Access method for a NAND flash memory device and a corresponding NAND flash memory device

专利摘要:
Bei dem Zugriffs-Verfahren für einen Speicherbaustein (7), insbesondere für einen NAND-Flash-Speicherbaustein, hängt der Speicherzugriff davon ab, welcher Speicherbaustein-Typ verwendet wird. Dabei soll das Verfahren verschiedene Speicherbaustein-Typen unterstützen. Laut dem erfindungsgemäßen Verfahren werden zunächst Daten (27) aus dem Speicherbaustein (7) ausgelesen, welche eine Speicherbaustein-typische Information für den Zugriff auf den Speicherbaustein (7) enthalten. Der anschließende Zugriff auf den Speicherbaustein erfolgt unter Verwendung der in den Daten (27) enthaltenen Speicherbaustein-typischen Information.In the access method for a memory device (7), in particular for a NAND flash memory device, the memory access depends on which memory device type is used. The method should support different types of memory blocks. According to the inventive method, first data (27) are read out of the memory module (7), which contain memory-module-typical information for accessing the memory module (7). The subsequent access to the memory module takes place using the typical in the data (27) memory module information.
公开号:DE102004013493A1
申请号:DE200410013493
申请日:2004-03-18
公开日:2005-10-13
发明作者:Eckhard Delfs；Uwe Hildebrand
申请人:Infineon Technologies AG；
IPC主号:G11C7-00

专利说明:
[0001] DieErfindung betrifft ein Zugriffs-Verfahren für einen Speicherbaustein, insbesonderefür einen NAND-Flash-Speicherbaustein,wobei mindestens ein je nach Zugriffsart verwendeter Zugriffsbefehlvon dem verwendeten Typ des Speicherbausteins abhängt. Fernerbetrifft die Erfindung einen entsprechenden Speicherbaustein.TheThe invention relates to an access method for a memory module, in particularfor a NAND flash memory device,where at least one access command used depending on the type of accessdepends on the type of memory chip used. FurtherThe invention relates to a corresponding memory module.
[0002] Multi-funktionaleMobilfunkgeräte, MP3-Player,PDAs (Personal Digital Assistant) und andere hochkomplexe Kleingeräte erfreuensich zunehmender Beliebtheit. Derartige Geräte umfassen häufig große nichtflüchtige Festspeicher,die der Speicherung komplexer Betriebssysteme, einer Vielzahl vonApplikationen und speicherintensiver Nutzer-Daten dienen können. Inzunehmendem Maße wirddazu als elektrisch wiederbeschreibbarer Festspeicher (EEPROM – electricalerasable and programmable read-only Memory) auch NAND-Flash-Speichereingesetzt, der den traditionell verwendeten NOR-Flash-Speicherin vielen Anwendungsfällenverdrängt.Ursächlichfür denMarkterfolg des NAND-Flash-Speichers ist, dass die Speicherdichtedes NAND-Flash-Speichers gegenüberderjenigen des NOR-Flash-Speichershöher istund dadurch die Kosten pro Megabyte geringer sind.Multi-functionalMobile devices, MP3 players,PDAs (Personal Digital Assistant) and other highly complex small appliances delightincreasing in popularity. Such devices often include large non-volatile ROMs,the storage of complex operating systems, a variety ofApplications and memory-intensive user data can serve. Inis becoming increasingly importantin addition as electrically rewritable permanent memory (EEPROM - electricalerasable and programmable read-only memory) also NAND flash memoryused the traditionally used NOR flash memoryin many applicationsrepressed.causalfor theMarket success of the NAND flash memory is that the storage densityof the NAND flash memorythat of the NOR flash memoryis higherand thus the cost per megabyte is lower.
[0003] NAND-Flash-Speicherund NOR-Flash-Speicher unterscheiden sich deutlich hinsichtlichdes Speicherzugriffs: NOR-Flash-Speicherunterstützteinen wahlfreien Zugriff auf Byte- oder Wortebene, wobei NAND-Flash-Speichereinen derartigen wahlfreien Zugriff nicht unterstützt. Beieinem NAND-Flash-Speicherwird der Speicherzugriff im Allgemeinen indirekt über einebidirektionale 8-Bit I/O-Schnittstelle abgewickelt. Dazu wird über diese einentsprechender Zugriffsbefehl, welcher eine Kommando-Angabe undeiner Adress-Angabe umfasst, an die Speicher-internen Kommando-und Adress-Register übertragen.Der Lese- und der Schreibzugriff erfolgen beim NAND-Flash-Speicher imGegensatz zur Byte- oder Wortebene des NOR-Flash-Speichers auf Page-Ebene, wobeieine sogenannte Page je nach Typ des NAND-Flash-Speichers ein 256Bytes bis 2048 Bytes großerSpeicherbereich ist.NAND flash memoryand NOR flash memory differ significantly in terms ofMemory Access: NOR Flash Memorysupportsrandom access at the byte or word level, using NAND flash memorydoes not support such random access. ata NAND flash memoryIn general, memory access is indirectly over oneBidirectional 8-bit I / O interface handled. This is about this onecorresponding access command, which a command statement andan address specification, to the memory-internal commandsand address registers transmitted.The read and write access is done with the NAND flash memory inUnlike the byte or word level of the NOR flash memory at the page level, wherea so-called page depending on the type of NAND flash memory 256Bytes up to 2048 bytes bigMemory area is.
[0004] Problematischbeim NAND-Flash-Speicher ist, dass der Zugriffsbefehl, beispielsweiseder Auslesebefehl zum Auslesen von Daten aus dem NAND-Flash-Speicher,vom verwendeten Typ des NAND-Flash-Speichers abhängig ist. Dies betrifft im Allgemeinensowohl die Kommando-Angabe als auch die Adress-Angabe.Problematicwith NAND flash memory is that the access command, for examplethe read-out command for reading out data from the NAND flash memory,depends on the type of NAND flash memory used. This generally appliesboth the command specification and the address information.
[0005] DieVariabilitätdes Zugriffs ist insbesondere fürHersteller von derartigen Systemen kritisch, die aufgrund der unterschiedlichenAnforderungen der Kunden mit einer Vielzahl unterschiedlicher Typen vonNAND-Flash-Speichern betrieben werden. Das System muss also je nachverwendetem Typ den jeweils gültigenZugriffsbefehl an den NAND-Flash-Speicher senden.Thevariabilitythe access is in particular forManufacturers of such systems critical, due to the differentRequirements of customers with a variety of different types ofNAND flash memories are operated. The system must be different depending onused type the valid oneSend an access command to the NAND flash memory.
[0006] Insbesonderebeim Hochfahren eines Systems (Boot-Prozess) ist es notwendig, dassin einem NAND-Flash-Speicher abgelegte Informationen (beispielsweiseProgramminstruktionen oder sonstige Daten) während des Boot-Prozesses ausdem Speicher ausgelesen werden können.Die währenddes Hochfahrens durchzuführendenZugriffe sind dabei in einem sogenannten Boot-ROM (Read Only Memory) abgespeichert.EspeciallyWhen booting a system (boot process) it is necessary thatinformation stored in a NAND flash memory (e.g.Program instructions or other data) during the boot processthe memory can be read out.The whileto be carried outAccesses are stored in a so-called boot ROM (Read Only Memory).
[0007] Umden je nach Speichertyp gültigenZugriffsbefehl fürden verwendeten NAND-Flash-Speicher abzuleiten, ist es bekannt,den Typ des verwendeten NAND-Flash-Speichers über einen speziellen Befehlabzufragen. Der Flash-Speicher gibt dabei eine Hersteller-Nummer(ein Byte) und eine Typen-Nummer (ein Byte) aus, wobei die Typen-Nummerdie Betriebsspannung, die Speichergröße und die Speicher-Organisationkodiert. In Abhängigkeit dieserbeiden Nummern kann der jeweils gültige Zugriffs befehl, insbesondereder Auslesebefehl, abgeleitet werden. Nachteilig an dieser Lösung istdie Gefahr einer Inkompatibilität.Dabei ist zum einen denkbar, dass sich die Hersteller von NAND-Flash-Speichern,insbesondere neue Hersteller, nicht an die Vorgaben in Bezug aufdie Hersteller-Nummer und die Typen-Nummer halten, so dass ein Speichertyp mitdem System bekanntem Zugriffsbefehl aber inkorrekter Hersteller-Nummerund/oder Typen-Nummer vom System nicht unterstützt werden kann. Ferner können zukünftige NAND-Flash-Speichermit Systemseitig unbekannten neuen Hersteller-Nummern und/oder Typen-Nummernohne eine Aktualisierung des Systems nicht erkannt und damit nicht unterstützt werden.Die Aktualisierung des Systems, insbesondere die Aktualisierungdes Boot-ROMs, ist dabei mit zusätzlichenKosten und Aufwand verbunden.Arounddepending on the memory type validAccess command forderive the used NAND flash memory, it is knownthe type of NAND flash memory used via a special commandquery. The flash memory gives a manufacturer number(one byte) and a type number (one byte), where the type numberthe operating voltage, the memory size and the memory organizationcoded. Depending on thisboth numbers can be the respectively valid access command, in particularthe read-out command, are derived. The disadvantage of this solutionthe danger of incompatibility.On the one hand, it is conceivable that the manufacturers of NAND flash memories,especially new manufacturers, not to the specifications in terms ofkeep the manufacturer number and the type number, so using a memory typethe system knows access command but incorrect manufacturer numberand / or type number can not be supported by the system. Further, future NAND flash memorywith system-unknown new manufacturer numbers and / or type numberswithout an update of the system not recognized and therefore not supported.The update of the system, especially the updateof the boot ROM, is included with additionalCost and effort associated.
[0008] Fernerist es bekannt, Typ-spezifische Informationen des NAND-Flash-Speichersdurch Beschaltung von Konfigurationspins des Prozessorbausteinsauszulesen, um den Zugriff auf den NAND-Flash-Speicher, insbesondereden Lesezugriff, entsprechend dieser Typ-spezifischen Informationenauszuführen.Dieser Ansatz wird insbesondere zur Erkennung der Bus-Breite (8oder 16 Bit) der I/O-Schnittstelle des verwendeten NAND-Flash-Speichers eingesetzt.Nachteilig an dieser Lösungist, dass das Auslesen mit einem zusätzlichen Hardware-Aufwand verbundenist.FurtherIt is known, type-specific information of the NAND flash memoryby wiring configuration pins of the processor moduleto read access to the NAND flash memory, in particularthe read access, according to this type-specific informationperform.This approach is used in particular for detecting the bus width (8or 16 bits) of the I / O interface of the NAND flash memory used.A disadvantage of this solutionis that reading is associated with additional hardware overheadis.
[0009] Darüber hinaussind Ansätzebekannt, bei denen neben dem NAND-Flash-Speicher ein zusätzlicherFestspeicher, beispielsweise ein dedizierter EEPROM oder ein zusätzlicherNOR-Flash-Speicher,vorgesehen wird, welcher die zum Zugriff des NAND-Flash-Speichers notwendigenInformationen trägt.Nachteilig an dieser Lösungist der zusätzliche Hardware-Aufwand.Furthermoreare approachesin which, in addition to the NAND flash memory, an additionalFixed memory, such as a dedicated EEPROM or an additionalNOR flash memory,which is necessary for accessing the NAND flash memoryCarries information.A disadvantage of this solutionis the extra hardware overhead.
[0010] Insbesondereim Hinblick auf das Auslesen eines NAND-Flash-Speichers während des Boot-Prozesses einesSystems ist es bekannt, dass manche Typen von NAND-Flash-Speichernnach einem Zurücksetzen(Reset) des NAND-Flash-Speichers den Dateninhalt eines bestimmtenSpeicherbereichs ahne speziellen Auslesebefehl ausgeben. Hierbeihandelt es sich um den Dateninhalt der Page 0 des Blocks 0. Nachteiligan dem Auslesen ohne speziellen Auslesebefehl ist, dass dieser Ansatznur von wenigen Typen von NAND-Flash-Speichern unterstützt wird.Ferner fehlt dem auslesenden System weiterhin die Information zurGröße einerPage, so dass dieses das letzte Byte der seriell ausgelesenen Folgevon Bytes der Page ohne eine entsprechende Indikation nicht erkennenkann. Zur Indikation des letzten Bytes wird in diesem Fall zwargenerell das letzte Byte wiederholt, jedoch ist diese Indikation nichtzuverlässig.Außerdemkann mit dieser Methode nur ein bestimmter Speicherbereich (Page0 in Block 0) des NAND-Flash-Speichers ausgelesen werden. Ein Ausleseneines beliebigen Speicherbereichs oder gar des gesamten Speicherinhaltsdes NAND-Flash-Speichers ist damit nicht möglich.Especiallywith regard to reading a NAND flash memory during the boot process of aSystems it is known that some types of NAND flash memoryafter a reset(Reset) of the NAND flash memory the data content of a particularOutput memory area without special read command. in this connectionis the data content of Page 0 of block 0. Disadvantageat the read without special read command is that approachsupported by only a few types of NAND flash memory.Furthermore, the readout system still lacks the information forSize onePage, so this is the last byte of the serially read sequenceBytes of the Page without an appropriate indication not recognizecan. The indication of the last byte is indeed in this caseGenerally the last byte is repeated, but this indication is notreliable.FurthermoreThis method can only use a specific memory area (Page0 in block 0) of the NAND flash memory. A readoutany memory area or even the entire memory contentsNAND flash memory is not possible.
[0011] Nebender erwähntenProblematik in Bezug auf den Auslesebefehl sind auch beim eigentlichen Auslesender Daten, d. h. nach Eingabe des Auslesebefehls, Speicherbaustein-typischeUnterschiede zu beachten. Beispielsweise muss bei einem NAND-Flash-Speicher dasauslesende System Kenntnis überdie Größe einerausgelesenen Page haben, um das Ende der über die I/O-Schnittstelle übertragenen Datensequenz sicherzu erkennen.Nextthe mentionedProblems with regard to the read-out command are also present during the actual read-outthe data, d. H. after entering the read-out command, memory block-typicalDifferences to note. For example, with a NAND flash memory, thereading system knowledge aboutthe size of onethe end of the data sequence transferred via the I / O interfaceto recognize.
[0012] Esist daher Aufgabe der Erfindung, ein flexibles Zugriffs-Verfahren für eine Vielzahlvon Typen von Speicherbausteinen, insbesondere für eine Vielzahl von Typen vonNAND-Flash-Speicherbausteinen,anzugeben. Insbesondere sollte das Zugriffs-Verfahren so flexibelausgestaltet sein, dass dieses auch zukünftige Typen von Speicherbausteinenohne eine Aktualisierung unterstützt,wobei zur Durchführungdes Zugriffs-Verfahrensauf zusätzlicheHardware-Komponenten verzichtet werden sollte. Ferner ist die Erfindungauf die Angabe eines entsprechenden Speicherbausteins gerichtet.Itis therefore an object of the invention, a flexible access method for a varietytypes of memory devices, especially for a variety of types of memory devicesNAND flash memory chips,specify. In particular, the access procedure should be so flexiblebe designed that this also future types of memory deviceswithout an update,being to carrythe access procedureon additionalHardware components should be waived. Furthermore, the inventiondirected to the specification of a corresponding memory module.
[0013] Dieder Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung wird durch dieMerkmale der Ansprüche 1bzw. 15 gelöst.TheThe invention is based task by theFeatures of claims 1or 15 solved.
[0014] Beidem Zugriffs-Verfahren füreinen Speicherbaustein gemäß Anspruch1 hängtder Zugriff davon ab, welcher Speicherbaustein-Typ verwendet wird.Dabei werden von dem Verfahren verschiedene Speicherbaustein-Typenunterstützt.Unter dem Begriff Speicherbaustein wird im Sinne der Anmeldung einHalbleiterspeicher verstanden. Laut dem erfindungsgemäßen Verfahrenwerden zunächsterste Daten aus dem Speicherbaustein ausgelesen, welche eine Speicherbaustein-typischeInformation fürden Zugriff auf den Speicherbaustein enthalten. Der Zugriff aufden Speicherbaustein erfolgt unter Verwendung der in den erstenDaten enthaltenen Speicherbaustein-typischen Information.atthe access procedure fora memory module according to claim1 hangsthe access depends on which type of memory block is being used.In this case, the method different memory module typessupported.The term memory module is used in the sense of the applicationSemiconductor memory understood. According to the method of the inventionbe firstfirst data read from the memory module, which is a typical memory blockinformation forto access the memory device. Access toThe memory chip is made using the in the firstData containing typical memory device information.
[0015] DieErfindung beruht auf der Erkenntnis, dass das Auslesen bestimmtererster Daten auch ohne genaue Kenntnis des Typs des verwendeten Speichersbewerkstelligt werden kann, wohingegen ein mehr oder weniger beliebigerZugriff auf den Speicherbaustein, beispielsweise das Auslesen beliebigerDaten oder des vollständigenSpeicherinhalts beim Hochfahren des Systems, ohne genaue Kenntnisder Zugriffs-Befehle im Allgemeinen nicht möglich ist. Das Auslesen derersten Daten kann insbesondere dadurch vereinfacht werden, dassdie ersten Daten in einem fürdiesen Zweck besonders geeigneten Speicherbereich ablegt sind, aufden auch ohne genaue Kenntnis des verwendeten Speicherbaustein-Typsleicht zugegriffen werden kann. Sind diese ersten Daten dem Systemdurch das Einlesen bekannt, kann unter Verwendung dieser Informationder Zugriff auf den Speicherbaustein erfolgen.TheInvention is based on the recognition that the reading of certainfirst data even without precise knowledge of the type of memory usedcan be accomplished, whereas a more or less arbitraryAccess to the memory module, for example, the reading of anyData or the wholeMemory contents at startup of the system, without exact knowledgeaccess commands are generally not possible. Reading out theFirst data can be simplified in particular by the fact thatthe first dates in a forthis purpose particularly suitable memory area stores are oneven without precise knowledge of the type of memory module usedeasy to access. Are these first dates the systemknown by reading, may using this informationaccess to the memory module done.
[0016] Daserfindungsgemäße Zugriffs-Verfahren verursachtkeinen zusätzlichenHardware-Aufwand, da das Verfahren Softwarebasiert arbeitet. Dabeibelegt das Verfahren lediglich einen kleinen Speicherbereich aufdem Speicherbaustein, in dem die ersten Daten abgelegt sind. DasVerfahren verursacht keine darüberhinausgehenden Kosten.Thecauses access method according to the inventionno additionalHardware overhead, as the process works software based. therethe procedure occupies only a small memory areathe memory module in which the first data is stored. TheProcedure does not cause any over itadditional costs.
[0017] Fernerbietet das Zugriffs-Verfahren den Vorteil, dass es derart flexibelist, dass auch zukünftige Typenvon Speicherbausteinen unterstütztwerden. Dies ist insbesondere darauf zurückzuführen, dass die zum Zugriffnotwendige Information bereits auf dem Speicherbaustein enthaltenist. Bei zukünftigen Speicherbaustein-Typenmuss die Information dann nur auf dem jeweiligen Speicherbausteinangepasst werden, ohne eine explizite Aktualisierung, beispielsweise über einaktualisiertes Boot-ROM, des verbleibenden Systems durchführen zumüssen.Der jeweilige Speicherbaustein liefert die Aktualisierung also quasimit. Das Verfahren verzichtet dabei auf die Verwendung einer Hersteller-Nummerund einer Typen-Nummer,insbesondere funktionskompatible Speicherbaustein-Typen mit unterschiedlichenNummern werden dadurch problemlos unterstützt. Auch auf Speicherbausteinemit einem Aufbau, der sich deutlich von dem anderer Speicherbaustein-Typen unterscheidet,kann mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrensbei Bereitstellung der entsprechenden Information zugegriffen werden.Furthermore, the access method offers the advantage that it is flexible enough to support future types of memory devices as well. This is due in particular to the fact that the information necessary for the access is already contained on the memory module. For future memory module types, the information then only has to be adapted to the respective memory module without having to carry out an explicit update, for example via an updated boot ROM, of the remaining system. The respective memory module thus virtually provides the update. The method dispenses with the use of a manufacturer number and a type number, in particular function-compatible Memory block types with different numbers are easily supported. Memory components with a structure that differs significantly from other types of memory module can also be accessed by providing the corresponding information with the aid of the method according to the invention.
[0018] Vorteilhafterweisehängt mindestensein je nach Zugriffsart verwendeter Zugriffsbefehl davon ab, welcherTyp des Speicherbausteins verwendet wird. Unter Ausnutzung der inden ersten Daten enthaltenen Speicherbaustein-typischen Information wirdmindestens ein Zugriffsbefehl abgeleitet. Der eigentliche Zugriffauf den Speicherbaustein erfolgt durch Eingabe des mindestens einenZugriffsbefehls. Diese bevorzugte Ausführungsform der Erfindung bietetden Vorteil, dass der mindestens eine Zugriffsbefehl flexibel für eine Vielzahlvon Speicherbaustein-Typen abgeleitet werden kann.advantageously,at least dependsan access command used depending on the type of access depends on whichType of memory chip is used. Taking advantage of inThe typical information contained in the first data will becomederived at least one access command. The actual accesson the memory module is done by entering the at least oneAccess command. This preferred embodiment of the invention offersthe advantage that the at least one access command flexible for a varietyderived from memory block types.
[0019] DerSpeicherzugriff kann dabei durch lediglich einen Zugriffsbefehloder eine Mehrzahl von Zugriffsbefehlen erfol gen. Letzteres istdann der Fall, wenn ein Zugriff auf mehrere Speicherbereiche erfolgt.Of theMemory access can by just one access commandor a plurality of access commands suc conditions. The latter isthen the case when accessing multiple memory areas.
[0020] Hierbeiist es insbesondere im Sinne der Erfindung denkbar, dass die Speicherbaustein-typische Informationden mindestens einen Zugriffsbefehl oder einen Abschnitt des mindestenseinen Zugriffsbefehls direkt angibt.in this connectionIn particular, it is conceivable in the sense of the invention that the memory module-typical informationthe at least one access command or a section of the at leastan access command directly indicates.
[0021] Beieinem bevorzugten Anwendungsfall des erfindungsgemäßen Verfahrenshandelt es sich bei dem Speicherzugriff um ein Auslesen von zweiten Datenaus dem Speicherbaustein, wobei das Auslesen der zweiten Daten über mindestenseinen Auslesebefehl zum Auslesen der zweiten Daten bewerkstelligtwird. Dieser Auslesebefehl wird dem Speicher über die entsprechende Schnittstellemitgeteilt.ata preferred application of the method according to the inventionIf the memory access is a readout of second datafrom the memory module, wherein the reading of the second data via at leasta read-out command for reading the second data accomplishedbecomes. This read-out command is sent to the memory via the corresponding interfacecommunicated.
[0022] Fernerlässt sichdas Verfahren besonders vorteilhaft in Bezug auf NAND-Flash-Speicherbausteineeinsetzen. Bei diesen ist generell der jeweilige Auslesebefehl vondem verwendeten Typ des NAND-Flash-Speicherbausteins abhängig. Einen festenStandard fürden Auslesebefehl, an den sich alle Hersteller halten, existiertfür NAND-Flash-Speicherbausteinezur Zeit nicht. Ferner ergeben sich durch die unterschiedliche Organisationder Speicher zusätzlicheFreiheitsgrade in Bezug auf die Syntax des jeweiligen Auslesebefehls. Insbesonderefür NAND-Flash-Speicherbausteine sindaufgrund der großenNachfrage zukünftigeinige Weiterentwicklungen zu erwarten, die sich auch auf die Syntaxdes Auslesebefehls auswirken werden.Furtherlet yourselfthe method is particularly advantageous with respect to NAND flash memory devicesdeploy. These are generally the respective read-out command fromdepends on the type of NAND flash memory device used. A solidStandard forThe read-out command to which all manufacturers comply existsfor NAND flash memory devicesnot at the moment. Furthermore arise through the different organizationthe store additionalDegrees of freedom with regard to the syntax of the respective read command. Especiallyfor NAND flash memory devicesbecause of the big oneDemand in the futureto expect some further developments, which also affect the syntaxof the read-out command.
[0023] Typischerweisegilt fürSpeicherbausteine, insbesondere für NAND-Flash-Speicherbausteine, dassder mindestens eine Auslesebefehl eine Kommando-Angabe und eineAdress-Angabe (fürjeden einzelnen Auslesebefehl) umfasst. Bei den meisten NAND-Flash-Speicherbausteinengilt, dass ein Auslesen überdie ein Byte lange Kommando-Angabe „00h" erfolgen kann. Das Suffix „h" bezeichnet in der Anmeldungdie hexidezimale Zahlendarstellung. Neuerliche NAND-Flash-Speicherbausteinemit einer Page-Größe von 2048Bytes verwenden stattdessen eine 2 Byte lange Kommando-Angabe, wobeidas erste Byte den Wert „00h" und das zweite Byteden Wert „30h" haben. In diesemFall sieht die Syntax des Auslesebefehls so aus, dass zwischen denbeiden Bytes der Kommando-Angabe die Adress-Angabe zu erfolgen hat.typically,applies toMemory chips, in particular for NAND Flash memory chips, thatthe at least one read-out command a command statement and aAddress information (foreach individual read-out command). For most NAND flash memory devicesis that a readout overthe byte-long command specification "00h" can take place The suffix "h" designates in the applicationthe heximal numerical representation. New NAND flash memory deviceswith a page size of 2048Bytes instead use a 2-byte command specification, wherethe first byte is the value "00h" and the second bytehave the value "30h." In thisCase, the syntax of the read command looks like that between thetwo bytes of the command specification, the address must be specified.
[0024] Einbevorzugter Anwendungsfall fürdas erfindungsgemäße Verfahrensieht vor, dass das Auslesen der zweiten Daten Teil einer Prozedurzum Hochfahren eines den NAND-Flash-Speicherbaustein umfassenden Systemsist. Beim Hochfahren eines Systems werden Speicherinhalte des NAND-Flash-Speicherbausteinsin einen RAM-Baustein (Random Access Memory) kopiert. Dies ist insbesonderedeswegen notwendig, da ein wahlfreier Zugriff auf Byte- oder Wortebenebei einem NAND-Flash-Speicherbausteinim Gegensatz zu einem RAM nicht möglich ist. Außerdem sinddie Zugriffszeiten eines NAND-Flash-Speicherbausteins im Vergleich zu einemRAM deutlich höher,Werden beim Boot-Prozess Programminstruktionen zum Betrieb des Systemsvon dem NAND-Flash-Speicherbaustein in den RAM-Baustein kopiert, nennt man diesen Informationstransferauch Code-Shadowing. Da ein NAND-Flash-Speicherbaustein kein XIP(execute in place), also kein Ausführen von im Speicherbausteinablegten Programminstruktionen unterstützt, muss daher für Programminstruktionenzwingend auf das sogenannte Code-Shadowingzurückgegriffenwerden. Dabei könnennatürlichaußerProgramminstruktionen auch sonstige Daten, beispielsweise Datenfiles, übertragenwerden. Der Informationstransfer vom NAND-Flash-Speicherbausteinzum RAM-Baustein ermöglichtdann, dass die aus dem NAND-Flash-Speicherbaustein ausgelesenenund in den RAM-Baustein eingeschriebenen Programminstruktionen vomSystem abgearbeitet werden können.Onepreferred application forthe inventive methodprovides that reading out the second data is part of a procedurefor booting up a system comprising the NAND flash memory deviceis. When booting up a system, memory contents of the NAND flash memory device becomecopied to a random access memory (RAM) device. This is specialtherefore necessary, as an optional access to byte or word levelin a NAND flash memory deviceunlike a RAM is not possible. Besides, they arethe access times of a NAND flash memory device compared to aRAM much higher,Be used during the boot process program instructions for operating the systemcopied from the NAND flash memory device in the RAM module, this information transfer is calledalso code-shadowing. Since a NAND flash memory device is not XIP(execute in place), ie no execution in the memory blockTherefore, it has to support program instructionsmandatory on the so-called code-shadowingresortedbecome. It canNaturallyexceptProgram instructions also other data, such as data files transmittedbecome. The information transfer from the NAND flash memory deviceto the RAM module enabledthen that read out from the NAND flash memory deviceand in the RAM module written program instructions fromSystem can be processed.
[0025] Vorteilhafterweisehandelt es sich bei der Address-Angabe des Auslesebefehls zum Auslesen derersten Daten um eine Sequenz von Nullen. Diese Sequenz ist insbesondereeine Byte-Sequenz von 3 bis 5 Bytes mit jeweils dem Wert null. Diesbietet den Vorteil, dass die ersten Daten auch ohne eine System-seitigeKenntnis des verwendeten NAND-Flash-Speicher-Typs leichter als diezweiten Daten ausgelesen werden können. Dies liegt daran, dassmit dieser Adress-Angabe ein gegenüber anderen Speicherbereichenausgezeichneter Speicherbereich des NAND-Flash-Speicherbausteins adressiert wird.Dies ist darauf zurückzuführen, dassgenerell füralle gängigenNAND-Flash-Speicher-Typenein Speicherbereich existiert, der über eine Sequenz von mehrerenBytes mit dem Wert null adressiert werden kann; lediglich die Anzahlder Bytes variiert bei den verschiedenen NAND-Flash-Speicher-Typen(momentan zwischen 3 und 5 Bytes). Die mit diesem Freiheitsgradzusammenhängendemangelnde Eindeutigkeit der Syntax kann jedoch, wie später ausführlich beschrieben,ausgeräumtwerden.Advantageously, the address specification of the read-out command for reading out the first data is a sequence of zeroes. This sequence is in particular a byte sequence of 3 to 5 bytes, each with the value zero. This offers the advantage that the first data can be read out more easily than the second data even without a system-side knowledge of the NAND flash memory type used. This is due to the fact that with this address indication, a memory area which is distinguished from other memory areas rich of the NAND flash memory device is addressed. This is because generally there is a memory area for all common NAND flash memory types which can be addressed via a sequence of several bytes with the value zero; only the number of bytes varies with the different NAND flash memory types (currently between 3 and 5 bytes). However, the lack of uniqueness of the syntax associated with this degree of freedom can be dispelled, as described in detail later.
[0026] Esist von Vorteil, wenn die ersten Daten in der ersten Page des NAND-Flash-Speicherbausteins gespeichertsind. Diese Page wird mit der Nummer 0 bezeichnet und befindet sichin dem Block 0 des NAND-Flash-Speicherbausteins. Dieser Speicherbereichwird übereine wie vorstehend beschriebene Sequenz von Bytes mit dem Wertnull adressiert. Der Block 0 unterscheidet sich von anderen Blocksbei allen gängigenNAND-Flash-Speicher-Typendadurch, dass fürdiesen Block seitens der Halbleiterhersteller Speicherfehler ausgeschlossenwerden. Bei diesem Block kann es sich nicht um einen sogenannten „invalid" oder „bad" Block handeln. Diesbietet den Vorteil, dass eine Fehlerdetektion oder eine Fehlerkorrekturzum Auswerten der ersten Daten nicht benötigt wird. Eine Fehlerdetektionoder Fehlerkorrekur ist in diesem Zusammenhang deswegen problematisch, daauf die entsprechenden Informationen zur Fehlerindikation, auchals ECC-Information (Error Correction Code) bezeichnet, ohne eineInformation zur Größe der Pagenicht zugegriffen werden kann. Dies liegt daran, dass die ECC-Informationaußerhalbdes normalen Speicherbereichs einer Page liegt, d. h. außerhalbdes Bereiches einer Page, welcher durch die Page-Größe bestimmtwird. Dieser Speicherbereich wird im Rahmen der Anmeldung als zusätzlicher Spei cherbereichbezeichnet. Um sich den vorstehend beschriebenen Vorteil zunutzezu machen, ist es im Sinne der Erfindung auch denkbar, dass die erstenDaten in einer beliebigen Page in Block 0 gespeichert sind, ohnedass es sich dabei zwingend um Page 0 handelt. Auch in diesem Fallkönntegewährleistetwerden, dass die ersten Daten ohne eine Fehlerdetektion oder Fehlerkorrekturausgelesen und ausgewertet werden können.Itis beneficial if the first data is stored in the first page of the NAND flash memory deviceare. This page is designated by the number 0 and is locatedin block 0 of the NAND flash memory device. This storage areawill overa sequence of bytes with the value as described abovezero addressed. The block 0 is different from other blocksin all commonNAND flash memory typesin that forThis block excluded by the semiconductor manufacturers memory errorsbecome. This block can not be a so-called "invalid" or "bad" block. Thisoffers the advantage that an error detection or an error correctionto evaluate the first data is not needed. An error detectionor error correction is problematic in this context becauseto the appropriate information for error indication, tooas ECC information (Error Correction Code), without aInformation about the size of the pagecan not be accessed. This is because the ECC informationoutsidethe normal memory area of a page, d. H. outsidethe range of a page, which is determined by the page sizebecomes. This memory area is in the context of the registration as an additional storage areadesignated. To take advantage of the advantage described aboveIt is also conceivable within the meaning of the invention that the firstData is stored in any page in block 0 withoutthat this is mandatory. In this case, toocouldguaranteedbe that first data without an error detection or error correctioncan be read out and evaluated.
[0027] Esist von Vorteil, wenn die benötigteSpeichergröße für die erstenDaten eine bestimmte Speichergröße nicht überschreitet.Damit das Verfahren alle oder eine große Vielzahl von NAND-Flash-Speicher-Typenunterstützenkann, sollte die benötigte Speichergröße für die erstenDaten nicht größer sein alsdie kleinste Page-Größe der vomerfindungsgemäßen VerfahrenunterstütztenNAND-Flash-Speicher-Typen. Überschreitetdie Speichergröße für die erstenDaten nicht die zur Zeit kleinste Page-Größe von 256 Bytes, können dieersten Daten generell aus jedem NAND-Flash-Speicher-Typ ausgelesenwerden. Überschreitetalternativ die Speichergröße für die erstenDaten nicht die Page-Größe von 512 Bytes,könnendie ersten Daten aus jedem NAND-Flash-Speicher-Typ mit einer Page-Größe von 512Bytes oder mehr ausgelesen werden. Analog gilt diese Aussage für Speichergrößen für die erstenDaten mit maximal 1024 Bytes bzw. 2048 Bytes.Itis an advantage if the neededMemory size for the firstData does not exceed a certain memory size.Thus, the process all or a large variety of NAND flash memory typessupportcan, should be the required memory size for the firstData does not exceedthe smallest page size of theinventive methodsupportedNAND flash memory types. exceedsthe memory size for the firstData not the currently smallest page size of 256 bytes, theThe first data is generally read from any NAND flash memory typebecome. exceedsalternatively, the memory size for the firstData is not the page size of 512 bytes,canthe first data from each NAND flash memory type with a page size of 512Bytes or more. Analogously, this statement applies to memory sizes for the firstData with a maximum of 1024 bytes or 2048 bytes.
[0028] Vorteilhafterweiseumfassen die ersten Daten Informationen zur Speicher-Organisationdes verwendeten NAND-Flash-Speicherbausteins.Die Informationen könneninsbesondere die Größe einerPage, die Anzahl der Pages pro Block oder die Anzahl der Blocksim NAND-Flash-Speicherbaustein betreffen. Außerdem können auch Informationen zurAnzahl der Pages im NAND-Flash-Speicherbaustein gespeichert werden.Mit Hilfe dieser Angaben sind Rückschlüsse aufdie Syntax des Auslesebefehls möglich.Beispielsweise verwenden NAND-Flash-Speicherbausteine mit einer Page-Größe von 2048Bytes als Kommando-Angabe im Allgemeinen zwei Bytes. Unter der Page-Größe wirdim Rahmen der Anmeldung der normale Speicherbe reich einer Page ohneden zusätzlichenSpeicherbereich verstanden. Die in der Anmeldung im Zusammenhangmit der Page-Größe gemachtenAussagen könnenjedoch in analoger Weise auch auf eine Angabe zur Größe der Page übertragenwerden, welche auch den zusätzlichenSpeicherbereich berücksichtigt.advantageously,The first data includes information about the storage organizationthe NAND flash memory device used.The information canespecially the size of aPage, the number of pages per block or the number of blocksin the NAND flash memory device. You can also find information aboutNumber of pages to be stored in the NAND flash memory device.With the help of this information are conclusions onthe syntax of the readout command possible.For example, NAND flash memory devices use a page size of 2048Bytes as command specification generally two bytes. Under the page size becomesin the context of the application the normal storage area of a page withoutthe additionalMemory area understood. The related in the applicationmade with the page sizeStatements canhowever, in an analogous manner also transferred to an indication of the size of the pagewhich are also the additional onesMemory area taken into account.
[0029] Vorteilhafterweiseumfassen die ersten Daten einen oder mehrere Parameterwerte desmindestens einen Auslesebefehls zum Auslesen der zweiten Daten.Als Parameterwert kommt insbesondere die gültige Kommando-Angabe zum Auslesenin Betracht, also beispielsweise, ob die Kommando-Angabe das Byte „00h" oder die Bytes „00h" und „30h" umfasst. Dabei kanndas zweite Byte der Kommando-Angabe auch getrennt von dem Parameterwert desersten Bytes einen separaten Parameterwert darstellen. In diesemFall wird dieser Parameterwert auf einen festen Wert gesetzt, fallsder jeweilige Speicherbaustein bei der Kommando-Angabe kein zweitesByte verlangt. Alternativ könnendie ersten Daten auch die Byte-Längeder Kommando-Angabe umfassen. Ferner kann als Parameterwert dieLänge einerColumn-Angabe und/oderdie Längeeiner Row-Angabe, insbesondere jeweils die Anzahl der Bytes oderBits, vorgesehen werden. Die Column-Angabe und die Row-Angabe sinddabei Teil der Adress-Angabe.Die Column-Angabe gibt an, ab welchem Byte einer Page mit dem Ausleseprozess begonnenwerden soll. Die Row-Angabe bestimmt, aus welcher Page Daten ausgelesenwerden sollen. Je nach Anzahl der Bytes pro Page bzw. je nach Anzahlder Pages im Speicherbaustein kann die jeweilige Angabe länger oderkürzersein. Beispielsweise könnendie Column-Angabe eine Längevon 2 Bytes und die Row-Angabe eine Länge von 3 Bytes aufweisen.Mit Hilfe der Parameterwerte kann die auslesende Einheit Auslesebefehlegenerieren und diese in den Speicherbaustein eingeben, so dass beliebige Pagesausgelesen werden können.Advantageously, the first data comprises one or more parameter values of the at least one read-out command for reading out the second data. The parameter value used is, in particular, the valid command specification for reading out, ie, for example, whether the command specification comprises the byte "00h" or the bytes "00h" and "30h." In this case, the second byte of the command specification can also be separated In this case, this parameter value is set to a fixed value, if the respective memory block does not require a second byte for the command specification.Alternatively, the first data may also contain the byte length of the command code. Furthermore, the length of a column specification and / or the length of a row specification, in particular the number of bytes or bits in each case, can be provided as the parameter value, the column specification and the row specification being part of the address information. The column specification specifies from which byte of a page the read-out process should start The row specification determines from which page data should be read n. Depending on the number of bytes per page or the number of pages in the memory block, the respective information may be longer or shorter. For example, the column specification may have a length of 2 bytes and the row specification a length of 3 bytes sen. With the aid of the parameter values, the reading unit can generate read-out commands and enter these into the memory module, so that any pages can be read out.
[0030] Nacheiner dazu alternativen Ausführungsformumfassen die ersten Daten den mindestens einen Auslesebefehl, insbesondereeine Liste von Auslesebefehlen. Gegebenenfalls kann auch vor gesehensein, dass die ersten Daten die Adress-Angabe des mindestens einenAuslesebefehls, insbesondere eine Liste von Adress-Angaben mehrererAuslesebefehle, beinhalten. Diese Vorgehensweise ist insbesonderebeim Boot-Prozess von Vorteil. Mit Hilfe der ersten Daten, die dienotwendigen Auslesebefehle bzw. Adress-Angaben bereits beinhalten,kann der fürden Boot-Prozess relevante Inhalt des Speicherbausteins ausgelesenwerden und in den RAM-Speicher kopiert werden. Die Steuerung desAusleseprozesses übernimmtdabei quasi der NAND-Flash-Speicherbaustein, da die auslesende Einheitlediglich die Befehle zum Auslesen des NAND-Flash-Speicherbausteinsin diesen eingibt. Bei dieser alternativen Ausführungsform kann vorgesehensein, dass die ersten Daten noch nicht vollständig zu der gültigen Befehlssyntaxkonform sind. Beispielsweise muss die Kommando-Angabe in den erstenDaten nicht fürjede Page wiederholt werden oder es kann auch möglicherweise ganz auf diese Angabein den ersten Daten verzichtet werden.Toan alternative embodimentthe first data comprise the at least one read-out command, in particulara list of read commands. If necessary, can also be seen beforebe that the first data is the address of the at least oneRead-out command, in particular a list of address information of severalRead commands, include. This procedure is particularan advantage during the boot process. With the help of the first data, which thealready contain necessary read-out commands or address information,can the forRead out the contents of the memory block relevant to the boot processand copied to the RAM memory. The control of theReadout process takes overwhile quasi the NAND flash memory device, as the readout unitonly the commands to read the NAND flash memory deviceenters into this. In this alternative embodiment can be providedbe that the first data is not yet complete to the valid command syntaxare compliant. For example, the command statement must be in the firstData not foreach page may be repeated or it may also be entirely on this indicationto be omitted in the first data.
[0031] Nebenden vorstehend beschriebenen Informationen können die ersten Daten auchInformationen enthalten, welche nicht direkt mit dem Zugriff auf demNAND-Flash-Speicherbaustein in Zusammenhang stehen, da auf dieseersten Daten leicht zugegriffen werden kann. Hierfür kommeninsbesondere solche Informationen in Betracht, welche ein individualisiertesEinrichten (Setup) des Systems frühzeitig während des Boot-Prozesses ermöglichen;liegen die entsprechenden Informationen dagegen fest in dem Boot-ROMvor, ist ein individualisiertes Einrichten frühzeitig während des Boot-Prozesses desSystems nicht möglich.NextThe information described above may also be the first dataContain information that is not directly related to accessing theNAND flash memory device related to thisfirst data can be accessed easily. Come for thisIn particular, such information is considered, which is an individualizedEnable setup of the system early during the boot process;By contrast, the corresponding information is stored in the boot ROMAn individualized setup is early on during the boot processSystem not possible.
[0032] Vorteilhafterweisewird das Auslesen der ersten Daten aus dem Speicherbaustein dadurchbewerkstelligt, dass ein Auslesebefehl zum Auslesen der ersten Datenin den Speicherbaustein eingelesen wird, welcher aus einer MehrzahlmöglicherAuslesebefehle ausgewähltwird. Dabei ist jeder dieser Auslesebefehle für einen anderen Typ eines NAND-Flash- Speicherbausteinsgültig.Es können sukzessivemehrere möglicheAuslesebefehle seitens der auslesenden Einheit zum Auslesen derersten Daten ausprobiert werden. Für das Auslesen der Page 0 indem Block 0 eines NAND-Flash-Speichers sind lediglich 4 verschiedeneTyp-spezifische Möglichkeitenhinsichtlich des Auslesebefehls bekannt. Um zu erkennen, ob dasAuslesen mit dem gerade verwendeten Auslesebefehl erfolgreich gewesenist, wird optional eine dafürcharakteristische Information aus dem NAND-Flash-Speicherbausteinausgelesen. Dazu bietet sich insbesondere der Wert des Read/Busy-Ausgangsdes NAND-Flash-Speicherbausteins an, welcher bei einer erfolgreichenDatenausgabe vor der Datenausgabe zumindest kurzzeitig seinen Wert ändert. Dasexplizite Auslesen der Information, beispielsweise der Wert desRead/Busy-Ausgangs, ist dabei im Sinne der Erfindung nicht zwingendnotwendig, um seitens der auslesenden Einheit zu erkennen, ob dasAuslesen mit dem gerade gewähltenAuslesebefehl erfolgreich ist oder nicht. Der Erfolg des Zugriffskann auch anhand des Verhaltens des Datenausgangs des NAND-Flash-Speichers, alsoder I/O-Schnittstelle, abgelesen werden.advantageously,The reading of the first data from the memory module is characterizedaccomplished a read-out command to read the first datais read into the memory module, which consists of a pluralitypotentialRead commands selectedbecomes. Each of these read commands is for a different type of NAND flash memory devicevalid.It can be successiveseveral possibleRead out commands on the part of the reading unit for reading out thefirst data to be tried. For reading the Page 0 inThe block 0 of a NAND flash memory is just 4 differentType-specific optionswith regard to the read-out command. To see if thatReadout has been successful with the read command just usedis, optionally one for itcharacteristic information from the NAND flash memory deviceread. In particular, the value of the read / busy output is suitable for this purposeof the NAND flash memory device, which in a successfulData output before the data output at least temporarily changes its value. TheExplicit reading of the information, for example the value ofRead / busy output, is not mandatory in the sense of the inventionnecessary to recognize on the part of the reading unit, whether theReadout with the currently selectedRead command is successful or not. The success of accesscan also be determined by the behavior of the data output of the NAND flash memory, iethe I / O interface.
[0033] Alternativzu der vorstehend genannten Vorgehensweise zum Auslesen der erstenDaten kann auch vorgesehen werden, dass ein Auslesebefehl zum Auslesender ersten Daten in den Speicherbaustein eingelesen wird, wobeiein End-seitiger Abschnitt des Auslesebefehls seitens des NAND-Flash-Speicherbausteinsnicht ausgewertet wird. Dies ist dann der Fall, wenn der Auslesebefehl länger alsder spezifizierte Auslesebefehl des verwendeten NAND-Flash-Speicherbausteinsist, so dass der Speicherbaustein den über den spezifizierten Auslesebefehlhinausgehenden Befehlsabschnitt ignoriert und den verbleibendenAbschnitt als gültigenAuslesebefehl erkennt. Dazu kann der gewählte Auslesebefehl so gewählt werden,dass er dem längstmöglichenAuslesebefehl entspricht. Zum Auslesen der Page 0 im Block 0 kannein derartiger Auslesebefehl sowohl das zweite Byte der Kommando-Angabeals auch die längstmöglicheSequenz von nullwertigen Bytes in Bezug auf die Adress-Angabe umfassen.alternativeto the above procedure for reading the firstData can also be provided that a read-out command for readingthe first data is read into the memory module, whereinan end-side portion of the read-out command from the NAND flash memory deviceis not evaluated. This is the case when the read-out command is longer thanthe specified read-out command of the NAND flash memory chip usedis, so that the memory module via the specified read-out commandoutgoing command section ignored and the remainingSection as validRead command recognizes. For this, the selected read-out command can be selectedthat he is the longestpotentialRead-out command corresponds. For reading the Page 0 in block 0 cansuch a read command both the second byte of the command statementas well as the longestpossibleSequence of zero-valued bytes relative to the address indication.
[0034] DerSpeicherbaustein gemäß Anspruch15 kennzeichnet sich dadurch, dass dieser mit ersten Daten zur Durchführung deserfindungsgemäßen Verfahrensbeschrieben ist. Insbesondere handelt es sich bei dem Speicherbausteinum einen NAND-Flash-Speicherbaustein.Of theMemory module according to claim15 is characterized in that it is provided with first data for carrying out theinventive methodis described. In particular, it is the memory moduleto a NAND flash memory device.
[0035] DieErfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahmeauf die Zeichnungen nähererläutert;in diesen zeigen:TheInvention will now be described with reference to an embodiment with referencecloser to the drawingsexplains;in these show:
[0036] 1 einBeispiel zur Speicher-Organisation eines NAND-Flash-Speicherbausteins nach dem Standder Technik; 1 an example of the memory organization of a NAND flash memory device according to the prior art;
[0037] 2 einevereinfachte Darstellung zur Adressierung beim Auslesen von Datenaus einem NAND-Flash-Speicher; 2 a simplified representation of the addressing when reading data from a NAND flash memory;
[0038] 3 einbeispielhaftes Signaldiagramm beim Auslesen eines NAND-Flash-Speicherbausteins; 3 an exemplary signal diagram when reading a NAND flash memory steins;
[0039] 4 eineDarstellung des Zusammenwirkens von Systemkomponenten beim Hochfahreneines Systems gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren;und 4 a representation of the interaction of system components during startup of a system according to the inventive method; and
[0040] 5 einAblaufdiagramm füreinen Algorithmus zum Auslesen der Zugriffsinformation. 5 a flow chart for an algorithm for reading the access information.
[0041] In 1 istein Beispiel zur Speicher-Organisation eines NAND-Flash-Speicherbausteins 7 nach demStand der Technik dargestellt. Der Speicherbaustein 7 umfasstein Speicher-Feld 1 (Memory Array), welches in eine Mehrzahlvon Blöcken 2 untergliedert ist,wobei jeder Block aus einer Mehrzahl von Pages besteht. Im vorliegendenFall ist das Speicher-Feld 1 in 2048 Blocks untergliedert,wobei jeder Block wiederum 64 Pages umfasst, so dass das Speicher-Feld 1 insgesamt131072 Pa ges beinhaltet. Jede Page umfasst eine Mehrzahl von Bytes.Die Gesamtzahl 5 der Bytes einer jeden Page untergliedertsich in einen normalen Speicherbereich 3 und einen zusätzlichen Speicherbereich 4,wobei der zusätzlicheSpeicherbereich zur Fehlerkorrektur verwendet wird. Im vorliegendenFall umfasst der normale Speicherbereich 3 einer Page 2048Bytes, wobei der zusätzlicheBereich 4 64 Bytes beinhaltet. Ferner beinhaltet der NAND-Flash-Speicherbaustein 7 einDatenregister 6, welches die Größe einer Page aufweist. Diesesist mit dem Speicher-Feld 1 verbunden. Die Lese- und Schreibzugriffebei einem NAND-Flash-Speicher erfolgen, wie bereit erwähnt, aufPage-Ebene. Lediglich der Löschzugrifferfolgt auf Block-Ebene.Bei einem Lesezugriff werden die auszulesenden Daten einer Pageaus dem Speicher-Feld 1 in das Datenregister 6 ausgelesenund könnendann übereine parallele Schnittstelle 8 ausgegeben werden. Die paralleleSchnittstelle 8 ist eine bidirektionale Schnittstelle undumfasst im Allgemeinen acht I/O-Anschlüsse I/O1 bis I/O8. Bei manchenNAND-Flash-Typen weist die parallele Schnittstelle 8 jedoch 16 paralleleAnschlüsseauf. Überdiese Schnittstelle 8 werden bei einem Lesezugriff sowohlDaten ausgelesen als auch der Auslesebefehl an den Speicherbaustein übertragen.Gegenwärtigist eine Vielzahl verschiedener Typen von NAND-Flash-Speicherbausteinenauf dem Markt erhältlich.Diese unterscheiden sich hinsichtlich ihrer Speicherorganisationin der Größe einer Page(256, 512 oder 2048 Bytes), der Größe eines Blocks (8KB, 16KBoder 128 KB) und der Gesamtgröße des Speichers(4 MB bis 256 MB).In 1 is an example of the memory organization of a NAND flash memory device 7 represented according to the prior art. The memory chip 7 includes a memory field 1 (Memory Array), which is divided into a plurality of blocks 2 is subdivided, each block consisting of a plurality of pages. In the present case, the memory field 1 subdivided into 2048 blocks, each block in turn comprising 64 pages, leaving the memory field 1 a total of 131072 Pa ges included. Each page contains a plurality of bytes. The total number 5 The bytes of each page are subdivided into a normal memory area 3 and an additional storage area 4 wherein the additional memory area is used for error correction. In the present case, the normal memory area includes 3 a Page 2048 bytes, with the additional area 4 64 bytes included. Furthermore, the NAND flash memory device includes 7 a data register 6 , which is the size of a page. This is with the storage box 1 connected. The read and write accesses to a NAND flash memory occur at the page level, as previously mentioned. Only the deletion access is at block level. In a read access, the data to be read becomes a page from the memory field 1 in the data register 6 can be read out and then via a parallel interface 8th be issued. The parallel interface 8th is a bidirectional interface and generally includes eight I / O ports I / O1 to I / O8. Some NAND flash types have the parallel interface 8th however 16 parallel connections on. About this interface 8th In the case of a read access, both data are read out and the read-out command is transmitted to the memory module. At present, a variety of different types of NAND Flash memory devices are available in the marketplace. These differ in terms of their memory organization in the size of a Page (256, 512 or 2048 bytes), the size of a block (8KB, 16KB or 128 KB) and the total size of the memory (4 MB to 256 MB).
[0042] 2 zeigteine vereinfachte Darstellung zur Adressierung beim Auslesen vonDaten aus dem Speicher-Feld 1. Die Adressierung erfolgt über die Angabeder auszulesenden Page N und die Angabe der sogenannten Column M.Dabei gibt die Column-AngabeM an, ab welchem Byte M der Page N Daten der Page N über dieSchnittstelle 8 ausgegeben werden sollen. 2 shows a simplified representation of addressing when reading data from the memory field 1 , The addressing takes place via the specification of the page N to be read and the specification of the so-called column M. The column specification M indicates from which byte M the page N data of the page N via the interface 8th to be issued.
[0043] In 3 istein beispielhaftes Signaldiagramm beim Auslesen eines NAND-Flash-Speicherbausteinsdargestellt. Dabei zeigt das untere Diagramm den Signalverlauf ander I/O-Schnittstelle 8 mitden parallelen Bitleitungen I/O1 bis I/O8. Zunächst wird ein Auslesebefehl 14 über dieparallelen Bitleitungen I/O1 bis I/O8 in den Speicherbaustein 7 eingelesen.Ein typischer Auslesefehl 14 beinhaltet eine Kommando-Angabe 10 undeine Adress-Angabe 11. Die Kommando-Angabe umfasst je nachSpeicher-Typ ein oder zwei Bytes. Speicher mit einer Page-Größe von 2048Bytes und mehr verwenden im Allgemeinen als Kommando-Angabe zweiBytes (z. B. 00h und 30h), wohingegen Speicher mit einer geringenPage-Größe im Allgemeinenein Byte (z. B. 00h) verwenden. Im vorliegenden Fall werden zwei Bytes,nämlichdas Byte 12 mit dem Wert 00h und das Byte 13 mitdem Wert 30h zum Auslesen der Daten verwendet. Die Adress-Angabe 11 beinhaltetdie Angabe M des Column-Bytes(Column-Angabe) und die Angabe N der auszulesenden Page (Row-Angabe).In dem Beispiel gemäß 3 umfassendie Angabe M und die Angabe N 2 bzw. 3 Bytes, so dass insgesamtn = 5 Bytes fürdie Adress-Angabe verwendet werden. Dabei werden im Allgemeinennicht alle Bits der Bitleitungen I/O1 bis I/O8 eines Bytes zur Column-AngabeM oder Row-Angabe M genutzt. Werden Bits nicht verwendet, solltendiese auf den logischen Low-Pegel gesetzt werden. Je nach Speicher-Organisationkann die Längeder Adress-Angabe zwischen 3 und 5 Bytes liegen. Ferner weisen einigeSpeicher-Typen neben dem oben beschriebenen einfachen Lesebefehlauch einen oder mehrere erweiterte Lesebefehle auf, welche beimAuslesen einen Offset innerhalb der Page unterstützen.In 3 an exemplary signal diagram when reading a NAND flash memory device is shown. The lower diagram shows the signal path at the I / O interface 8th with the parallel bit lines I / O1 to I / O8. First, a read-out command 14 via the parallel bit lines I / O1 to I / O8 in the memory module 7 read. A typical read command 14 includes a command specification 10 and an address indication 11 , The command specification includes one or two bytes, depending on the memory type. Memory with a page size of 2048 bytes and more generally uses two bytes as a command specification (e.g., 00h and 30h), whereas low page size memories generally use one byte (e.g., 00h) , In the present case, two bytes, namely the byte 12 with the value 00h and the byte 13 with the value 30h used to read the data. The address information 11 contains the specification M of the column byte (Column specification) and the specification N of the page to be read (Row specification). In the example according to 3 include the indication M and the indication N 2 or 3 bytes, so that a total of n = 5 bytes are used for the address indication. In general, not all bits of bit lines I / O1 to I / O8 of a byte are used for column M or row M. If bits are not used, they should be set to the logical low level. Depending on the storage organization, the length of the address specification can be between 3 and 5 bytes. Further, some memory types, in addition to the simple read command described above, also have one or more extended read commands which assist in reading out an offset within the page.
[0044] DieAdress-Angabe 11 und die Kommando-Angabe 12 werdenSpeicher-intern in das Adress-Register bzw. Kommando-Register eingelesenund dort weiterverarbeitet, so dass die ausgewählte Page in das Datenregister 6 kopiertwird. Dieser Prozess wird durch den Zustandswechsel in dem SignalR/B der auslesenden Einheit angezeigt. Das Signal R/B (Read/Busy)gibt den Status des NAND-Flash-Speicherbausteins an. Wenn dieses dendigitalen Low-Wert aufweist, indiziert dies, dass auf das Speicher-Feld 1 zugriffenwird. Springt das Signal auf den digitalen High-Wert zurück, bedeutet dies,dass der Zugriff auf das Speicher-Feld 1 abgeschlossenist, d. h. dass die auszulesenden Daten im Datenregister 6 zurAusgabe überdie Bitleitungen I/O1 bis I/O8 bereitstehen. Anschließend werdendie auszulesenden Daten als serielle Datenbytes 15 über dieBitleitungen I/01 bis I/O8 ausgegeben. Bei manchen Baustein-Typen kann die Ausgabestatt auf Byte-Ebene auf Wort-Ebene stattfinden.The address information 11 and the command specification 12 are read in memory internally in the address register or command register and further processed there, so that the selected page in the data register 6 is copied. This process is indicated by the state change in the R / B signal of the readout unit. The R / B (Read / Busy) signal indicates the status of the NAND flash memory device. If this has the digital low value, this indicates that the memory field 1 is accessed. If the signal jumps back to the digital high value, it means that access to the memory field 1 is completed, ie that the data to be read in the data register 6 ready for output via the bit lines I / O1 to I / O8. Subsequently, the data to be read out as serial data bytes 15 output via the bit lines I / 01 to I / O8. For some device types, the output may be word-level rather than byte-level.
[0045] 4 zeigtdas Zusammenwirken von Systemkomponenten beim Hochfahren eines Systems 22,wobei der Zugriff auf den NAND-Flash-Speicherbaustein 7 nachdem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt.Bei dem System 22 kann es sich beispielsweise um ein sogenanntesEmbedded-System handeln, welches integrierter Bestandteil eines übergeordnetentechnischen Systems ist. Mit gleichen Bezugszeichen versehene Figurenbestandteilegemäß 1 und 4 entsprecheneinander. Ein Prozessor 21 liest beim Hochfahren des Systems 22 Programminstruktionenaus einem Boot-ROM 23. Zu einem gewissen Zeitpunkt während desBoot-Prozesses sollen Programminstruktionen und/oder sonstige Datenaus dem NAND-Flash-Speicherbaustein 7 über die I/O-Schnittstelle 8 seitensdes Prozessors 21 ausgelesen werden und über dieSchnittstelle 25 in einen DRAM-Speicherbaustein 24 übertragenwerden. Dieser Ausleseprozess wird durch die Programminstruktionendes Boot-ROMs 23 initiert. Dabei sollten die Programminstruktionendes Boot-ROMs 23 eine Vielzahl verschiedener NAND-Flash-Speicherbaustein-Typen unterstützten. Das Übertragender Programminstruktionen aus dem NAND-Flash-Speicherbaustein 7 istim Allgemeinen notwendig, da – wiebereits erwähnt – der NAND-Flash-Speicherbaustein 7 dasAusführenvon im Speicherbaustein abgelegten Programminstruktionen, auch alsXIP bezeichnet, nicht unterstützt.Es kann währenddes Boot-Prozesses sogar vorgesehen sein, den gesamten Speicherinhaltdes NAND-Flash- Speicherbausteins 7 inden DRAM-Speicherbaustein 24 zu übertragen. 4 shows the interaction of system components when booting up a system 22 , where access to the NAND flash memory device 7 takes place according to the inventive method. In the system 22 For example, it may be a so-called embedded system, which is an integral part of a higher-level technical system. Equipped with the same reference numerals components according to 1 and 4 correspond to each other. A processor 21 reads when booting up the system 22 Program instructions from a boot ROM 23 , At some point during the boot process, program instructions and / or other data from the NAND flash memory device should 7 via the I / O interface 8th on the part of the processor 21 be read out and over the interface 25 into a DRAM memory chip 24 be transmitted. This readout process is performed by the program instructions of the boot ROM 23 initiated. This should include the program instructions of the boot ROM 23 supported a variety of NAND flash memory device types. Transmitting the program instructions from the NAND flash memory device 7 is generally necessary because, as already mentioned, the NAND flash memory device 7 The execution of program instructions stored in the memory module, also referred to as XIP, is not supported. It may even be provided during the boot process, the entire memory contents of the NAND flash memory device 7 into the DRAM memory chip 24 transferred to.
[0046] Für den Lesezugriffauf den NAND-Flash-Speicherbaustein 7 muss der Prozessor 21 dengültigenSpeicher-Typ-spezifischen Auslesebefehl kennen. Zu diesem Zweckist im NAND-Flash-Speicherbaustein 7 eineSpeicher-Typ-spezifische Zugriffsinformation in der Page 0 des Blocks0 abgelegt. Zum Auslesen dieser Zugriffsinformation wird der gültige Auslesebefehl 26 über dieSchnittstelle 8 in den NAND-Flash-Speicherbaustein 7 eingegeben.Die Zugriffsinformation 27 wird anschließend über dieSchnittstelle an den Prozessor 21 übertragen. Die Zugriffsinformation 27 kannAngaben zur Organisation des Speichers umfassen, beispielsweisedie Größe einerPage, die Anzahl der Pages pro Block und/oder die Anzahl der Blocksim NAND-Flash-Speicherbaustein. Außerdem kann die Zugriffsinformationeinen oder mehrere Parameterwerte des Speicherbaustein-typischenAuslesebefehls umfassen, beispielsweise die Kommando-Angabe zumAuslesen. Darüberhinaus kann diese auch Parameter der Adress-Angabe beinhalten, z. B.die Byte-Längeder Column-Angabe und/oder die Byte-Länge der Row-Angabe. Alternativkann die Zugriffsinformation auch direkt einen Auslesebefehl, eineListe von Auslesebefehlen oder wesentliche Abschnitte des bzw. derAuslesebefehle enthalten. Die Zugriffsinformation beinhaltet alsodie notwendige Information, um auf andere Pages des NAND-Flash-Speichers 7 zuzugreifen.For read access to the NAND flash memory device 7 must the processor 21 know the valid memory type-specific read-out command. For this purpose is in the NAND flash memory chip 7 a memory type-specific access information stored in the Page 0 of the block 0. To read this access information is the valid read-out command 26 over the interface 8th in the NAND flash memory device 7 entered. The access information 27 is then sent over the interface to the processor 21 transfer. The access information 27 may include storage organization information, such as the size of a page, the number of pages per block, and / or the number of blocks in the NAND flash memory device. In addition, the access information may comprise one or more parameter values of the memory module-typical read-out command, for example the command specification for readout. In addition, this can also contain parameters of the address information, for. For example, the byte length of the column specification and / or the byte length of the row specification. Alternatively, the access information may also directly include a read command, a list of read commands, or essential portions of the read command (s). The access information thus contains the necessary information to access other pages of the NAND flash memory 7 access.
[0047] Umwährenddes Boot-Prozesses auf beliebige Pages des NAND-Flash-Speichers 7 zugreifen zukönnen,muss das Boot-ROM eine Fehlerdetektion fehlerhafter Blöcke unterstützen. Istdies nicht der Fall, sollte währenddes Boot-Prozesses in Abhängigkeitder Zugriffsinformation lediglich auf andere Pages aus dem Block0 zugegriffen werden. Unter Verwendung der Zugriffsinformation 27 können ein odermehrere Auslesebefehle 28 zum Auslesen einer bzw. mehrerer Pagesdes NAND-Flash-Speichers 7 abgeleitetwerden, welche in den NAND-Flash- Speicherbaustein 7 eingegebenwerden. In Abhängigkeitdavon werden Programminstruktionen und/oder sonstige Daten 29 ausdem NAND-Flash-Speicherbaustein 7 ausgelesen und über dieSchnittstelle 8 an den Prozessor 21 weitergeleitet.Diese Daten 29 könnenanschließendin den DRAM-Baustein 24 geschrieben werden.To during the boot process on any pages of the NAND flash memory 7 To access the boot ROM must support error detection of bad blocks. If this is not the case, only other pages from block 0 should be accessed during the boot process, depending on the access information. Using the access information 27 For example, one or more read commands 28 may be used to read one or more pages of the NAND flash memory 7 which are in the NAND flash memory chip 7 be entered. Depending on this, program instructions and / or other data 29 from the NAND flash memory device 7 read out and over the interface 8th to the processor 21 forwarded. These dates 29 can then be in the DRAM block 24 to be written.
[0048] 5 zeigtein Ablaufdiagramm füreinen Algorithmus zum Auslesen der Zugriffsinformation 27 ausder Page 0 des Blocks 0 des NAND-Flash-Speichers 7. DerAlgorithmus basiert darauf, dass aus einer Mehrzahl möglicherAuslesebefehle sukzessiv Auslesebefehle seitens des Prozessors 21 zumAuslesen der Zugriffsinformation 27 ausprobiert werden. Für das Auslesender Page 0 des Blocks 0 eines beliebigen NAND-Flash-Speichers 7 sindmindestens 4 verschiedene Auslesebefehle denkbar. Zunächst werdenbeim Hochfahren des Systems 22 eine Vielzahl von Prozeduren 30 durchgeführt, welcheunabhängigvon einem Zugriff auf den NAND-Flash-Speicherbaustein 7 sind.Im Schritt 31 wird die Größe n auf den Wert 3 gesetzt.Dabei gibt die Größe n dieAnzahl der Bytes der Adress-Angabe des angenommenen Auslesebefehls 26 an.In dem Schritt 32 wird der NAND-Flash-Speicherbaustein 7 zunächst mittelseiner Reset-Operationzurückgesetzt.Anschließendwird ein 4 Byte langer Auslesebefehl der Form „00h 00h 00h 00h" über die Schnittstelle 8 inden NAND-Flash-Speicherbaustein 7 eingelesen. Dabei betreffendas erste Byte die Kommando-Angabe und die drei folgenden Bytesdie Adress-Angabe. In der Abfrage 33 wird überprüft, ob derAusgang R/B einen logischen Signalwechsel vollzieht. Ist dies nichtder Fall, wird in Schritt 34 die Größe n auf 4 erhöht. Anschließend wirdder Schritt 32 erneut durchlaufen, wobei der Auslesebefehlnun die Form „00h00h 00h 00h 00h" aufweist.Dann wird in der Abfrage 33 überprüft, ob der Ausgang R/B auf diesenAuslesebefehl reagiert. Ist dies nicht der Fall, wird das Ausprobierenvon Auslesebefehlen mit lediglich einem Kommando-Byte gemäß Schritt 34 nichtfortgesetzt. In Schritt 35 wird n auf den Wert 4 gesetzt.In Schritt 36 wird der NAND-Flash-Speicherbaustein 7 zunächst mittelseiner Reset-Operation zurückgesetzt.Anschließendwird ein 6 Byte langer Auslesebefehl der Form „00h 00h 00h 00h 00h 30h" über die Schnittstelle 8 inden NAND-Flash-Speicherbaustein 7 eingelesen.Dabei betreffen das erste und das letzte Byte die Kommando-Angabeund die vier übrigenBytes die Adress-Angabe. Anschließend wird in der Abfrage 37 überprüft, ob derAusgang R/B auf diesen Auslesebefehl reagiert. Ist dies nicht der Fall,wird in Schritt 38 die Größe n auf den Wert 5 gesetzt.Anschließendwird in dem Schritt 36 ein 7 Byte langer Auslesebefehlder Form „00h00h 00h 00h 00h 00h 30h" über dieSchnittstelle 8 in den NAND-Flash-Speicherbaustein 7 eingelesen.Reagiert der Ausgang R/B auf diesen Auslesebefehl nicht, muss einFehler 39 vorliegen. Wird hingegen während des Algorithmus ein logischerSignalwechsel am Ausgang R/B detektiert, kann in Schritt 40 die Zugriffsinformationaus der Page 0 des Blocks 0 ausgelesen werden. In Schritt 41 wird überprüft, ob die Zugriffsinformationgültigist. Ist dies nicht der Fall, muss ein Fehler 39 vorliegen,andernfalls wird der Boot-Prozess fortgesetzt. Ein Fehler 39 liegtimmer dann vor, wenn auf dem NAND-Flash-Speicherbaustein 7 keine Zugriffsinformationabgelegt ist, der verwendete NAND-Flash-Speicherbaustein 7 vomVerfahren nicht unterstütztwird oder die Zugriffsinformation einen Datenfehler aufweist. 5 shows a flow chart for an algorithm for reading the access information 27 from the page 0 of the block 0 of the NAND flash memory 7 , The algorithm is based on that from a plurality of possible read commands successively read commands from the processor 21 for reading the access information 27 be tried. For reading the page 0 of block 0 of any NAND flash memory 7 At least 4 different read commands are conceivable. First, when booting up the system 22 a variety of procedures 30 which is independent of access to the NAND flash memory device 7 are. In step 31 the size n is set to the value 3. The size n indicates the number of bytes of the address specification of the assumed read-out command 26 at. In the step 32 becomes the NAND flash memory device 7 initially reset by means of a reset operation. Subsequently, a 4-byte read-out command of the form "00h 00h 00h 00h" via the interface 8th in the NAND flash memory device 7 read. The first byte refers to the command specification and the next three bytes to the address specification. In the query 33 it is checked whether the output R / B makes a logical signal change. If not, will step in 34 the size n increased to 4. Then the step 32 run again, the read command now has the form "00h 00h 00h 00h 00h." Then in the query 33 checks whether the R / B output responds to this read command. If this is not the case, try out read commands with only one command byte according to step 34 not continued. In step 35 n is set to the value 4. In step 36 becomes the NAND flash memory device 7 first by means of a reset operation reset. Subsequently, a 6-byte read-out command of the form "00h 00h 00h 00h 00h 30h" via the interface 8th in the NAND flash memory device 7 read. The first and the last byte refer to the command specification and the remaining four bytes to the address specification. Subsequently, in the query 37 checks whether the R / B output responds to this read command. If not, will step in 38 the size n is set to the value 5. Subsequently, in the step 36 a 7-byte read-out command of the form "00h 00h 00h 00h 00h 00h 30h" via the interface 8th in the NAND flash memory device 7 read. If the R / B output does not respond to this read-out command, an error must occur 39 available. If, on the other hand, a logic signal change is detected at the output R / B during the algorithm, then in step 40 the access information is read from the page 0 of the block 0. In step 41 it is checked if the access information is valid. If not, must be an error 39 otherwise, the boot process will continue. An error 39 is always present when on the NAND flash memory device 7 no access information is stored, the NAND flash memory device used 7 is not supported by the method or the access information has a data error.
[0049] Alternativzu dem in 5 dargestellten Algorithmuskann zum Auslesen der Page 0 aus Block 0 der Auslesebefehl direktso gewähltwerden, dass dieser eine möglichstlange Bytefolge umfasst. Für eineVielzahl von Speicherbaustein-Typen wird der End-seitige Abschnittdes Auslesebefehls bei Überschreitender gültigenLänge desBefehls nicht ausgewertet, so dass der verbleibende Abschnitt alsgültigerAuslesebefehl erkannt wird. wird der Auslesebefehl beispielsweisezu „00h00h 00h 00h 00h 00h 30h" gewählt, kanndieser je nach Speicher-Typ als gültige Befehlssequenz „00h 00h00h 00h", als gültige Befehlssequenz „00h 00h00h 00h 00h" oderals gültigeBefehlssequenz „00h00h 00h 00h 00h 00h 30h" interpretiertwerden.Alternatively to the in 5 In order to read the page 0 from block 0, the algorithm shown can be used to select the read-out command directly so that it includes the longest possible byte sequence. For a variety of memory device types, the end-side portion of the read-out command is not evaluated when the valid length of the command is exceeded, so that the remaining portion is recognized as a valid read-out command. For example, if the read-out command is set to "00h 00h 00h 00h 00h 00h 30h", it may be a valid command sequence "00h 00h 00h 00h" depending on the memory type, a valid command sequence "00h 00h 00h 00h 00h" or a valid command sequence "00h 00h 00h 00h 00h 00h 30h ".
[0050] Wirdhingegen der Auslesebefehl zu „00h 00h00h 00h 00h 30h" gewählt, kanndieser je nach Speicher-Typ als gültige Befehlssequenz „00h 00h 00h00h", als gültige Befehlssequenz „00h 00h00h 00h 00h" oderals gültigeBefehlssequenz „00h00h 00h 00h 000h 30h" interpretiertwerden. In beiden Fällenwerden also drei Auslesebefehle unterstützt.Becomeshowever, the read-out command to "00h 00h00h 00h 00h 30h "chosen, canthis depending on the memory type as a valid command sequence "00h 00h 00h00h ", as a valid command sequence" 00h 00h00h 00h 00h "oras validCommand sequence "00h00h 00h 00h 000h 30h "interpretedbecome. In both casesSo three read commands are supported.

权利要求:
Claims (15)
[1]
Zugriffs-Verfahren für einen Speicherbaustein (7),wobei der Zugriff von dem verwendeten Typ des Speicherbausteins(7) abhängtund verschiedene Speicherbaustein-Typen unterstützt werden, mit den Schritten: a)Auslesen von ersten Daten (27) aus dem Speicherbaustein(7), welche eine Speicherbaustein-typische Informationfür denZugriff auf den Speicherbaustein enthalten; und b) Zugriffauf den Speicherbaustein (7) unter Verwendung der in denersten Daten (27) enthaltenen SpeicherbausteintypischenInformation.Access method for a memory module ( 7 ), the access being dependent on the type of memory device ( 7 ) and different types of memory blocks are supported, with the steps of: a) reading out first data ( 27 ) from the memory module ( 7 ), which contain a memory block-typical information for accessing the memory module; and b) accessing the memory device ( 7 ) using the data in the first data ( 27 ) typical memory device information.
[2]
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dassmindestens ein je nach Zugriffsart verwendeter Zugriffsbefehl (28)von dem verwendeten Typ des Speicherbausteins (7) abhängt unddass der Verfahrensschritt b) folgende Schritte umfasst: b1)Ableiten des mindestens einen Zugriffsbefehls (28) unterVerwendung der in den ersten Daten (27) enthaltenen Speicherbaustein-typischenInformation; und b2) Zugriff auf den Speicherbaustein (7)durch Eingabe des mindestens einen Zugriffsbefehls (28).Method according to Claim 1, characterized in that at least one access command (depending on the type of access) is used ( 28 ) of the type of memory device used ( 7 ) and that method step b) comprises the following steps: b1) deriving the at least one access command ( 28 ) using the data in the first data ( 27 ) memory-typical information; and b2) accessing the memory device ( 7 ) by entering the at least one access command ( 28 ).
[3]
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,dass es sich bei dem Zugriff um ein Auslesen von zweiten Daten (29)aus dem Speicherbaustein und bei dem mindestens einen Zugriffsbefehl ummindestens einen Auslesebefehl (28) zum Auslesen der zweitenDaten (29) handelt.Method according to Claim 2, characterized in that the access is a read-out of second data ( 29 ) from the memory module and at least one access command by at least one read-out command ( 28 ) for reading the second data ( 29 ).
[4]
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,dass es sich bei dem Speicherbaustein um einen NAND-Flash-Speicherbaustein(7) handelt und der mindestens eine Auslesebefehl (28)zum Auslesen der zweiten Daten (29) von dem zur Speicherung derzweiten Daten (29) verwendeten Typ des NAND-Flash-Speicherbausteins(7) abhängt.Method according to Claim 3, characterized in that the memory module is a NAND flash memory module ( 7 ) and the at least one read-out command ( 28 ) for reading the second data ( 29 ) of which for storing the second data ( 29 ) used type of NAND flash memory device ( 7 ) depends.
[5]
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,dass der mindestens eine Auslesebefehl (28, 14)jeweils eine Kommando-Angabe (10) und eine Adress-Angabe(11) umfasst.Method according to Claim 4, characterized in that the at least one read-out command ( 28 . 14 ) a command specification ( 10 ) and an address information ( 11 ).
[6]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,dass das Auslesen der zweiten Daten (29) Teil einer Prozedurzum Hochfahren oder Booten eines den NAND-Flash-Speicherbaustein (7) umfassendenSystems (22) ist.Method according to one of claims 4 or 5, characterized in that the reading of the second data ( 29 ) Part of a procedure for booting up or booting the NAND flash memory device ( 7 ) comprehensive system ( 22 ).
[7]
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,dass die Address-Angabe (11) des Auslesebefehls zum Auslesender ersten Daten (27) eine Sequenz von Nullen ist, insbesondereeine Byte-Sequenz von 3 bis 5 Bytes mit jeweils dem Wert null.Method according to one of claims 5 or 6, characterized in that the address specification ( 11 ) of the read-out command for reading out the first data ( 27 ) is a sequence of zeros, in particular a byte sequence of 3 to 5 bytes, each with the value zero.
[8]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet,dass die ersten Daten (27) in Block 0 des NAND-Flash-Speicherbausteins(7) gespeichert sind, insbesondere in der Page 0 des Blocks0.Method according to one of claims 4 to 7, characterized in that the first data ( 27 ) in block 0 of the NAND flash memory device ( 7 ) are stored, in particular in the page 0 of the block 0.
[9]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet,dass die benötigteSpeichergröße für die erstenDaten (27) eine bestimmte Speichergröße, insbesondere 256 Bytesoder alternativ 512 Bytes, nicht überschreitet.Method according to one of claims 4 to 8, characterized in that the required memory size for the first data ( 27 ) does not exceed a certain memory size, in particular 256 bytes or alternatively 512 bytes.
[10]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dassdie ersten Daten (27) Informationen zur Speicher-Organisation desNAND-Flash-Speicherbausteins (7) umfassen, insbesondere – die Größe (3, 5)einer Page und/oder – dieAnzahl der Pages pro Block (2) und/oder – die Anzahlder Blocks (2) im NAND-Flash-Speicherbaustein (7).Method according to one of claims 4 to 9, characterized in that the first data ( 27 ) Information about the memory organization of the NAND flash memory device ( 7 ), in particular - the size ( 3 . 5 ) a page and / or - the number of pages per block ( 2 ) and / or - the number of blocks ( 2 ) in the NAND flash memory device ( 7 ).
[11]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurchgekennzeichnet, dass die ersten Daten einen oder mehrere Parameterwertedes mindestens einen Auslesebefehls zum Auslesen der zweiten Datenumfassen, wobei gegebenenfalls die ersten Daten insbesondere – die Kommando-Angabe(10) oder einen Teil der Kommando-Angabe und/oder – die Länge, insbesonderedie Anzahl der Bytes oder Bits, einer Column-Angabe (M) als Teilder Adress-Angabe (11) und/oder – die Länge, insbesonderedie Anzahl der Bytes oder Bits, einer Row-Angabe (N) als Teil derAdress-Angabe (11) umfassen.Method according to one of Claims 4 to 10, characterized in that the first data comprise one or more parameter values of the at least one read-out command for reading out the second data, where appropriate the first data, in particular - the command statement ( 10 ) or a part of the command specification and / or the length, in particular the number of bytes or bits, of a column specification (M) as part of the address specification ( 11 ) and / or - the length, in particular the number of bytes or bits, of a row specification (N) as part of the address specification ( 11 ).
[12]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurchgekennzeichnet, dass die ersten Daten (27) – den mindestenseinen Auslesebefehl (28), insbesondere eine Liste von Auslesebefehlen,oder gegebenenfalls – dieAdress-Angabe des mindestens einen Auslesebefehls, insbesondereeine Liste von Adress-Angaben mehrerer Auslesebefehle, zum Auslesender zweiten Daten (29) umfassen.Method according to one of claims 4 to 10, characterized in that the first data ( 27 ) - the at least one read-out command ( 28 ), in particular a list of read-out commands, or optionally - the address specification of the at least one read-out command, in particular a list of address information of a plurality of read commands, for reading out the second data ( 29 ).
[13]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 12, dadurchgekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt a) die Schritteumfasst: – Eingebeneines Auslesebefehls zum Auslesen der ersten Daten, wobei der Auslesebefehlaus einer Mehrzahl von Auslesebefehlen ausgewählt wird und jeder diese Auslesebefehlefür einenanderen Typ eines NAND-Flash-Speicherbausteins gültig ist; und – Ausleseneiner Information aus dem NAND-Flash-Speicherbaustein, insbesondere des Wertsdes Read/Busy-Ausgangs(R/B) des NAND-Flash-Speicherbausteins, welche für ein erfolgreiches Auslesencharakteristisch ist.Method according to one of claims 4 to 12,therebyinthat the method step a) the stepsincludes:- Entera read-out command for reading out the first data, the read-out commandis selected from a plurality of read commands and each of these read commandsfor oneanother type of NAND flash memory device is valid; and- Readoutan information from the NAND flash memory device, in particular the valuethe Read / Busy output(R / B) of the NAND flash memory device, which is required for successful readoutis characteristic.
[14]
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 13, dadurchgekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt a) den Schritt umfasst: – Eingebeneines Auslesebefehls zum Auslesen der ersten Daten, wobei der End-seitigeAbschnitt des Auslesebefehls seitens des NAND-Flash-Speicherbausteinsnicht ausgewertet wird.Method according to one of claims 4 to 13,therebyinthe method step a) comprises the step:- Entera read-out command for reading out the first data, the end-side oneSection of the read command from the NAND flash memory deviceis not evaluated.
[15]
Speicherbaustein (7), beschrieben mit ersten Daten(27) zur Durchführungdes Verfahrens gemäß einemder Ansprüche1 bis 14.Memory module ( 7 ), described with first data ( 27 ) for carrying out the method according to one of claims 1 to 14.

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2013-04-25| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE Effective date: 20130306 Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE Effective date: 20130306 Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES DELTA GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE Effective date: 20130306 Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE Effective date: 20130306 Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES DELTA GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE Effective date: 20130306 Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE Effective date: 20130306 |

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2015-12-04| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE |

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2018-10-02| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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CNB2005100590870A| CN100485810C|2004-03-18|2005-03-18|逻辑与非快闪存储器芯片存取方法及与非快闪存储器芯片|

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US11/083,783| US20050207232A1|2004-03-18|2005-03-18|Access method for a NAND flash memory chip, and corresponding NAND flash memory chip|