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  • 法律状态
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    • 专利摘要:
    Eine LED ist auf einem Schaltungssubstrat montiert, wobei die LED in einer transparenten Harzschicht eingekapselt ist. Eine Reflektionsschicht ist auf der Harzschicht vorgesehen, um Licht, das von der LED ausgesandt wird, zu reflektieren und durchzulassen.An LED is mounted on a circuit substrate, the LED being encapsulated in a transparent resin layer. A reflective layer is provided on the resin layer to reflect and transmit light emitted from the LED.
    公开号:DE102004015903A1
    申请号:DE200410015903
    申请日:2004-03-31
    公开日:2004-11-04
    发明作者:Koichi Fujiyoshida Fukasawa；Satoru Fujiyoshida Kikuchi
    申请人:Citizen Electronics Co Ltd；
    IPC主号:H01L33-54
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdioden-(LED) Einrichtung,die in elektronischen Einrichtungen, etwa einem Personalcomputer, einemDrucker, einem PDA, einem Fax-Gerät, einem tragbaren Meldegerät und einemtragbaren Telefon verwendet wird.TheThe present invention relates to a light emission diode (LED) device,those in electronic devices, such as a personal computer, aPrinter, a PDA, a fax machine, a portable reporting device and oneportable phone is used.
    [0002] InjüngererVergangenheit wird eine Flüssigkristallanzeige(LCD) mit einem Hintergrundlicht als eine Beleuchtungspaneeleinrichtungzum Beleuchten diverser elektronischen Komponenten, etwa einem Notebook-Computermit einem optischen Kommunikationsgerät, einem PDA und einem tragbaren Telefonverwendet. Häufigwerden eine LCD-Hintergrundbeleuchtung für ein tragbares Telefon undeine LED zum Ausleuchten diverser Tasten eines tragbaren Telefonsals elektronische Komponenten verwendet, die mit einer derartigenLCD ausgestattet sind.InyoungerThe past will be a liquid crystal display(LCD) with a back light as a lighting panel deviceto illuminate various electronic components, such as a notebook computerwith an optical communication device, a PDA and a portable phoneused. Frequentlybecome an LCD backlight for a portable phone andan LED for illuminating various keys on a portable telephoneused as electronic components with suchLCD are equipped.
    [0003] 6 ist eine Draufsicht, dieein konventionelles tragbares Telefon zeigt, das in der japanischen Patentanmeldungsoffenlegungsschrift2002-24811 offenbart ist. Das Mobiltelefon 10 besitzt eineLCD 11, drei LED-Einheiten 12 für die LCD 11,mehrere Tastschalter 13 und mehrere LED-Einheiten 14 zum Beleuchtender Tastschalter 13. Die LED-Einheit besitzt einen LED-Chip,der auf einem aus Glasepoxyharz hergestellten Platinensubstrat montiertist, wobei der LED-Chip mittels einem transparenten oder durchscheinendenHarz eingekapselt ist. In der konventionellen Vorrichtung muss eineReihe von LED-Einheiten vorgesehen werden, da die konventionelleLED-Einheit kein ausgeprägtesRichtungsverhalten zeigt. Daher entsteht ein Problem dahingehend,dass die konventionelle Vorrichtung nicht die Anforderung für geringeHerstellungskosten erfüllen kann. 6 Fig. 12 is a plan view showing a conventional portable phone disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open 2002-24811. The mobile phone 10 has an LCD 11 , three LED units 12 for the LCD 11 , several push buttons 13 and several LED units 14 to illuminate the push buttons 13 , The LED unit has an LED chip which is mounted on a circuit board substrate made of glass epoxy resin, the LED chip being encapsulated by means of a transparent or translucent resin. A number of LED units must be provided in the conventional device since the conventional LED unit does not show any pronounced directional behavior. Therefore, a problem arises in that the conventional device cannot meet the requirement for low manufacturing cost.
    [0004] Esist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine LED-Einrichtungbereitzustellen, die mehrere Anzeigen beleuchten kann, im Richtungsverhaltensteuerbar ist und mit geringen Kosten hergestellt werden kann.Itis an object of the present invention, an LED deviceprovide that can illuminate multiple ads in directional behavioris controllable and can be produced at low cost.
    [0005] Erfindungsgemäß wird eineLichtemissionsdiodeneinrichtung bereitgestellt mit einem Schaltungs-bzw. Leiterplattensubstrat, einer LED, die auf dem Schaltungssubstratmontiert ist, einer transparenten oder durchscheinenden Harzschicht,die die LED einkapselt, einer Reflektionsschicht, die auf der Harzschichtzum Reflektieren von Licht, das von der LED ausgesandt wird, vorgesehenist.According to the inventionLight emission diode device provided with a circuitor printed circuit board substrate, an LED that is on the circuit substratemounted, a transparent or translucent resin layer,which encapsulates the LED, a reflective layer on top of the resin layerfor reflecting light emitted by the LEDis.
    [0006] DieEinrichtung umfasst ferner einen unteren reflektierenden Film, derauf der oberen Oberfläche desSchaltungssubstrats ausgebildet ist.TheThe device further includes a lower reflective film, theon the top surface of theCircuit substrate is formed.
    [0007] Diereflektierende Schicht ist vorgesehen, um das von der LED ausgesandteLicht teilweise durchzulassen.Thereflective layer is provided around that emitted by the LEDTo let some light through.
    [0008] Ineinem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst die reflektierendeSchicht eine transparente Halteplatte und einen oberen reflektierendenFilm, der zwischen der oberen Flächeder Harzschicht und der Unterseite der Halteplatte angeordnet ist.InOne aspect of the present invention includes reflectiveLayer a transparent holding plate and an upper reflective oneFilm between the top surfacethe resin layer and the underside of the holding plate is arranged.
    [0009] Derobere reflektierende Film ist als Metallplattierungsfilm ausgebildet.Theupper reflective film is formed as a metal plating film.
    [0010] Dieseund weitere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung gehenaus der folgenden detaillierten Beschreibung mit Bezug zu den begleitendenZeichnungen deutlicher hervor.Thisand other objects and features of the present inventionfrom the following detailed description with reference to the accompanyingDrawings more clearly.
    [0011] 1 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt; 1 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention;
    [0012] 2 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt; 2 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a second embodiment of the present invention;
    [0013] 3 und 4 sind Schnittansichten, die eine dritteAusführungsformdarstellen; 3 and 4 Fig. 14 are sectional views illustrating a third embodiment;
    [0014] 5 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer vierten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt; und 5 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention; and
    [0015] 6 ist eine Draufsicht eineskonventionellen tragbaren Telefons. 6 Fig. 4 is a top view of a conventional portable phone.
    [0016] 1 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt. 1 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention.
    [0017] DieLED-Einrichtung 1 umfasst ein Schaltungssubstrat 2,das aus einem Harz gebildet ist, etwa einem Glasepoxyharz, einenunteren Reflektionsfilm 6, der auf der Oberfläche desSchaltungssubstrats 2 gebildet ist, und der durch Plattierenvon Ag oder Au hergestellt ist, und eine LED 3, die aufdem Schaltungssubstrat 2 montiert ist. Die LED 3 istmit Elektroden verbunden, die an der Oberfläche des Substrats 2 vorgesehensind. Die LED 3 ist durch eine transparente oder durchscheinendeHarzschicht 4 eingekapselt.The LED device 1 includes a circuit substrate 2 made of a resin such as a glass epoxy resin, a lower reflection film 6 that is on the surface of the circuit substrate 2 and which is made by plating Ag or Au, and an LED 3 that are on the circuit substrate 2 is mounted. The LED 3 is connected to electrodes on the surface of the substrate 2 are provided. The LED 3 is through a transparent or translucent resin layer 4 encapsulated.
    [0018] Erfindungsgemäß ist eineReflektionsschicht 5 auf der Harzschicht 4 ausgebildet.Die Reflektionsschicht 5 umfasst eine Halteplatte 7 undeinen oberen Reflektionsfilm 8, der auf der Unterseiteder Halteplatte 7 ausgebildet ist. Die Halteplatte 7 istaus einem transparenten oder durchscheinenden Harz hergestellt.Der obere Reflektionsfilm 8 ist durch Abscheiden oder Plattiereneines reflektierenden Metalls gebildet, das das von der LED 3 ausgesandte Lichtreflektieren kann. Der obere Reflektionsfilm 8 wird zueinem dünnenFilm, beispielsweise 1 μmdick, bearbeitet, um Licht von der LED 3 teilweise durchzulassen.According to the invention is a reflective layer 5 on the resin layer 4 educated. The reflective layer 5 includes a holding plate 7 and an upper reflection film 8th that is on the bottom of the holding plate 7 is trained. The holding plate 7 is made of a transparent or translucent resin. The top reflective film 8th is formed by depositing or plating a reflective metal that is that of the LED 3 emitted light can reflect. The top reflective film 8th is processed into a thin film, for example 1 μm thick, to receive light from the LED 3 partially let through.
    [0019] Licht,das von der LED 3 ausgesandt wird, geht durch die Harzschicht 4 unddie Reflektionsschicht 5 als mittleres durchgelassenesLicht 1 und seitlich durchgelassenes Licht II. Teile desLichts, das von der LED ausgesandt wird, werden von dem oberen Reflektionsfilm 8 reflektiertund werden weiterhin von dem unteren Reflektionsfilm 6 aufdem Substrat 2 als erneut reflektiertes Seitenlicht IIIreflektiert. Das Seitenlicht III wird auch von der Seitenwand der Harzschicht 4 ausgesandt.Somit wird das ausgesandte Licht breit aufgestreut.Light from the LED 3 is sent through the resin layer 4 and the reflective layer 5 as a medium transmitted light 1 and laterally transmitted light II. Parts of the light emitted by the LED are emitted by the upper reflective film 8th reflected and continue to be reflected by the lower reflective film 6 on the substrate 2 reflected as re-reflected side light III. The side light III is also from the side wall of the resin layer 4 sent. The light emitted is thus widely scattered.
    [0020] Wenndie Dicke des oberen Reflektionsfilms 8 erhöht wird,steigt die Reflektivitätan und die Durchlässigkeitnimmt ab. Daher wird die Lichtverteilung intensiviert. Somit kannein gewünschtesMaß anLichtdiffusion bzw. Verteilung erreicht werden.If the thickness of the top reflective film 8th is increased, the reflectivity increases and the permeability decreases. The light distribution is therefore intensified. A desired degree of light diffusion or distribution can thus be achieved.
    [0021] 2 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt. 2 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a second embodiment of the present invention.
    [0022] DieLED-Einrichtung 1 ist vom Aufbau her identisch zu der erstenAusführungsform.Daher werden die gleichen Teile wie in der ersten Ausführungsformmit den gleichen Bezugszeichen wie in 1 belegt.Der Unterschied zu der ersten Ausführungsform besteht darin, dassdie Dicke der Harzschicht 4 kleiner als jene der Harzschicht 4 in 1 ist. Durch Verringern derDicke der Harzschicht 4 kann der Reflektionswinkel deswiederreflektierten Seitenlichts III größer werden, so dass die Lichtverteilungdes Lichts III ansteigt.The LED device 1 is structurally identical to the first embodiment. Therefore, the same parts as in the first embodiment are given the same reference numerals as in FIG 1 busy. The difference from the first embodiment is that the thickness of the resin layer 4 smaller than that of the resin layer 4 in 1 is. By reducing the thickness of the resin layer 4 the reflection angle of the re-reflected side light III can become larger, so that the light distribution of the light III increases.
    [0023] Somitkann das Maß derLichtverteilung auch auf einen gewünschten Wert eingestellt werden,indem die Dicke der Harzschicht 4 geändert wird.Thus, the amount of light distribution can also be set to a desired value by the thickness of the resin layer 4 will be changed.
    [0024] 3 und 4 sind Schnittansichten einer drittenAusführungsform.In dieser Ausführungsform wirddie Flächedes oberen Reflektionsfilms 8 geändert. Obwohl die Reflektivität des oberenReflektionsfilms 8 konstant ist, werden das Maß der Diffusion unddie Helligkeitsverteilung geändert,indem die Flächedes oberen Reflektionsfilmes 8 variiert wird. 3 and 4 are sectional views of a third embodiment. In this embodiment, the surface of the upper reflection film 8th changed. Although the reflectivity of the top reflective film 8th is constant, the degree of diffusion and the brightness distribution are changed by the area of the top reflective film 8th is varied.
    [0025] Wenndie Flächedes oberen Reflektionsfilmes 8 wie in 4 vergrößert wird, steigt das Maß der Diffusiondes wiederreflektierten Seitenlichts III an. Wenn die Reflektivität des oberenReflektionsfilms 8 variiert wird, werden natürlich dasMaß der Diffusionund die Helligkeitsverteilung unterschiedlich geändert.If the surface of the top reflective film 8th as in 4 is increased, the degree of diffusion of the reflected side light III increases. If the reflectivity of the upper reflection film 8th is varied, the degree of diffusion and the brightness distribution are of course changed differently.
    [0026] Wenndie Flächedes oberen Reflektionsfilmes 8 verringert wird, steigtdie Intensitätder Strahlung des durchgehenden Seitenlichts II an.If the surface of the top reflective film 8th is reduced, the intensity of the radiation of the continuous sidelight II increases.
    [0027] 5 ist eine Schnittansicht,die eine Lichtemissionsdiodeneinrichtung gemäß einer vierten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt. In der LED-Einrichtung 1 istdie Dicke der Harzschicht 4 reduziert. Da die Harzschicht 4 dünn ist,steigt die Helligkeit des wiederreflektierten Seitenlichts III an. 5 Fig. 12 is a sectional view showing a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention. In the LED device 1 is the thickness of the resin layer 4 reduced. Because the resin layer 4 is thin, the brightness of the reflected side light III increases.
    [0028] Wiezuvor beschrieben ist, kann die Verteilung des Lichts stark verändert werden.Wenn die Flächedes oberen Reflektionsfilmes 8 erhöht wird oder die Dicke derHarzschicht 4 reduziert wird, steigt das Maß der Diffusionbzw. der Verteilung des wiederreflektierten Seitenlichts III an.Wenn die Fläche desoberen Reflektionsfilmes 8 verringert wird, steigt dieIntensitätder Strahlung des durchgelassenen Seitenlichts II an.As described above, the distribution of light can be changed widely. If the surface of the top reflective film 8th is increased or the thickness of the resin layer 4 is reduced, the degree of diffusion or the distribution of the re-reflected side light III increases. If the surface of the top reflective film 8th is reduced, the intensity of the radiation of the transmitted side light II increases.
    [0029] Somitkann erfindungsgemäß eine gewünschte Ausdehnungdes ausgesandten Lichts von der LED und eine gewünschte Verteilung der Helligkeiterreicht werden.Consequentlycan according to the invention a desired extensionof the light emitted by the LED and a desired distribution of the brightnesscan be achieved.
    [0030] Obwohldie Erfindung in Verbindung mit bevorzugten speziellen Ausführungsformenbeschrieben ist, versteht sich von selbst, dass diese Beschreibungals lediglich anschaulich gedacht ist, und nicht den Schutzbereichder Erfindung einschränkensoll, der durch die folgenden Patentansprüche definiert ist.Even thoughthe invention in connection with preferred special embodimentsIt is understood that this descriptionis meant to be illustrative only and not the area of protectionrestrict the inventionis intended to be defined by the following claims.
    权利要求:
    Claims (6)
    [1]
    Lichtemissionsdiodeneinrichtung mit: einemSchaltungssubstrat; einer auf dem Schaltungssubstrat montiertenLED; einer Harzschicht, die die LED einkapselt; einerReflektionsschicht, die auf der Harzschicht zum Reflektieren vonLicht, das von der LED ausgesandt wird, vorgesehen ist.Light emission diode device with:oneCircuit substrate;one mounted on the circuit substrateLED;a layer of resin that encapsulates the LED;oneReflective layer on the resin layer for reflectingLight that is emitted by the LED is provided.
    [2]
    Einrichtung nach Anspruch 1, die ferner einen unterenReflektionsfilm aufweist, der auf einer oberen Fläche desSchaltungssubstrats ausgebildet ist.The device of claim 1, further comprising a lower oneHas reflection film on an upper surface of theCircuit substrate is formed.
    [3]
    Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die Reflektionsschichtzum teilweisen Durchlassen des von der LED ausgesandten Lichts vorgesehenist.The device of claim 1, wherein the reflective layerintended for partial transmission of the light emitted by the LEDis.
    [4]
    Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die Reflektionsschichteine transparente Halteplatte und einen oberen Reflektionsfilm,der zwischen der oberen Oberflächeder Harzschicht und der Unterseite der Halteplatte angeordnet ist,aufweist.The device of claim 1, wherein the reflective layera transparent holding plate and an upper reflection film,the one between the top surfacethe resin layer and the underside of the holding plate is arranged,having.
    [5]
    Einrichtung nach Anspruch 4, wobei der obere Reflektionsfilmmittels Plattierung eines Metalls hergestellt ist.The device of claim 4, wherein the upper reflective filmis made by plating a metal.
    [6]
    Einrichtung nach Anspruch 4, wobei der obere Reflektionsfilmeine Flächeaufweist, die kleiner als eine Fläche der Harzschicht ist.The device of claim 4, wherein the upper reflective filman areawhich is smaller than an area of the resin layer.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2004-11-04| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2013-04-09| R016| Response to examination communication|
    2013-07-01| R079| Amendment of ipc main class|Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033600000 |
    2013-07-22| R018| Grant decision by examination section/examining division|
    2013-08-22| R079| Amendment of ipc main class|Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033600000 Effective date: 20130701 |
    2014-05-08| R020| Patent grant now final|Effective date: 20140215 |
    2020-10-01| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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