• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikon aufweisenden strahlungsdurchlässigen Umhüllungsmaterial zumindest teilweise umhüllt wird. Eine Oberfläche des Umhüllungsmaterials wird nach dem Umhüllen des optoelektronischen Elements chemisch oder mittels eines Plasmaverfahrens derart behandelt, dass an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen erzeugt werden, so dass nachfolgend die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen auf der Oberfläche verringert ist. DOLLAR A Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
    公开号:DE102004019973A1
    申请号:DE102004019973
    申请日:2004-04-23
    公开日:2005-09-15
    发明作者:Bert Braune；Herbert Brunner
    申请人:Osram Opto Semiconductors GmbH；
    IPC主号:H01L31-18
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischenBauelements, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignet ist,elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen,insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikonaufweisenden strahlungsdurchlässigenUmhüllungsmaterialzumindest teilweise umhülltwird. Sie betrifft weiterhin ein optoelektronisches Bauelement.
    [0002] DieOberflächenvon Leuchtdiodenbauelementen und Leuchtdioden-Modulen, welche einen Silikonvergussaufweisen, haben die negative Eigenschaft, Schmutzpartikel wie Fasern,Staub, Sandkörner,Metallspäneetc. so an sich zu binden, dass ein einfaches Entfernen dieser Verunreinigungenbeispielsweise mittels Pressluft oder anderer das Bauelement möglichstnicht schädigenderVerfahren wenn überhaupt,dann nur sehr schwierig möglichist. Das kann insbesondere bei optoelektronischen Bauelementen zueiner erheblichen Beeinträchtigungvon deren Funktion führen,etwa wenn eine großeMenge an kontaminierenden Materialien an einer zur Strahlungsauskopplungvorgesehenen Oberflächehaftet. Es kann hierbei beispielsweise zu geringerer Lichtauskoppelung,zu unerwünschterLichtstreuung und zu Kollimationsproblemen kommen.
    [0003] EineAufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahrenzu entwickeln, mit dem die Adhäsionvon verunreinigenden Partikeln oder Substanzen an Oberflächen silikonhaltigerUmhüllungsmaterialienzumindest verringert werden kann.
    [0004] Weiterhinsoll ein entsprechendes optoelektronisches Bauelement bereitgestelltwerden.
    [0005] DieseAufgaben werden durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches1 und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalendes Patentanspruches 21 gelöst.
    [0006] VorteilhafteAusführungsformenund bevorzugte Weiterbildungen des Verfahrens bzw. des Bauelementssind in den abhängigenPatentansprüchen 2bis 20 bzw. 22 bis 34 angegeben.
    [0007] Beieinem Verfahren gemäß der Erfindung wirdeine Oberflächedes Umhüllungsmaterialsnach dem Umhüllendes optoelektronischen Elements chemisch oder mittels eines Plasmaverfahrensderart behandelt, dass an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppenerzeugt werden. Diese Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen verringern vorteilhafterweisebereits deutlich die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen auf der Oberfläche des Umhüllungsmaterials.
    [0008] ZurErzeugung der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche desUmhüllungsmaterialswird diese – mit mindestens einer anorganischenund/oder organischen Säure,beispielsweise mit einer Säureaus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure undWeinsäure,behandelt, – geflammt,beispielsweise mittels Flammenpyrolyse silikatisiert, oder – mitOzon und/oder mit Ozon und UV behandelt.
    [0009] BeimSilikatisieren der Oberflächedurch Flammenpyrolyse wird vorteilhafterweise mittels einer siliziumorganischenVerbindung eine Silikatschicht erzeugt. Als Pyrolysegas kann ein Silan-dotiertesPropan-Butan-Gemisch verwendet werden.
    [0010] Beieiner besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung werden andie Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen Moleküle angekoppelt, die die Adhäsion vonverunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern. SolcheMoleküleweisen vorzugsweise hydrolysierbare Gruppen auf.
    [0011] Vorzugsweiseverbinden sich die Moleküle über Sauerstoffbrücken mitder Oberfläche.Weiterhin bevorzugt stammen die Moleküle aus der Gruppe der siliziumorganischenVerbindungen. Vorzugsweise sind dies Siliziumalkoxid-Moleküle, diewiederum bevorzugt neben den Alkoxidgruppen kurzkettige organischeKetten oder Ringe aufweisen. Bewährthaben sich diesbezüglichn-Butyltrimethoxysilan-Moleküleund Diphenyldimethoxysilan-Moleküle.
    [0012] Nachderzeitigem Kenntnisstand koppelt das Siliziumalkoxid über Hydrolyseund Kondensation an die oberflächenständigen Si-OH-Gruppenan. Die spezielle organische Funktion weist dann von der Oberfläche nachaußenund bestimmt das Haftverhalten der dann vorhandenen Oberfläche. Dienach außenweisenden Gruppen könnenneben organischen auch anorganische Gruppen enthalten. So können beispielsweiseauch Fluor enthaltende Siliziumalkoxide die beschriebene Veränderungdes Haftverhaltens bewirken.
    [0013] Alternativoder zusätzlichkann auf die Oberflächeein Lack aufgebracht werden, der hydrolysierbare Gruppen enthält. GeeigneteLacke sind hierbei beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Verfahrenshergestellte Lacke.
    [0014] ZurVerwendung kommen könnengrundsätzlichauch andere Metallalkoxide mit hydrolysierbaren Gruppen und Alkoxide,welche eine oxidische Haut erzeugen und damit ebenfalls die Oberflächeneigenschaftender Silikon aufweisenden oder aus Silikon bestehenden Umhüllung inder gewünschten Weiseverändern.
    [0015] Beieinem bevorzugten Verfahren zum Herstellen von optoelektronischenBauelementen wird das Bauelement nach dem Umhüllen des optoelektronischenElements mit der Silikon enthaltenden Umhüllungsmasse und nach dem Erzeugender Si-O-Gruppenund/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche, zumindest mit der zu behandelnden Oberfläche in eineLösunggetaucht, in der die Moleküle,die die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche der Umhüllung verringern, enthaltensind. Vorzugsweise werden die Bauelemente gegebenenfalls noch imLeadframe-Verbund, das heißt vorderen Herausstanzen aus dem Leadframe-Band, vollständig indie Lösunggetaucht. Dieses verfahren ist ebenso wie das Vorbehandeln der Oberfläche zur Erzeugungder Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen tauglich für ein „reel toreel"-Fertigungsverfahren undlässt sichsomit vorteilhafterweise in eine herkömmlichen Leuchtdioden-Fertigungsanlageintegrieren.
    [0016] DieBauelemente werden nach dem Herausnehmen aus der Lösung zumEntfernen des Lösungsmittelsthermisch nachbehandelt, beispielsweise etwa eine Stunde auf ca.100 bis 200°Cerhitzt.
    [0017] Beieinem optoelektronischen Bauelement gemäß der Erfindung weist das Umhüllungsmaterial eineOberflächeauf, die eine Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen auf dem Umhüllungsmaterial verringert.
    [0018] Für ein optoelektronischesBauelement gemäß der Erfindunggelten alle im Zusammenhang mit dem Verfahren genannten gegenständlichenAusführungsformenund Vorteile in gleichem Maßewie für dasVerfahren.
    [0019] Beieiner besonders bevorzugten Ausführungsformeines optoelektronischen Bauelements ist das optoelektronische Elementein Halbleiter-Leuchtdiodenchip, der in einer Ausnehmung eines Gehäusegrundkörpers angeordnetist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchipin der Ausnehmung mit dem Umhüllungsmaterialvergossen oder umspritzt ist.
    [0020] Beieiner anderen bevorzugten Ausführungsformeines optoelektronischen Bauelements ist das optoelektronische Elementein Halbleiter-Leuchtdiodenchip, der auf einem Trägerplättchen angeordnet ist,und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip auf dem Trägerplättchen mit dem Umhüllungsmaterialvergossen oder umspritzt ist.
    [0021] Umbei Strahlung aussendenden und/oder Strahlung empfangenden Bauelementendie Strahlungsauskopplung und/oder -einkopplung nicht zu beeinträchtigen,haben die auf das Umhüllungsmaterialapplizierten Molekülezur Verringerung der Adhäsionvon Schmutzpartikeln eine möglichstgeringe, Idealerweise keine Eigenfärbung zu zeigen. Im Falle vonblaues Licht oder UV-Strahlungemittierenden Elementen, wie Leuchtdiodenchips, oder blaues Lichtoder W-Strahlung empfangenden Elementen, wie Photodiodenchips, solltendie auf das Umhüllungsmaterialapplizierten Moleküleweitestgehend stabil gegenüberUV-Strahlung bzw.blauem Licht sein.
    [0022] DasVerfahren gemäß der Erfindungsowie deren Ausführungsformenund Weiterbildungen sind nicht auf die Verwendung bei optoelektronischen Bauelementeneingeschränkt,sondern könnengenerell überalldort eingesetzt werden, wo eine Verunreinigung einer Oberfläche einesSilikon aufweisenden Materials vermieden werden soll.
    [0023] WeitereMerkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeitender Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mitden 1 bis 3 beschriebenen Ausführungsbeispielen.Es zeigen:
    [0024] 1a bis 1c eineschematische Darstellung eines Ausführungsbeispielen des Verfahrens,
    [0025] 2 eineschematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispieles eines optoelektronischenBauelements, und
    [0026] 3 eineschematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles eines optoelektronischenBauelements.
    [0027] Inden Ausführungsbeispielenund Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mitden gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elementeder Figuren, insbesondere die Dicken von dargestellten Schichten,sind nicht als maßstabsgerechtanzusehen. Vielmehr könnensie zum besseren Verständnisteilweise übertriebengroß dargestelltsein.
    [0028] Beidem Ausführungsbeispieldes Verfahrens (1a bis 1c) wirdzunächstein Leadframe-Band 40 bereitgestellt, an dem sich bereitseine Mehrzahl von beispielsweise mittels Spritzpressen hergestelltenKunststoff-Gehäusegrundkörpern 1 mit jeweilseiner Ausnehmung 10 (vgl. 2) befinden. Injede Ausnehmung 10 wird ein Leuchtdiodenchip 2 (vgl. 2)beispielsweise mittels eines Klebstoffes montiert und dort mit elektrischenAnschlüssen 4 (vgl. 2)des Leadframes elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Leuchtdiodenchip 2 miteinem Silikonharz als Umhüllungsmasse 3 (vgl. 2)vergossen.
    [0029] Nachdem Vergießendes Leuchtdiodenchips 2 wird die freie Oberfläche desUmhüllungsmaterials 3 mittelsFlammenpyrolyse silikatisiert (vgl. 1a). Dabeiwird beispielsweise auf der Oberfläche durch Flammenpyrolyse mittelseiner siliziumorganischen Verbindung eine Silikatschicht erzeugt.Als Pyrolysegas kann ein Silan-dotiertes Propan-Butan-Gemisch verwendetwerden. Als Oberflächensilikatisierungsgerät kann beispielsweisedas Vorbehandlungsgerät NanoFlameNF02 der Polytec GmbH, Waldbronn, Deutschland, das nach dem Prinzipder Flammenpyrolyse arbeitet eingesetzt werden.
    [0030] Alleindurch diese Behandlung der Oberfläche wird vorteilhafterweisebereits die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen wie Fasern, Staub, Sandkörner, Metallspäne etc.auf der Oberflächedes Umhüllungsmaterialsdeutlich verringert.
    [0031] Alternativkann zur Erzeugung der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche desSilikonharzes diese mit mindestens einer anorganischen und/oderorganischen Säure, beispielsweisemit einer Säureaus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure und Weinsäure, behandeltwerden. Eine weitere Alternative ist eine Behandlung mit Ozon und/odermit Ozon und UV.
    [0032] Beidem Verfahrens gemäß dem Ausführungsbeispielwerden nach der Oberflächenvorbehandlungmittels Flammenpyrolyse die Bauelemente einige Minuten in ein Tauchbadaus Ethanol, das n-Butyltrimethoxysilanenthält,getaucht (vgl. 1b). Alternativ kann Diphenyldimethoxysilanverwendet werden.
    [0033] Dabeikoppeln sich n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle bzw. Diphenyldimethoxysilan-Moleküle an Si-O-Gruppenund/oder Si-OH-Gruppen,die währendder Oberflächenvorbehandlungan der Oberflächeder Umhüllungsmasse 3 ausgebildetworden sind, an.
    [0034] Alternativoder zusätzlichkann auf die Oberflächeein Lack aufgebracht werden, der hydrolysierbare Gruppen enthält. GeeigneteLacke sind hierbei beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Verfahrenshergestellte Lacke.
    [0035] Diegeflammten und getauchten Bauelemente werden nach dem Herausnehmenaus der Ethanol-Lösungzum Entfernen des Lösungsmittelsthermisch nachbehandelt, beispielsweise etwa eine Stunde auf ca.100 bis 200°Cerhitzt (vgl. 1c).
    [0036] Dasgesamte Verfahren ist tauglich fürein „reelto reel"-Fertigungsverfahrenund lässtsich somit vorteilhafterweise in eine herkömmlichen Leuchtdioden-Fertigungsanlageintegrieren.
    [0037] Beidem Ausführungsbeispielfür einoptoelektronisches Bauelement gemäß 2 handeltes sich um ein oberflächenmontierbaresLeuchtdiodenbauelement, bei dem in eine Ausnehmung 10 eines reflektierendenKunststoff-Gehäusegrundkörpers 1 einLeuchtdiodenchip 2 montiert ist. Hierbei handelt es sichum ein so genanntes premold-Gehäuse,was heißt,dass vor der Montage des Leuchtdiodenchips 2 auf das Leadframe 40,an das Leadframe 40 der Kunststoff-Gehäusegrundkörper 1 beispielsweise mittelsSpritzpressen angeformt wird. Der Leuchtdiodenchip 2 isteinerseits mittels eines Leitklebers und andererseits mittels einesBonddrahtes 8 mit elektrischen Anschlüssen 4 des Leadframes 40 elektrisch verbunden.
    [0038] Derartigepremold-Gehäusesind dem Fachmann aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt und werden vondaher an dieser Stelle nicht nähererläutert.
    [0039] Inder Ausnehmung 10 befindet sich ein Silikonharz-Verguß 3,der den Leuchtdiodenchip 2 umhüllt.
    [0040] Inder Ausnehmung 10 ist ein Verankerungswall mit Verankerungsnasenausgebildet, der das Risiko einer Delamination des Silikonharz-Vergusses vomGehäusegrundkörper 1 verringert.
    [0041] Aufdem Silikonharz-Verguß 3 befindensich n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle und/oderDiphenyldimethoxysilan-Moleküle 5,die einerseits an oberflächenständige Si-O-Gruppen und/oderSi-OH-Gruppen angekoppelt sind und andererseits die Adhäsion vonverunreinigenden Stoffen an der Verguss-Oberfläche verringern.
    [0042] Dieseprinzipielle Bauform ist grundsätzlich ebensofür einoberflächenmontierbaresPhotodiodenbauelement geeignet, bei dem in der Ausnehmung 10 einPhotodiodenchip montiert und mit Silikonharz umhüllt ist.
    [0043] Beidem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel handelt es sichebenfalls um ein Leuchtdiodenbauelement. Bei diesem ist ein Leuchtdiodenchip 2 aufeinem Trägersubstrat 6 angeordnetund analog zum Ausführungsbeispielgemäß 2 mitelektri schen Leiterbahnen 7 (hier Metallisierungen desTrägersubstrats)elektrisch verbunden.
    [0044] Derartigeso genannte CHIPLED-Gehäuse sinddem Fachmann aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt und werden vondaher an dieser Stelle nicht nähererläutert.
    [0045] DerLeuchtdiodenchip 2 ist von einem domartigen Silikonharz-Verguß 3,der mittels Vergießen odermittels Spritzpressen oder Spritzgießen hergestellt ist, umhüllt. Aufdem Silikonharz-Verguß 3 befindensich ebenso wie beim oben erläutertenAusführungsbeispieln-Butyltrimethoxysilan-Moleküle und/oderDiphenyldimethoxysilan-Moleküle 5,die einerseits an oberflächenständige Si-O-Gruppen und/oderSi-OH-Gruppen angekoppelt sind und andererseits die Adhäsion vonverunreinigenden Stoffen an der Verguss-Oberfläche verringern.
    [0046] Indas Silikonharz könnenLeuchtstoff-Pigmente eingemischt sein, die zumindest einen Teilder vom Leuchtdiodenchip 2 ausgesandten elektromagnetischenStrahlung absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer derabsorbierten Strahlung gegenüberverändertenWellenlängeemittieren. Derartige Leuchtstoffe sind beispielsweise aus den DruckschriftenWO 09812757 A1 und WO 00108452 A1 bekannt, deren Offenbarungsgehaltinsofern hiermit durch Rückbezugaufgenommen wird.
    [0047] DerSchutzumfang der Erfindung ist selbstverständlich nicht durch die Beschreibungder Erfindung anhand der Ausführungsbeispieleauf diese Ausführungsbeispielebeschränkt.
    [0048] DieErfindung umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination vonMerkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in denPatentansprüchenbeinhaltet, auch wenn die ses Merkmal oder diese Kombination selbstnicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegebenist.
    权利要求:
    Claims (34)
    [1] Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischenBauelements, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignetist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen,insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikonaufweisenden strahlungsdurchlässigenUmhüllungsmaterialzumindest teilweise umhülltwird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberfläche desUmhüllungsmaterialsnach dem Umhüllendes optoelektronischen Elements chemisch oder mittels eines Plasmaverfahrensderart behandelt wird, dass an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppenerzeugt werden, so dass nachfolgend die Adhäsion von verunreinigenden Stoffenauf der Oberflächeverringert ist.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Oberflächemit mindestens einer anorganischen oder organischen Säure behandelt wird.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,dass die Oberflächemit mindestens einer Säureaus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure undWeinsäurebehandelt wird.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass an der Oberflächemittels Flammen Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen erzeugt werden.
    [5] Verfahren nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet,dass die Oberflächemittels Flammenpyrolyse silikatisiert wird.
    [6] Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,dass auf der Oberflächedurch Flammenpyrolyse einer siliziumorganischen Verbindung eineSilikatschicht erzeugt wird.
    [7] Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,dass als Pyrolysegas ein Silan-dotiertes Propan-Butan-Gemisch verwendetwird.
    [8] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Oberflächemit Ozon und/oder mit Ozon und UV behandelt wird.
    [9] Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis8, dadurch gekennzeichnet, dass an die Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-GruppenMoleküle angekoppeltwerden, die die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern.
    [10] Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,dass die Molekülehydrolysierbare Gruppen aufweisen.
    [11] Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,dass sich die Moleküle über Sauerstoffbrücken mitder Oberflä cheverbinden.
    [12] Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,dass die Moleküleaus der Gruppe der siliziumorganischen Verbindungen stammen.
    [13] Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,dass die Molekülezumindest Siliziumalkoxid-Moleküleumfassen.
    [14] Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,dass die Siliziumalkoxid-Moleküleneben den Alkoxidgruppen kurzkettige organische Ketten oder Ringeaufweisen.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass die Siliziumalkoxid-Moleküle n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle enthalten.
    [16] Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet,dass die Siliziumalkoxid-MoleküleDiphenyldimethoxysilan-Moleküle enthalten.
    [17] Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,dass auf die Oberflächeein Lack aufgebracht wird, der hydrolysierbare Gruppen enthält.
    [18] Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,dass ein mittels eines Sol-Gel-Verfahrens hergestellter Lack aufgebrachtwird.
    [19] Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis18, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Umhüllen des optoelektronischenElements mit dem Silikon aufweisenden Umhüllungsmaterial und dem Erzeugender Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche, zumindestdiese Oberflächein eine Lösunggetaucht wird, in der die Moleküle,die die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche der Umhüllung verringern, enthaltensind.
    [20] Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,dass das Bauelement nach dem Herausnehmen aus der Lösung zumEntfernen des Lösungsmittelsthermisch nachbehandelt wird.
    [21] Optoelektronisches Bauelement, bei dem ein optoelektronischesElement, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittierenund/oder zu empfangen, insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip,mit einem Silikon aufweisenden strahlungsdurchlässigen Umhüllungsmaterial zumindest teilweiseumhülltist, dadurch gekennzeichnet, dass das Umhüllungsmaterial eine Oberfläche aufweist, dieeine Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen auf dem Umhüllungsmaterial verringert.
    [22] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21,dadurch gekennzeichnet, dass sich an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen befinden,die eine Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen verringern.
    [23] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 22,dadurch gekennzeichnet, dass an die Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-GruppenMoleküle angekoppeltsind, die die Adhäsionvon verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern.
    [24] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23,dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle hydrolysierbare Gruppenaufweisen.
    [25] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23,dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle über Sauerstoffbrücken mitder Oberflächeverbunden sind.
    [26] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23,dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle aus der Gruppe der siliziumorganischenVerbindungen stammen.
    [27] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23,dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle zumindest Siliziumalkoxid-Moleküle umfassen.
    [28] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 27,dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle nebenden Alkoxidgruppen kurzkettige organische Ketten oder Ringe aufweisen.
    [29] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 28,dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle enthalten.
    [30] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 28 oder29, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle Diphenyldimethoxysilan-Moleküle enthalten.
    [31] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23,dadurch gekennzeichnet, dass auf die Oberfläche ein Lack aufgebracht wird,der hydrolysierbare Gruppen enthält.
    [32] Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 31,dadurch gekennzeichnet, dass der Lack mittels eines Sol-Gel-Verfahrenshergestellt ist.
    [33] Optoelektronisches Bauelement nach mindesten einemder Ansprüche21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Element einHalbleiter-Leuchtdiodenchipist, der in einer Ausnehmung eines Gehäusegrundkörpers angeordnet ist, und derHalbleiter-Leuchtdiodenchipin der Ausnehmung mit dem Umhüllungsmaterialvergossen oder umspritzt ist.
    [34] Optoelektronisches Bauelement nach mindesten einemder Ansprüche21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Element einHalbleiter-Leuchtdiodenchipist, der auf einem Trägerplättchen ange ordnetist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip auf dem Trägerplättchen mit demUmhüllungsmaterialvergossen oder umspritzt ist.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    JP6581695B2|2019-09-25|可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
    TWI404791B|2013-08-11|A semiconductor light emitting device, a lighting device, and an image display device
    US7838357B2|2010-11-23|Optoelectronic component
    JP5242641B2|2013-07-24|発光装置の製造方法
    US8907361B2|2014-12-09|Light emitting diode package and fabrication method thereof
    TWI321594B|2010-03-11|Method for the production of a radiation-emitting optical component and radiation-emitting optical component
    JP4945106B2|2012-06-06|半導体発光装置
    JP6599295B2|2019-10-30|LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING BELT ANGLE REFLECTOR AND MANUFACTURING METHOD
    US7064424B2|2006-06-20|Optical surface mount technology package
    JP3337000B2|2002-10-21|半導体発光装置
    US7888697B2|2011-02-15|Lead frame, method of making the same and light receiving/emitting device
    EP1743358B1|2019-05-15|Leuchtdioden mit Gehäuse
    EP2317569B1|2017-05-03|Lichtquelle für eine beleuchtung
    CN102460748B|2016-11-16|具有远程磷光体层和反射基板的led
    JP4903179B2|2012-03-28|発光装置及びその製造方法
    US7847302B2|2010-12-07|Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
    US5336532A|1994-08-09|Low temperature process for the formation of ceramic coatings
    EP2390932B1|2015-09-09|Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
    KR101496425B1|2015-02-27|조명 디바이스 패키지
    EP2831931B1|2019-10-02|Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstruktur
    KR101278885B1|2013-06-26|조명용 모듈 및 그 제조 방법
    US9219172B2|2015-12-22|Optoelectronic component
    JP4915869B2|2012-04-11|光半導体装置の製造方法
    US10586901B2|2020-03-10|LED module having a highly reflective carrier
    JP6132770B2|2017-05-24|ポリシラザン接合層を含む発光ダイオードコンポーネント
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004019973B4|2006-07-13|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-09-15| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-01-04| 8364| No opposition during term of opposition|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE102004010225||2004-02-29||
    DE102004010225.2||2004-02-29||
    DE102004019973A|DE102004019973B4|2004-02-29|2004-04-23|Verfahren zum Herstellen eines kontaminationsgeschützten, optoelektronischen Bauelements und kontaminationsgeschütztes, optoelektronisches Bauelement|DE102004019973A| DE102004019973B4|2004-02-29|2004-04-23|Verfahren zum Herstellen eines kontaminationsgeschützten, optoelektronischen Bauelements und kontaminationsgeschütztes, optoelektronisches Bauelement|
    [返回顶部]