Enden eines unter Verwendung der Maskenstruktur von 1 belichteten Arrays ausLinien und Spalten, wenn die Maskenstruktur auf dem Substrat um0,3 μm unscharfist.
    [0020] 5 ist ein Diagramm, daseinen Teil einer Maskenstruktur gemäß der Erfindung zeigt, beider Hilfsstrukturmerkmale un terhalb der Auflösung in den das Array aus Linienund Spalten umgebenden transparenten Bereichen eingefügt sind.
    [0021] 6 ist eine graphische Darstellung,die die Breite der Linien des Arrays aus Linien und Spalten zeigt,wenn das Array aus Linien und Spalten von einem transparenten Gebietumgeben ist und wenn die Hilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung in demtransparenten Gebiet eingefügtsind.
    [0022] 1 zeigt einen Teil einerphotolithographischen Maske, bei der eine Arraystruktur 102 ausLinien und Spalten auf allen Seiten von einem transparenten Gebiet 104 begrenztist. Die Enden benachbarter Linien 106, 108 können soversetzt sein, daß sichdie Enden der Linien 106 weiter in das transparente Gebieterstrecken als die Enden der Linien 108.
    [0023] Wenndie Strukturen auf der Maske Abmessungen aufweisen, die sich für das Belichtenvon Strukturmerkmalen in Submikrometergröße eignen, sind die auf dasSubstrat belichteten Strukturmerkmale oftmals für verschiedene Probleme hinsichtlich Ungleichförmigkeitund/oder Linienverkürzunganfällig,die durch Licht verursacht werden, das durch die transparenten Gebiete übertragenund in dem Array gestreut wird. Als Beispiel kann ein transparentes Gebiet,das entlang einer Seite eines Arrays aus Linien und Spalten angeordnetist, nämlichentlang der Längsseiteder Linien des Arrays, in die Abmessungen der belichteten Liniendes belichteten Arrays Ungleichförmigkeiteneinführen.Außerdemist die Ungleichförmigkeitbei kleinere Linien und Spalten aufweisenden Arrays ausgeprägter alsbei größere Linienund Spalten aufweisenden Arrays. Als weiteres Beispiel bewirkt einan den Enden des Arrays aus Linien und Spalten angeordneter transparenterBereich, daß diebelichteten Strukturmerkmale gegenüber Fokussierungsabweichungenempfindlicher sind.
    [0024] 2 zeigt eine Rasterelektronenmikrofotographie(SEM) eines Teils eines Arrays aus Linien und Spalten, das unterVerwendung einer Maske belichtet wird, in der sich die aus Linienund Spalten umfassende Struktur neben einem transparenten Bereichbefindet. Das Überstrahlenoder das von den transparenten Bereichen gestreute Licht erzeugtin den Linienbreiten der belichteten Linien eine Ungleichförmigkeit,so daß Linie 202,die dem transparenten Bereich am nächsten liegt, signifikant breiter erscheintals die gewünschteBreite. Die benachbarten Linien 204, 206, 208, 210 erscheinenwegen des von den Linien weg gestreuten Lichts kleiner als erwünscht. ImGegensatz erscheinen die Linien in der Mitte des Arrays bei oderin der Näheder gewünschtenLinienbreite.
    [0025] 3 veranschaulicht die gemessenenLinienbreiten der in 2 gezeigtenLinien. Der äußerste 2 μm-Teil desArrays aus Linien und Spalten wird von der Überstrahlung am meisten beeinflußt, so daß die demtransparenten Gebiet am nächstenliegende Linie signifikant breiter ist als die übrigen Linien und die übrigen Linieninnerhalb des 2 μm-Gebietskleiner sind als die gewünschteLinienbreite.
    [0026] Die 4A und 4B veranschaulichen die Empfindlichkeitder belichteten Linienenden des Arrays aus Linien und Spalten gegenüber einerDefokussierung, die von Licht verursacht wird, das von einem inder Näheder Linienenden angeordneten transparenten Gebiet gestreut wird.
    [0027] 4A ist eine SEM, die dieEnden eines Arrays aus Linien und Spalten zeigt, das unter Verwendungeiner Maske belichtet wurde, in der die Enden benachbarter Linienversetzt sind. Die Struktur wird so belichtet, daß sich dasvon der Maske projizierte Bild in seiner optimalen Brennpunktpositionauf dem Substrat befindet. Somit zeigt die belichtete Struktur gleichermaßen dieversetzten Linienenden, die ebenfalls in der Maskenstruktur vorliegen.Im Gegensatz dazu zeigt 4B diegleiche belichtete Maskenstruktur, wobei das projizierte Bild bezüglich derEbene des Substrats um etwa 0,3 μmunscharf ist. Die Unschärfebewirkt, daß dieversetzten Linienenden der Maskenstruktur nicht auf der belichtetenStruktur erscheinen, so daß alleLinien die gleiche Längeaufzuweisen scheinen.
    [0028] Umdie Ungleichförmigkeitin der Linienbreite und die Linienendenverkürzung zu reduzieren, die durchvon den transparenten Bereichen neben dem Array aus Linien und Spaltengestreutem Licht verursacht werden, führt die Erfindung in die transparentenBereiche ein oder mehrere Hilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung ein.Als Beispiel werden in die transparenten Bereiche eine oder mehreredurchgezogene Linien aufgenommen, um die Effekte eines Arrays ausLinien und Spalten zu emulieren. Die Linien sind schmaler als dieAuflösungsgrenzedes optischen Projektionssystems, so daß die Linien nicht belichtetwerden und stattdessen nur der gewünschte transparente Bereichauf dem Substrat erscheint.
    [0029] 5 zeigt einen Teil einerMaskenstruktur, bei der in die transparenten Bereiche gemäß der ErfindungHilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung integriert sind. Ein Arrayaus Linien und Spalten wird von einem transparenten Gebiet 504 begrenzt. Indem Teil des transparenten Gebiets entlang der Länge der Linien sind Hilfsstrukturmerkmale 506 unterhalbder Auflösungausgebildet und parallel zu den Linien des Arrays aus Linien undSpalten orientiert. Bevorzugt ist ein mindestens 2 μm breitesGebiet mit den Hilfsstrukturmerkmalen unterhalb der Auflösung gefüllt, umdas von den transparenten Bereichen gestreute Licht zu minimieren.Außerdemliegen an den Linienenden des Arrays aus Linien und Spalten weitereHilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung 508 vor und sindin einer Richtung senkrecht zu den Linien des Arrays aus Linienund Spalten orientiert. Außerdemwird eine ausreichende Anzahl von Hilfsstrukturmerkmalen mit Subauflösungsgröße zum Füllen eines2 μm großen Gebietsdes transparenten Bereichs bevorzugt.
    [0030] Wenngleich 5 nur Hilfsstrukturmerkmale unterhalbder Auflösungzeigt, die parallel zu oder in einer Richtung senkrecht zu den Liniendes Arrays aus Linien und Spalten orientiert sind, sind auch andereOrientierungen in der Lage, die Effekte hinsichtlich Ungleichförmigkeitund Linienverkürzungzu reduzieren.
    [0031] 6 zeigt den Effekt der Überstrahlungvon den transparenten Bereichen sowohl für einen transparenten Bereich,der keine Hilfsstrukturmerkmale aufweist, als auch für einentransparenten Bereich, der die Hilfsstrukturmerkmale unterhalb derAuflösungenthält.Kurve 602 zeigt die Abweichung der Linienbreite als Funktionder Entfernung von der Kante des Arrays für ein transparentes Gebietohne Hilfsstrukturmerkmale unterhalb der Auflösung, nämlich ein transparentes Gebietmit einem 100 transparenten Hintergrund. Eine signifikante Ungleichförmigkeit istin den Linien gezeigt, die der Kante des Arrays am nächsten liegen,die durch die Überstrahlungvon den transparenten Bereichen verursacht wird. Im Ge gensatz dazuzeigt Kurve 604 den Effekt einer Überstrahlung als Funktion derArraykantenposition füreinen transparenten Bereich, der Hilfsstrukturmerkmale unterhalbder Auflösungenthält,die die Intensitätdes durch die transparenten Bereiche übertragenen Lichts so reduzieren,daß nur60% der ursprünglichenLichtintensität übertragenwird. Hier ist die Abweichung bei der Linienbreite der der Kantedes Arrays aus Linien und Spalten am nächsten liegenden Linien signifikantreduziert.
    [0032] Dievorliegende Erfindung stellt vorteilhafterweise Hilfsstrukturmerkmaleunterhalb der Auflösung inden transparenten Bereichen neben dem Array aus Linien und Spaltenbereit, die die Transparenz der transparenten Bereiche reduzierenund dadurch die Effekte von Lichtstreuung oder Überstrahlung reduzieren. Infolgedessenwird die Ungleichförmigkeit beiden Breiten der der Kante des Arrays am nächsten liegenden Linien signifikantreduziert. Außerdem gestattetdie Reduzierung bei der Ungleichförmigkeit das Belichten vonkleineren Linien und Strukturen aufweisenden Arrays mit im wesentlichender gleichen Gleichförmigkeitwie größere Linienund Strukturen aufweisende Arrays.
    [0033] Alsweiterer Vorteil reduzieren die Hilfsstrukturmerkmale unterhalbder Auflösungder Erfindung die Linienverkürzungder versetzten Linienenden und gestatten einen größeren annehmbarenGrad an Unschärfein der belichteten Struktur, wodurch die Notwendigkeit für Lackablösung undNachbearbeitung von belichteten Strukturen reduziert wird.
    [0034] Obwohldie Erfindung hier unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformenbeschrieben worden ist, versteht sich, daß diese Ausführungsformenfür diePrinzipien und Anwendungen der vorliegenden Erfindung lediglichbeispielhaft sind. Es versteht sich deshalb, daß an den veranschaulichenden Ausführungsformenzahlreiche Modifikationen vorgenommen werden können und daß andere Anordnungen erdachtwerden können,ohne vom Gedanken und Umfang der vorliegenden Erfindung wie durch diebeigefügtenAnsprüchedefiniert abzuweichen.
    权利要求:
    Claims (36)
    [1] Verfahren, um die Ungleichförmigkeit und Bildverkürzung ineinem auf ein Substrat belichteten Bild wesentlich zu reduzieren,und zwar unter Verwendung einer photolithographischen Maske miteiner Maskenstruktur, die mindestens ein Array aus Linien und Spaltenneben mindestens einem transparenten Gebiet enthält, wobei das Bild durch Beleuchtender photolithographischen Maske und Projizieren von durch die photolithographischeMaske übertragenem Lichtauf das Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystemsbelichtet wird; wobei das Verfahren folgendes umfasst: Integrierenmindestens eines Linienstrukturmerkmals in das transparente Gebietder Maskenstruktur, wobei das Linienstrukturmerkmal in der Nähe des Arraysaus Linien und Spalten angeordnet ist und eine Linienbreite aufweist,die kleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei benachbarte Liniendes Arrays aus Linien und Spalten versetzte Enden aufweisen.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Linienstrukturmerkmalparallel zu Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnetwird.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Linienstrukturmerkmalin einer Richtung senkrecht zu Linien des Arrays aus Linien undSpalten angeordnet wird.
    [5] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das transparenteGebiet der Maskenstruktur mindestens eines der folgenden umfasst:eine Öffnungin einem undurchsichtigen Gebiet, einem teildurchlässigen Gebietund einem phasenschiebenden Gebiet.
    [6] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Schrittdes Integrierens das Integrieren von mehreren Linienstrukturmerkmalenumfasst, die jeweils parallel zueinander angeordnet sind.
    [7] Verfahren nach Anspruch 6, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein einem Gebiet mit einer Breite von mindestens 2 μm angeordnetwerden.
    [8] Verfahren zum Belichten eines Strukturmerkmals aufein Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystems;wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bestrahlen einer photolithographischenMaske unter Verwendung einer Lichtquelle, wobei die photolithographischeMaske eine Maskenstruktur aufweist, die mindestens ein Array ausLinien und Spalten neben mindestens einem transparenten Gebiet enthält, und einin dem transparenten Gebiet angeordnetes Linienstrukturmerkmal,wobei sich das Linienstrukturmerkmal in der Nähe des Gebiets aus Linien und Spaltenbefindet und eine Linienbreite aufweist, die kleiner ist als einekleinste Auflösungdes optischen Projektionssystems; und Projizieren von durchdie photolithographische Maske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung des optischen Projektionssystems.
    [9] Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Array aus Linienund Spalten Linien mit versetzten Enden aufweist.
    [10] Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei das Linienstrukturmerkmalparallel zu Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnetwird.
    [11] Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei das Linienstrukturmerkmalin einer Richtung senkrecht zu Linien des Arrays aus Linien undSpalten angeordnet wird.
    [12] Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei das transparenteGebiet der Maskenstruktur mindestens eines der folgenden umfasst:eine Öffnungin einem undurchsichtigen Gebiet, einem teildurchlässigen Gebietund einem phasenschiebenden Gebiet.
    [13] Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, weiterhin mitmehreren Linienstrukturmerkmalen, die jeweils parallel zueinanderangeordnet sind.
    [14] Verfahren nach Anspruch 13, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein einem Gebiet mit einer Breite von mindestens 2 μm angeordnetwerden.
    [15] Verfahren zum Ausbilden einer photolithographischenMaske zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem; wobeidas Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen einer Maskenstruktur,die mindestens ein Array aus Linien und Spalten neben mindestens einemtransparenten Gebiet enthält;und Integrieren mindestens eines Linienstrukturmerkmals indas transparente Gebiet der Maskenstruktur, wobei das Linienstrukturmerkmalin der Nähedes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet ist und eine Linienbreiteauf weist, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [16] Verfahren nach Anspruch 15, wobei benachbarte Liniendes Arrays aus Linien und Spalten versetzte Enden aufweisen.
    [17] Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei das Linienstrukturmerkmalparallel zu Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnetwird.
    [18] Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei das Linienstrukturmerkmalin einer Richtung senkrecht zu Linien des Arrays aus Linien undSpalten angeordnet wird.
    [19] Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei das transparenteGebiet der Maskenstruktur mindestens eines der folgenden umfasst:eine Öffnungin einem undurchsichtigen Gebiet, einem teildurchlässigen Gebietund einem phasenschiebenden Gebiet.
    [20] Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei der Schrittdes Integrierens das Integrieren von mehreren Linienstrukturmerkmalenumfasst, die jeweils parallel zueinander angeordnet sind.
    [21] Verfahren nach Anspruch 20, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein einem Gebiet mit einer Breite von mindestens 2 μm angeordnetwerden.
    [22] Photolithographische Maske zur Verwendung in einemoptischen Projektionssystem; wobei die photolithographische Maskefolgendes umfasst: eine Maskenstruktur, die mindestens einArray aus Linien und Spalten neben mindestens einem transparentenGebiet enthält;und mindestens ein Linienstrukturmerkmal in dem transparentesGebiet der Maskenstruktur, wobei das Linienstrukturmerkmal in derNähe desArrays aus Linien und Spalten angeordnet ist und eine Linienbreiteaufweist, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
    [23] Photolithographische Maske nach Anspruch 22, wobeibenachbarte Linien des Arrays aus Linien und Spalten versetzte Endenaufweisen.
    [24] Photolithographische Maske nach Anspruch 22 oder23, wobei das Linienstrukturmerkmal parallel zu Linien des Arraysaus Linien und Spalten angeordnet ist.
    [25] Photolithographische Maske nach Anspruch 22 oder23, wobei das Linienstrukturmerkmal in einer Richtung senkrechtzu Linien des aus Linien und Spalten bestehenden Arrays angeordnetist.
    [26] Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 22 bis25, wobei das transparente Gebiet eine Öffnung in mindestens einemder folgenden umfasst: einem undurchsichtigen Gebiet, einem teildurchlässigen Gebietund einem phasenschiebenden Gebiet der Maske.
    [27] Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 22 bis26, weiterhin mit mehreren Linienstrukturmerkmalen, die jeweilsparallel zueinander angeordnet sind.
    [28] Photolithographische Maske nach Anspruch 27, wobeidie mehreren Linienstrukturmerkmale in einem Gebiet mit einer Breitevon mindestens 2 μmangeordnet sind.
    [29] Verfahren, um die Ungleichförmigkeit und Bildverkürzung ineinem auf ein Substrat belichtetes Bild wesentlich zu reduzieren,und zwar unter Verwendung einer photolithographischen Maske miteiner Maskenstruktur, die mindestens ein Array aus Linien und Spaltenund mindestens ein transparentes Gebiet enthält, wobei sich das transparenteGebiet neben einer Längsseiteeiner Linie des Arrays aus Linien und Spalten befindet, wobei dasBild durch Beleuchten der photolithographischen Maske und Projizierenvon durch die photolithographische Maske übertragenem Licht auf das Substratunter Verwendung eines optischen Projektionssystems belichtet wird;wobei das Verfahren folgendes umfasst: Integrieren mehrererLinienstrukturmerkmale in das transparente Gebiet der Maskenstruktur,die jeweils parallel zueinander und parallel zu den Linien des Arraysaus Linien und Spalten angeordnet sind, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein der Nähe desArrays aus Linien und Spalten angeordnet sind und jeweils eine Linienbreiteaufweisen, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems.
    [30] Verfahren, um die Ungleichförmigkeit und Bildverkürzung ineinem auf ein Substrat belichtetes Bild wesentlich zu reduzierenund zwar, unter Verwendung einer photolithographischen Maske miteiner Maskenstruktur, die mindestens ein Array aus Linien und Spaltenund mindestens ein transparentes Gebiet enthält, wobei sich das transparenteGebiet neben einem Ende der Linien des Arrays aus Linien und Spaltenbefindet, wobei benachbarte Linien des Arrays aus Linien und Spaltenversetzte Enden aufweisen, wobei das Bild durch Beleuchten der photolithographischenMaske und Projizieren von durch die photolithographische Maske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystemsbelichtet wird; wobei das Verfahren folgendes umfasst: Integrierenmehrerer Linienstrukturmerkmale in das transparente Gebiet der Maskenstruktur,die jeweils parallel zueinander und in einer Richtung senkrecht zuden Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnet sind, wobeidie mehreren Linienstrukturmerkmale in der Nähe des Arrays aus Linien und Spaltenangeordnet sind und jeweils eine Linienbreite aufweisen, die kleinerist als eine kleinste Auflösungdes optischen Projektionssystems.
    [31] Verfahren zum Belichten eines Strukturmerkmals aufein Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystems;wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bestrahlen einer photolithographischenMaske unter Verwendung einer Lichtquelle, wobei die photolithographischeMaske eine Maskenstruktur aufweist, die mindestens ein Array ausLinien und Spalten neben mindestens einem transparenten Gebiet enthält, und mehrerein dem transparenten Gebiet angeordnete Linienstrukturmerkmale,wobei das transparente Gebiet sich neben einer Längsseite einer Linie des Gebietsaus Linien und Spalten befindet, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmaleparallel zueinander und parallel zu und in der Nähe der Linien des Arrays ausLinien und Spalten angeordnet werden, wobei jede Linie des Arraysaus Linien und Spalten eine Lini enbreite aufweist, die kleiner istals eine kleinste Auflösungdes optischen Projektionssystems; und Projizieren von durchdie photolithographische Maske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung des optischen Projektionssystems.
    [32] Verfahren zum Belichten eines Strukturmerkmals aufein Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystems;wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bestrahlen einer photolithographischenMaske unter Verwendung einer Lichtquelle, wobei die photolithographischeMaske eine Maskenstruktur aufweist, die mindestens ein Array ausLinien und Spalten neben mindestens einem transparenten Gebiet enthält, und mehrerein dem transparenten Gebiet angeordnete Linienstrukturmerkmale,wobei das transparente Gebiet sich neben einem Ende der Linien desGebiets aus Linien und Spalten befindet, wobei benachbarte Liniendes Arrays aus Linien und Spalten versetzte Enden aufweisen, wobeidie mehreren Linienstrukturmerkmale parallel zueinander und in einerRichtung senkrecht zu und in der Nähe der Linien des Arrays ausLinien und Spalten angeordnet werden, wobei jede der Linien desArrays aus Linien und Spalten eine Linienbreite aufweist, die kleinerist als eine kleinste Auflösungdes optischen Projektionssystems; und Projizieren von durchdie photolithographische Maske übertragenemLicht auf das Substrat unter Verwendung des optischen Projektionssystems.
    [33] Verfahren zum Ausbilden einer photolithographischenMaske zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem; wobeidas Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen einer Maskenstruktur,die mindestens ein Array aus Linien und Spalten und mindestens ein transparentesGebiet enthält,wobei sich das transparente Gebiet neben einer Länge einer Linie des Arraysaus Linien und Spalten befindet; und Integrieren mehrerer Linienstrukturmerkmalein das transparente Gebiet der Maskenstruktur, die jeweils parallelzueinander und parallel zu den Linien des Arrays aus Linien undSpalten angeordnet sind, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein der Nähe desArrays aus Linien und Spalten angeordnet sind und jeweils eine Linienbreiteaufweisen, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems.
    [34] Verfahren zum Ausbilden einer photolithographischenMaske zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem; wobeidas Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen einer Maskenstruktur,die mindestens ein Array aus Linien und Spalten und mindestens ein transparentesGebiet enthält,wobei sich das transparente Gebiet neben einem Ende der Linien desArrays aus Linien und Spalten befindet, wobei benachbarte Liniendes Arrays aus Linien und Spalten versetzte Enden aufweisen; und Integrierenmehrerer Linienstrukturmerkmale in das transparente Gebiet der Maskenstruktur,die jeweils parallel zueinander und in einer Richtung senkrecht zuden Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnet sind, wobeidie mehreren Linienstrukturmerkmale in der Nähe des Arrays aus Linien und Spaltenangeordnet sind und eine Linienbreite aufweisen, die kleiner istals eine kleinste Auflösungdes optischen Projektionssystems.
    [35] Photolithographische Maske zur Verwendung in einemoptischen Projektionssystem; wobei die photolithographische Maskefolgendes umfasst: eine Maskenstruktur, die mindestens einArray aus Linien und Spalten und mindestens ein transparentes Gebietenthält,wobei sich das transparente Gebiet neben einer Längsseite einer Linie des Arraysaus Linien und Spalten befindet; und mehrere in dem transparentenGebiet der Maskenstruktur angeordnet Linienstrukturmerkmale, diejeweils parallel zueinander und parallel zu den Linien des Arraysaus Linien und Spalten angeordnete sind, wobei die mehreren Linienstrukturmerkmalein der Nähedes Arrays aus Linien und Spalten angeordnet sind und jeweils eineLinienbreite aufweisen, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems.
    [36] Photolithographische Maske zur Verwendung in einemoptischen Projektionssystem; wobei die photolithographische Maskefolgendes umfasst: eine Maskenstruktur, die mindestens einArray aus Linien und Spalten und mindestens ein transparentes Gebietenthält,wobei sich das transparente Gebiet neben einem Ende der Linien desArrays aus Linien und Spalten befindet, wobei benachbarte Liniendes Arrays aus Linien und Spalten versetzte Enden aufweisen; und mehrerein dem transparenten Gebiet der Maskenstruktur angeordnete Linienstrukturmerkmale,die jeweils parallel zueinander und in einer Richtung senkrechtzu den Linien des Arrays aus Linien und Spalten angeordnet sind,wobei die mehreren Linienstrukturmerkmale in der Nähe des Arraysaus Linien und Spalten angeordnet sind und jeweils eine Linienbreiteaufweisen, die kleiner ist als eine kleinste Auflösung desoptischen Projektionssystems.
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