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    Ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers weist auf: DOLLAR A einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. bondierung an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers; DOLLAR A einen Schutzklebeband-Befestigungsschritt zum Befestigen eines dehnbaren bzw. ausdehnbaren Schutzklebebandes an der Bondierungsfilmseite des Halbleiterwafers mit dem Bondierungsfilm an der hinteren Fläche; DOLLAR A einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers, der an dem Schutzklebeband befestigt ist, in einzelne Halbleiterchips durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Straßen; DOLLAR A einen Bondierungsfilm-Aufbrechschritt zum Aufbrechen des Bondierungsfilms für jeden Halbleiterchip durch Dehnen des Schutzklebebandes, um dem Bondierungsfilm eine Zugkraft aufzuerlegen; und DOLLAR A einen Halbleiterchip-Entfernungsschritt zum Entfernen der Halbleiterchips mit dem aufgebrochenen Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband.
    公开号:DE102004012012A1
    申请号:DE200410012012
    申请日:2004-03-11
    公开日:2004-10-21
    发明作者:Akihito Kawai
    申请人:Disco Corp；
    IPC主号:B23K26-40
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Teileneines Halbleiterwafers mit einer Mehrzahl von Strassen, die an dervorderen Flächein einer Gitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw.Schaltkreis, der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, diedurch die Mehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips.
    [0002] Beidem Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen werdenbeispielsweise Halbleiterchips dadurch hergestellt, dass eine Schaltung,z.B. IC, LSI oder dergleichen, in einer großen Anzahl von Bereichen bzw.Flächengebildet wird, die durch Strassen (Schnittlinien) geteilt sind,die an der vorderen Flächeeines im wesentlichen scheibenförmigen Halbleiterwafersin einer Gitterform gebildet sind, und dass die Bereiche mit derhierin gebildeten Schaltung entlang der Strassen geteilt werden.Im allgemeinen wird eine Dicing-Maschine bzw. Maschine zum Zerschneidenin Chips als die Teilungsmaschine zum Teilen eines Halbleiterwafersverwendet und die Dicing-Maschine schneidet einen Halbleiterwafermit einem Schneidmesser bzw. -klinge mit einer Dicke von etwa 20 μm. DieseHalbleiterchips werden in einer Baugruppe bzw. in einem Gehäuse montiertbzw. untergebracht und in weitem Umfange in elektrischen Einrichtungen,z.B. Mobiltelefonen und Personalcomputern verwendet.
    [0003] EinFilm bzw. Folie zum Bonden bzw. Bondieren bzw. ein Bondierungsfilmfür dieChipmontage bzw. -bondierung, wobei dieser Film eine Dicke von 20bis 40 μmaufweist und aus einem Polyimidharz und dergleichen hergestelltist, wird an den hinteren Flächender Halbleiterchips so angeheftet bzw. angeklebt, dass die Halbleiterchipsan einen Verdrahtungs- bzw. Verkabelungsrahmen gebondet bzw. bondiertwerden können,um die Halbleiterchips durch den Bondierungsfilm durch Erwärmen zutragen bzw. zu halten. Um den Bondierungsfilm für die Chipmontage bzw. -bondierungan den hinteren Flächender Halbleiterchips anzuheften, wird der Bondierungsfilm an derhinteren Flächedes Halbleiterwafers angeheftet und der Halbleiterwafer wird miteinem Schneidmesser entlang der Strassen, die an der vorderen Fläche gebildetsind, zusammen mit dem Bondierungsfilm geschnitten, um Halbleiterchipsmit dem an den hinteren Flächenangehefteten Bondierungsfilm zu bilden. Da der Bondierungsfilm für die Chipmontagebereits an den hinteren Flächender Halbleiterchips angeheftet ist, wenn die Halbleiterchips anden Verdrahtungsrahmen zum Tragen der Halbleiterchips zu bondierensind, wird eine Bondierungsarbeit fein bzw. gleichmäßig durchgeführt.
    [0004] Jedochwird, da Abfällebzw. abgesprungene Stückchen("chippings") oder Rissbildungen("crackings") an der Schnittfläche desHalbleiterchips zu dem Zeitpunkt erzeugt werden, wenn der Halbleiterwafermit dem Schneidmesser geschnitten wird, wie oben beschrieben, dieBreite jeder Strasse auf etwa 50 μmunter Berücksichtigungdes Einflusses von Kerben bzw. Ritzen ("nicks") oder Rissen bzw. Spalten ("cracks") eingestellt. Dahererhöhtsich, wenn die Größe bzw.Abmessung jedes Halbleiterchips reduziert wird, die Proportion bzw.der Anteil der Strassen in dem Halbleiterchip, wodurch eine Reduktionin der Produktivitätverursacht wird. Weiterhin involviert Schneiden mit einem SchneidmesserProbleme insofern, als es eine Begrenzung in Bezug auf die Zuführ- bzw.Vorschubgeschwindigkeit gibt und die Halbleiterchips durch Schneidabfälle verunreinigtwerden.
    [0005] Inzwischensind Versuche durchgeführtworden, um einen Halbleiterwafer durch Anwenden bzw. Aufbringeneines Laserstrahls entlang Strassen zu schneiden, wie z.B. durchdie JP-A 6-120334 offenbart.
    [0006] Beidem Verfahren zum Schneiden eines Halbleiterwafers durch Verwendeneines Laserstrahls gibt es keinen Einfluss von Ritzen oder Rissen,es werden keine Schneidabfälleerzeugt und die Vorschubgeschwindigkeit kann beschleunigt werden, weilder Halbleiterwafer durch Anwenden eines Laserstrahls entlang derStrassen geschnitten wird.
    [0007] Wennder Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips durch Anwenden einesLaserstrahls bei ihm entlang der Strassen zu teilen ist, wird einLaserstrahl mit einem verhältnismäßig niedrigenAusgang verwendet, so dass an dem Halbleiterwafer gebildete Schaltungenkeine Beschädigungdurch Wärmeerleiden. Dementsprechend involviert dies ein Problem insofern,als ein Bondierungsfilm fürdie Chipmontage bzw. -bondierung, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafersangeheftet ist, nicht zusammen mit dem Halbleiterwafer geteilt werdenkann.
    [0008] Esist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Teileneines Halbleiterwafers zu schaffen, das dazu befähigt ist, einzelne Halbleiterchipsvoneinander dadurch zu trennen, dass ein Bondierungsfilm bzw. -foliefür dieChipmontage bzw. -bondierung entsprechend den Halbleiterchips gebrochenbzw. aufgebrochen wird, nachdem der Halbleiterwafer in die Halbleiterchipsdurch Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strassendes Halbleiterwafers geteilt worden ist, welcher einen Bondierungsfilmfür dieChipmontage an seiner hinteren Fläche angeheftet aufweist.
    [0009] Umdie obige Aufgabe zu lösen,ist entsprechend der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Teileneines Halbleiterwafers mit einer Mehrzahl von Strassen, die an dervorderen Flächein einer Gitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw. Schaltkreis,der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, die durch dieMehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips,aufweisend: einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zumAnheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierungan der hinteren Flächedes Halbleiterwafers; einen Schutzklebeband-Befestigungsschrittzum Befestigen eines extensilen bzw. dehnbaren Schutzklebebandesan der Seite des Bondierungsfilms des Halbleiterwafers mit dem andessen hinterer Fläche angeheftetenBondierungsfilm; einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers ineinzelne Halbleiterchips durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahlsentlang der Strassen von der vorderen Fläche des Halbleiterwafers, deran dem Schutzklebeband befestigt ist; einen Bondierungsfilm-Brech-bzw. -Aufbrechschritt zum Brechen bzw. Aufbrechen des Bondierungsfilms für jedenHalbleiterchip durch Ausdehnen des Schutzklebebandes, um eine Zugkraftfür denBondierungsfilm zu ergeben; und einen Halbleiterchip-Beseitigungs-bzw. -Entfernungsschritt zum Beseitigen bzw. Entfernen der Halbleiterchipsmit dem hieran befestigten, gebrochenen Bondierungsfilm von demSchutzklebeband.
    [0010] Derobige Bondierungsfilm-Anheftungsschritt wird durch Platzieren desobigen Bondierungsfilmes an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers unddurch Pressen bzw. Drückendes Bondierungsfilmes gegen die hintere Fläche des Halbleiterwafers beiErwärmungbei einer Temperatur von 80 bis 200°C ausgeführt. Das obige Schutzklebeband wirdso angeklebt, um die innere Öffnungeines ringförmigenTrag- bzw. Stützrahmenszu bedecken. Weiterhin ist es wünschenswert,dass das obige Schutzklebeband die Eigenschaft hat, dass seine Haftungbzw. Adhäsiondurch einen externen bzw. äußeren Stimulusbzw. Anregung reduziert wird, und der externe Stimulus dem Schutzklebebandgegeben bzw. verliehen wird, um seine Adhäsion zu dem Zeitpunkt zur Entfernungder Halbleiterchips mit dem hieran befestigten Bondierungsfilm vondem Schutzklebeband in dem obigen Halbleiterchip-Entfernungsschritt zu reduzieren.
    [0011] 1(a) und 1(b) sind schematische Darstellungenzur Veranschaulichung des Bondierungsfilms bzw. -folie-Anheftungsschrittszum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw.-bondierung an der hinteren Flächeeines Halbleiterwafers bei dem Teilungsverfahren entsprechend dervorliegenden Erfindung;
    [0012] 2 ist eine perspektivischeAnsicht zur Veranschaulichung eines Zustands eines extensilen bzw.dehnbaren Schutzklebebandes, das an der Seite des Bondierungsfilmseines Halbleiterwafers mit einem an dessen hinterer Seite angeheftetenBondierungsfilm in dem Schutzklebeband-Befestigungsschritt bei dem Teilungsverfahrenentsprechend der vorliegenden Erfindung befestigt wird;
    [0013] 3 ist eine perspektivischeAnsicht zur Veranschaulichung eines Beispiels einer Laserstrahlmaschinebzw. -vorrichtung zum Ausführendes Teilungsschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechend dervorliegenden Erfindung;
    [0014] 4 ist ein Blockschaltbild,welches schematisch die Ausbildung eines Laserstrahlanwendungs-bzw. -aufbringungsmittels bzw. -einrichtung zeigt, die in der in 3 gezeigten Laserstrahlmaschinevorgesehen ist;
    [0015] 5 ist eine vergrößerte Schnittansichtzur Veranschaulichung eines Beispiels des Teilungsschritts bei demTeilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
    [0016] 6 ist eine vergrößerte Schnittansichtzur Veranschaulichung eines anderen Beispiels des Teilungsschrittsbei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
    [0017] 7 ist eine perspektivischeAnsicht einer Schutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtungzum Ausführendes Bondierungsfilm-Brech- bzw. -Aufbrechschritts bei der vorliegendenErfindung;
    [0018] 8(a) und 8(b) sind schematische Darstellungenzur Erläuterungdes Bondierungsfilm-Aufbrechschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechendder vorliegenden Erfindung;
    [0019] 9 ist eine vergrößerte teilweiseSchnittansicht eines Halbleiterwafers, der dem Bondierungsfilm-Aufbrechschrittunterworfen ist; und
    [0020] 10 ist eine perspektivischeAnsicht eines Halbleiterchips, der durch Teilen des Halbleiterwafersdurch das Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindunggebildet worden ist.
    [0021] DasVerfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers entsprechend einer bevorzugtenAusführungsformder vorliegenden Erfindung wird in Einzelheiten unter Bezugnahmeauf die beigefügtenZeichnungen beschrieben.
    [0022] 1(a) und 1(b) sind schematische Darstellungenzur Veranschaulichung eines Beispiels eines Bondierungsfilm-Anheftungsschrittszum Anheften eines Bondierungsfilms für die Chipmontage bzw. -bondierungan der hinteren Flächeeines Halbleiterwafers bei dem Teilungsverfahren nach der vorliegendenErfindung.
    [0023] 1(a) ist eine perspektivischeAnsicht eines Halbleiterwafers 10 und eines Bondierungsfilms 11 für die Chipmontagebzw. -bondierung, wobei dieser Bondierungsfilm 11 an derhinteren Flächedes Halbleiterwafers 10 anzuheften ist. Eine Mehrzahl vonStrassen 101 ist an der vorderen Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 ineiner Gitterform gebildet und eine Schaltung bzw. Schaltkreis 102 istin einer Mehrzahl von Bereichen bzw. Flächen gebildet, die durch dieMehrzahl der Strassen 101 unterteilt sind. Ein Filmmaterial,das aus Polyimidharz hergestellt ist und eine Dicke von 20 bis 40 μm aufweist,kann als der Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage verwendet werden.Dieser Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage wird an derhinteren Flächedes Halbleiterwafers 10 platziert und gegen die hintereFlächedes Halbleiterwafers 10 bei Erwärmung bei 80 bis 200°C gepresstbzw. gedrückt,um an der hinteren Flächedes Halbleiterwafers 10 angeheftet zu werden, wie in 1(b) gezeigt. Der Bondierungsfilmfür dieChipmontage wird durch Anwenden einer verhältnismäßig kleinen Zugkraft leichtgebrochen bzw. aufgebrochen.
    [0024] Nachdemder Bondierungsfilm 11 an der hinteren Fläche desHalbleiterwafers 10 bei dem obigen Bondierungsfilm-Anheftungsschrittangeheftet worden ist, wird ein extensiles bzw. dehnbares bzw. ausdehnbaresSchutzklebeband an der Seite des an der hinteren Fläche desHalbleiterwafers 10 angehefteten Bondierungsfilms 11 befestigt(Schutzklebeband-Befestigungsschritt). Dieser Schutzklebeband-Befestigungsschrittdient dazu, um den an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftetenBondierungsfilm 11 an der oberen Fläche des dehnbaren Schutzklebebandes 14 zubefestigen, welches ein Band aus synthetischem Harz, z.B. ein Vinylchloridbandist, das im allgemeinen als ein Band zum Dicen bzw. zum In-Chips-zerschneidenverwendet und so angeheftet bzw. angeklebt wird, um die innere Öffnung einesringförmigenStütz-bzw. Tragrahmens 13 zu bedecken, wie in 2 gezeigt. Ein UV-Band mit der Eigenschaft,dass seine Haftung bzw. Adhäsiondurch einen externen bzw. äußeren Stimulusbzw. Anregung, z.B.
    [0025] Ultraviolettstrahlungoder dergleichen, reduziert wird, wird als das dehnbare Schutzklebeband 14 verwendet.
    [0026] Nachdemder an der hinteren Flächedes Halbleiterwafers 10 angeheftete Bondierungsfilm 11 ander oberen Flächedes dehnbaren Schutzklebebandes 14 befestigt ist, das andem Tragrahmen 13 in dem Schutzklebeband-Befestigungsschrittangeheftet worden ist, wird der Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 mitdem an diesem befestigten Schutzklebeband 14 in einzelneHalbleiterchips durch Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlangder Strassen 101 ausgeführt.
    [0027] EineLaserstrahlmaschine zum Ausführen desTeilungsschritts zum Teilen des Halbleiterwafers 10 ineinzelne Halbleiterchips durch Aufbringen eines Laserstrahls entlangder Strassen 101 wird unter Bezugnahme auf 3 und 4 beschrieben.
    [0028] Diein 3 gezeigte Laserstrahlmaschine 1 weisteine statische Basis 2, eine Futter- bzw. Einspanntischeinheit 3,die an der statischen Basis 2 in einer solchen Art undWeise angeordnet ist, dass sie sich in einer durch einen Pfeil Xgezeigten Richtung bewegen kann, und ein Werkstück hält, einen Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag-bzw. -Stützmechanismus 4,der an der statischen Basis 2 in einer solchen Art undWeise angebracht ist, dass er sich in einer durch einen Pfeil Ygezeigten Richtung rechtwinklig zu der obigen durch den Pfeil Xgezeigten Richtung bewegen kann, und eine Laserstrahlaufbringungseinheit 5 auf,die an dem Laserstrahlaufbringungseinheit-Stützmechanismus 4 ineiner solchen Art und Weise angeordnet ist, dass sie sich in einerdurch einen Pfeil Z gezeigten Richtung bewegen kann.
    [0029] Derobige Einspanntischmechanismus 3 weist auf: ein Paar vonFührungsschienen 31 und 31, diean der statischen Basis 2 angebracht und in der durch denPfeil X gezeigten Richtung parallel zueinander angeordnet sind,einen ersten Gleit- bzw. Verschiebeblock 32, der an denFührungsschienen 31 und 31 ineiner solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in derdurch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegen kann, einen zweitenGleit- bzw. Verschiebeblock 33, der an dem ersten Gleitblock 32 in einersolchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in der durchden Pfeil Y gezeigten Richtung bewegen kann, einen Trag- bzw. Stütztisch 35,der an dem zweiten Gleitblock 33 durch ein zylindrisches Element 34 getragenbzw. abgestütztist, und einen Futter- bzw. Einspanntisch 36 als ein Werkstückhaltemittelbzw. -einrichtung. Dieser Einspanntisch 36 weist ein Adsorptionsspannfutter 361 auf,das aus einem porösenMaterial hergestellt ist, so dass ein scheibenartiger Halbleiterwaferals ein Werkstückan dem Adsorptionsspannfutter 361 durch ein Saug- bzw.Ansaugmittel bzw. -einrichtung gehalten ist, welche nicht gezeigtist. Der Einspanntisch 36 wird durch einen (nicht gezeigten)Schrittmotor gedreht, der in dem zylindrischen Element 34 eingebautist.
    [0030] Derobige erste Gleitblock 32 weist an seiner unteren Fläche einPaar von zu führendenNuten 321 und 321, welche an dem obigen Paar vonFührungsschienen 31 und 31 angebrachtsind, und an seiner oberen Flächeein Paar von Führungsschienen 322 und 322 auf,die in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung parallel zueinandergebildet sind. Der somit ausgebildete erste Gleitblock 32 kannsich in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung entlang des Paaresvon Führungsschienen 31 und 31 durchAnbringen der zu führendenNuten 321 und 321 an dem Paar von Führungsschienen 31 und 31 bewegen.Der Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichtenAusführungsformist mit einem Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 37 zumBewegen des ersten Gleitblocks 32 entlang des Paares derFührungsschienen 31 und 31 inder durch den Pfeil X gezeigten Richtung versehen. Das Bewegungsmittel 37 weisteine männlicheSchraubenspindel bzw. eine Schraubenspindel 371, die zwischendem obigen Paar von Führungsschienen 31 und 31 undparallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B.einen Schrittmotor 372 zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 371 auf.Die Schraubenspindel 371 ist an ihrem einen Ende an einemLagerblock 371 drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an derobigen statischen Basis 2 befestigt ist, und an dem anderenEnde mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 372 durchein (nicht gezeigtes) Reduktionsgetriebe antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt.Die Schraubenspindel 371 ist in ein mit Gewinde versehenesDurchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichenSchraubenblock gebildet ist, der von der unteren Fläche desmittleren Bereichs des ersten Gleitblocks 32 hervorsteht.Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 371 ineiner normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch denSchrittmotor 372 der erste Gleitblock 32 entlangder Führungsschienen 31 und 31 in derdurch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt.
    [0031] Derobige zweite Gleitblock 33 weist an seiner unteren Fläche einPaar von zu führendenNuten 331 und 331 auf, welche an dem Paar deran der oberen Flächedes obigen ersten Gleitblocks 32 vorgesehenen Führungsschienen 322 und 322 angebracht sindund in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung durch Anbringender zu führendenNuten 331 und 331 an dem Paar von Führungsschienen 322 und 322 bewegtwerden können.Der Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichtenAusführungsformist mit einem Bewegungsmittel bzw. – einrichtung 38 zumBewegen des zweiten Gleitblocks 33 in der durch den PfeilY gezeigten Richtung entlang des Paares der Führungsschienen 322 und 322 versehen,die an dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen sind. Das Bewegungsmittel 38 weisteine Schraubenspindel 381, die zwischen dem obigen Paarvon Führungsschienen 322 und 322 parallelzu diesen angeordnet ist und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 382,zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 381 auf. DieSchraubenspindel 381 ist an ihrem einen Ende an einem Lagerblock 383 drehbar abgestützt bzw.gelagert, der an der oberen Fläche desobigen ersten Gleitblocks 32 befestigt ist, und ist andem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 382 durchein Reduktionsgetriebe, das nicht gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt.Die Schraubenspindel 381 ist in ein mit Gewinde versehenesDurchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblockgebildet ist, der von der unteren Fläche des mittleren Bereichsdes zweiten Gleitblocks 33 vorsteht. Daher wird durch Antreibender Schraubenspindel 381 in einer normalen Richtung odereiner umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 382 derzweite Gleitblock 33 entlang der Führungsschienen 322 und 322 inder durch den Pfeil Y gezeigten Richtung bewegt.
    [0032] Derobige Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag- bzw. -Stützmechanismus 4 weistein Paar von Führungsschienen 41 und 41,die an der statischen Basis 2 angebracht sind und in derdurch den Pfeil Y gezeigten Index- bzw. Weiterschaltrichtung parallelzueinander angeordnet sind, und eine bewegbare Trag- bzw. Stützbasis 42 auf,die an den Führungsschienen 41 und 41 ineiner solchen Art und Weise angebracht ist, dass sie sich in derdurch den Pfeil Y gezeigten Richtung bewegen kann. Diese bewegbareStützbasis 42 weisteinen bewegbaren Stützbereich 421,der an den Führungsschienen 41 und 41 bewegbarangeordnet ist, und einen Anbringungsbereich 422 auf, deran dem bewegbaren Stützbereich 421 angebrachtist. Dieser Anbringungsbereich 422 weist an seiner einenSeite ein Paar von Führungsschienen 423 und 423 auf,die sich in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung erstrecken.Der Laserstrahlaufbringungseinheit-Stützmechanismus 4 beider veranschaulichten Ausführungsformweist ein Bewegungsmittel bzw. – einrichtung 43 zumBewegen der bewegbaren Stützbasis 42 entlangdes Paares von Führungsschienen 41 und 41 inder durch den Pfeil Y gezeigten Index- bzw. Weiterschaltrichtungauf. Das Bewegungsmittel 43 weist eine Schraubenspindel 431,die zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 41 und 41 parallel zudiesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 432,zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 431 auf. DieSchraubenspindel 431 ist an ihrem einen Ende durch einen (nichtgezeigten) Lagerblock drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an derobigen statischen Basis 2 befestigt ist, und ist an demanderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 432 durchein Reduktionsgetriebe, das nicht gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt.Die Schraubenspindel 431 ist in ein mit Gewinde versehenesDurchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichenSchraubenblock gebildet ist, der von der unteren Fläche desmittleren Bereichs des bewegbaren Stützbereichs 421 vorsteht,welcher die bewegbare Stützbasis 42 bildet.Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 431 ineiner normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch denSchrittmotor 432 die bewegbare Stützbasis 42 entlangder Führungsschienen 41 und 41 inder durch den Pfeil Y gezeigten Weiterschaltrichtung bewegt.
    [0033] DieLaserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichtenAusführungsformweist einen Einheithalter 51 und ein Laserstrahlaufbringungsmittel bzw.-einrichtung 52 auf, die an dem Einheithalter 51 befestigtist. Der Einheithalter 51 ist mit ein Paar von zu führendenNuten 511 und 511 versehen, um an dem Paar vonFührungsschienen 423 und 423 gleit- bzw.verschiebbar angebracht zu werden, die an dem obigen Anbringungsbereich 422 vorgesehensind, und ist in einer solchen Art und Weise getragen bzw. abgestützt, dasser in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung durch Anbringen derzu führendenNuten 511 und 511 an den obigen Führungsschienen 423 und 423 bewegtwerden kann.
    [0034] Dasveranschaulichte Laserstrahlaufbringungsmittel 52 weistein zylindrisches Gehäuse 521 auf,das an dem obigen Einheithalter 51 befestigt ist und sichim wesentlichen horizontal erstreckt. In dem Gehäuse 521 sind ein Laserstrahloszillationsmittel bzw.-einrichtung 522 und ein Laserstrahlmodulationsmittel bzw.-einrichtung 523 eingebaut, wie in 4 gezeigt. Ein YAG-Laseroszillator oderein YV04-Laseroszillator könnenals das Laserstrahloszillationsmittel 522 verwendet werden.Das Laserstrahlmodulationsmittel 523 weist ein Wiederhol- bzw.Folgefrequenzeinstellmittel bzw. -einrichtung 523a, einLaserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel bzw. -einrichtung 523b undein Laserstrahlwellenlängeneinstellmittelbzw. -einrichtung 523c auf. Das Folgefrequenzeinstellmittel 523a,das Laserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel 523b und dasLaserstrahlwellenlängeneinstellmittel 523c,welche das Laserstrahlmodulationsmittel 523 bilden, können für Fachleutebekannte Einrichtungen sein und daher werden detaillierte Beschreibungenihrer Strukturen bzw. Ausbildungen in diesem Text weggelassen. EinKondensor 524 ist an dem Ende des obigen Gehäuses 521 angebracht.
    [0035] EinLaserstrahl, der von dem obigen Laserstrahloszillationsmittel 522 inOszillation bzw. Schwingung versetzt wird, erreicht den Kondensor 524 durchdas Laserstrahlmodulationsmittel 523. Das Folgefrequenzeinstellmittel 523a desLaserstrahlmodulationsmittels 523 ändert den Laserstrahl in einenPuls- bzw.
    [0036] Impulslaserstrahlmit einer vorbestimmten Folgefrequenz, das Laserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel 523b ändert dieImpulsbreite des Impulslaserstrahls zu einer vorbestimmten Breiteund das Laserstrahlwellenlängeneinstellmittel 523c ändert dieWellenlängedes Impulslaserstrahls zu einem vorbestimmten Wert.
    [0037] EinBildaufnahmemittel bzw. -einrichtung 6 ist an dem vorderenEnde des Gehäuses 521 angeordnet,welches das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 52 bildet.Das Bildaufnahmemittel 6 weist eine Bildaufnahmevorrichtung(CCD) zum Aufnehmen eines Bildes des Werkstücks, ein Beleuchtungsmittel zumBeleuchten des Werkstücksund ein optisches System zum Einfangen eines durch das Beleuchtungsmittelbeleuchteten Bereichs auf und das Bildaufnahmemittel 6 istso ausgebildet, um ein durch das optische System aufgefangenes Bildzu der Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zu übertragen, um das Bild in einelektrisches Bildsignal umzuwandeln. Dieses Bildsignal wird zu einemSteuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung übertragen, die nicht gezeigtist.
    [0038] DieLaserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichtenAusführungsformweist ein Bewegungsmittel 53 zum Bewegen des Einheithalters 51 entlangdes Paares von Führungsschienen 423 und 423 inder durch den Pfeil Z gezeigten Richtung auf. Das Bewegungsmittel 53 weisteine (nicht gezeigte) Schraubenspindel, die zwischen dem Paar vonFührungsschienen 423 und 423 angeordnetist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 532,zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel auf, ähnlich zudem oben erwähntenBewegungsmittel. Durch Antreiben der (nicht gezeigten) Schraubenspindelin einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durchden Schrittmotor 532 werden der Einheithalter 51 unddas Laserstrahlaufbringungsmittel 52 entlang der Führungsschienen 423 und 423 inder durch den Pfeil Z gezeigten Richtung bewegt.
    [0039] Esfolgt eine Beschreibung des Teilungsschritts zum Teilen des Halbleiterwafers 10,der an dem Schutzklebeband 14 getragen bzw. gehalten ist, dasan dem Trag- bzw. Stützrahmen 13 angebracht ist,in einzelne Halbleiterchips unter Verwendung der oben beschriebenenLaserstrahlmaschine 1.
    [0040] Deran dem an dem Tragrahmen 13 angebrachten Schutzklebeband 14 gehalteneHalbleiterwafer 10 wird auf das Adsorptionsspannfutter 361 desEinspanntischs 36 getragen, der den Einspanntischmechanismus 3 derin 3 gezeigten Laserstrahlmaschine 1 bildet,wobei die vordere Fläche 10a nachoben weist, und an dem Adsorptionsspannfutter 361 durchAnsaugung gehalten. Der Einspanntisch 36, der auf dieseArt und Weise den Halbleiterwafer 10 durch Ansaugung hält, wirdentlang der Führungsschienen 31 und 31 durchOperation des Bewegungsmittels 37 bewegt, um zu einer Position rechtsunterhalb des Bildaufnahmemittels 6 gebracht zu werden,das an der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 angebrachtist.
    [0041] Wennder Einspanntisch 36 rechts unterhalb des Bildaufnahmemittels 6 positioniertist, wird eine Bildverarbeitung, z.B. Pattern Matching bzw. Mustervergleichdurch das Bildaufnahmemittel 6 und das (nicht gezeigte)Steuer- bzw. Regelmittel ausgeführt, umdie an dem Halbleiterwafer 10 gebildeten Strassen 101 ineiner ersten Richtung mit dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zumAufbringen eines Laserstrahls entlang der Strasse 101 auszurichten.Die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition ist auf dieseArt und Weise ausgeführt.Die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition wird ebenfallsan an dem Halbleiterwafer 10 gebildeten Strassen 101 ineiner zweiten Richtung ausgeführt.
    [0042] Nachdemeine Strasse 101, die an dem an dem Einspanntisch 36 gehaltenenHalbleiterwafer 10 gebildet ist, detektiert worden istund die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt wordenist, wird der Einspanntisch 36 zu einem Laserstrahlaufbringungsbereichbewegt, wo der Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Aufbringeneines Laserstrahls angeordnet ist, und es wird ein Laserstrahl entlangder Strasse 101 des Halbleiterwafers 10 von demKondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 indem Laserstrahlaufbringungsbereich aufgebracht. Bei dieser Gelegenheitwird der Laserstrahl zum Fokussieren an dem Inneren des Halbleiterwafers 10 durchdie vordere Fläche 10a desHalbleiterwafers 10 gebracht, um eine modifizierte Schicht entlangder Strasse 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 zubilden.
    [0043] Beidem Schritt des Bildens modifizierter Schichten entlang der Strassen 101 indem Inneren des Halbleiterwafers 10 wird der Einspanntisch 36, d.h.,der an dem Einspanntisch 36 gehaltene Halbleiterwafer 10,mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit (z.B. 100 mm/sek)in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt, während einImpulslaserstrahl auf eine vorbestimmte Strasse 101 an demHalbleiterwafer 10 von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zumStrahlen eines Laserstrahls aufgebracht wird.
    [0044] Indem Schritt des Bildens modifizierter Schichten wird der folgendeLaserstrahl als der Laserstrahl gestrahlt. Lichtquelle: YAG-Laseroder YV04-Laser Wellenlänge:1,064 nm (Infrarotlaserstrahl) Ausgang: 5,1 W Wiederhol-bzw. Folgefrequenz: 100 kHz Impulsbreite: 20 ns Brennfleckdurchmesser:1 μm
    [0045] Alsder in dem Schritt des Bildens modifizierter Schichten gestrahlteLaserstrahl wird ein Infrarotlaserstrahl mit einer langen Wellenlänge verwendet, derLaserstrahl wird an der vorderen Fläche des Halbleiterwafers 10 beiFokussieren an dem Inneren des Halbleiterwafers 10 aufgebracht,wie in 5 gezeigt. Z.B.wird in dem Falle eines Halbleiterwafers 10 mit einer Dickevon etwa 100 μmder Halbleiterwafer 10 in der durch den Pfeil X gezeigtenRichtung bewegt, währendein Infrarotlaserstrahl bei Fokussierung an dem Inneren bei etwa20 μm vonder vorderen Flächeaufgebracht wird, so dass ein modifizierter Bereich 10c miteiner Tiefe von etwa 50 μmentlang der Strasse in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 kontinuierlichgebildet wird.
    [0046] Dader Halbleiterwafer 10 mit den modifizierten Schichten 10c,welche entlang der Strassen in seinem Inneren in dem obigen Schrittdes Bildens modifizierter Schichten gebildet werden, an den modifiziertenSchichten 10c als die Startpunkte bzw. -stellen gebrochenwird, wenn eine äußere Kraftauf ihn ausgeübtwird, kann er mit geringer äußerer Kraft leichtgebrochen werden. In diesem Falle wird der an der hinteren Fläche desHalbleiterwafers 10 angeheftete Bondierungsfilm 11 für die Bondierungnicht gebrochen, weil der in dem obigen Schritt des Bildens modifizierterSchichten 10c aufgebrachte Laserstrahl den Bondierungsfilm 11 nichterreicht.
    [0047] Einanderes Beispiel des Verfahrens zum Aufbringen eines Laserstrahlswird als nächstesbeschrieben.
    [0048] Indiesem Beispiel wird der Einspanntisch 36 zu dem Laserstrahlaufbringungsbereichbewegt, wo der Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zumAufbringen eines Laserstrahls angeordnet ist, wie oben beschrieben,und ein Laserstrahl wird entlang einer Strasse 101 an demHalbleiterwafer 10 von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 indem Laserstrahlaufbringungsbereich dadurch aufgebracht, dass eran der vorderen Fläche 10a desHalbleiterwafers 10 fokussiert wird, um eine Nutenliniezu bilden.
    [0049] DerSchritt des Bildens von Nutenlinien wird im nachfolgenden beschrieben.
    [0050] Indem Schritt des Bildens von Nutenlinien wird der Einspanntisch 36,d.h., der an dem Einspanntisch 36 gehaltene Halbleiterwafer 10,mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit (z.B. 150 mm/sek)in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt, während einImpulslaserstrahl von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zumAufbringen eines Laserstrahls bei Fokussieren an der vorderen Fläche 10a einervorbestimmten Strasse 101 an dem Halbleiterwafer 10 aufgebracht wird.In dem Schritt des Bildens von Nutenlinien wird der folgende Laserstrahlals der Laserstrahl gestrahlt. Lichtquelle: YAG-Laser oderYV04-Laser Wellenlänge:355 nm (Ultraviolettlaserstrahl) Ausgang: 3,0 W Folgefrequenz:20 kHz Impulsbreite: 0,1 ns Brennfleckdurchmesser: 5 μm
    [0051] EinLaserstrahl mit einer kurzen Wellenlänge wird als der Laserstrahlin diesem Beispiel verwendet, jedoch kann ein Infrarotlaserstrahlverwendet werden. Durch Bewegen eines Laserstrahls in der durchden Pfeil X gezeigten Richtung, während sein Brennpunkt P ander vorderen Fläche 10a desHalbleiterwafers 10 eingestellt ist, wird eine Nutenlinie 10d miteiner Tiefe von etwa 30 μmentlang der Strasse gebildet.
    [0052] Dader Halbleiterwafer 10 mit Nutenlinien 10d entlangder Strassen in dem obigen Schritt des Bildens von Nutenlinien mitden Nutenlinien 10d als die Startpunkte bzw. -stellen gebrochenwird, wird er in einzelne Halbleiterchips entlang der Strassen durchAusübeneiner geringen äußeren Kraftauf ihn geteilt. Der Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage bzw.-bondierung, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftetist, wird nicht gebrochen, weil ein Laserstrahl, der in dem obigenSchritt des Bildens von Nutenlinien aufgebracht worden ist, denBondierungsfilm 11 nicht erreicht.
    [0053] Esist erwünscht,sowohl den Schritt des Bildens modifizierter Schichten entlang derStrassen 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 alsauch den Schritt des Bildens von Nutenlinien entlang der Strassen 101 ander vorderen Flächedes Halbleiterwafers 10 in dem Teilungsschritt zum Teilendes Halbleiterwafers 10 in einzelne Halbleiterchips auszuführen.
    [0054] Nachdemder Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 ineinzelne Halbleiterchips durch Verwendung der Laserstrahlmaschine 1 ausgeführt wordenist, wird das Schutzklebeband 14 gedehnt bzw. ausgedehnt,um Zugkraft bei dem Bondierungsfilm 11 zu erzeugen, umden Bondierungsfilmaufbrechschritt zum Aufbrechen des Bondierungsfilms 11 für jedenHalbleiterchip auszuführen.Dieser Bondierungsfilmaufbrechschritt wird durch eine Schutzklebeband-Ausdehnvorrichtung 15 ausgeführt, diein 7 und in 8(a) und 8(b) gezeigt ist. Die Schutzklebeband-Ausdehnvorrichtung 15 wirdim nachfolgenden beschrieben. Die veranschaulichte Ausdehnvorrichtung 15 für das Schutzklebeband 14 weisteine zylindrische Basis 151 mit einer Platzierungsfläche 151a für die Platzierungdes obigen Tragrahmens 13 und ein Ausdehnmittel 16 auf,das konzentrisch in der Basis 151 angeordnet ist und zum positivenbzw. zwangsläufigenAusdehnen des Schutzklebebandes 14 dient, das an dem Tragrahmen 13 angeheftetist. Das Ausdehnungsmittel 16 weist ein zylindrisches Ausdehnungselement 161 zumTragen bzw. Abstützeneines Bereichs 141 auf, wo eine Mehrzahl von Halbleiterchips 20 desobigen Schutzklebebandes 14 vorhanden sind. Dieses Ausdehnungselement 161 istso ausgebildet, um dazu befähigtzu sein, in einer vertikalen Richtung (axiale Richtung der zylindrischenBasis 151) zwischen einer in 8(a) gezeigtenReferenzposition und einer in 8(b) gezeigtenausgedehnten Position oberhalb der Referenzposition durch ein Hebe-bzw. Hubmittel bewegt zu werden, welches nicht gezeigt ist. Beider veranschaulichten Ausführungsformsind Ultraviolettstrahlungslampen 17 innerhalb des Ausdehnungselements 161 eingebaut.
    [0055] Alsnächsteswird der Bondierungsfilm-Aufbrechschritt, der mit der oben beschriebenenSchutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtung 15 ausgeführt wird,unter Bezugnahme auf 7, 8(a) und 8(b) beschrieben.
    [0056] Wieoben beschrieben, wird der Tragrahmen 13, welcher den Halbleiterwafer 10 trägt, derden an seiner hinteren Flächeangehefteten Bondierungsfilm 11 aufweist und an der oberenFlächedes ausdehnbaren Schutzklebebandes 14 getragen bzw. gehalten ist,das an dem Tragrahmen 13 befestigt ist (der Bondierungsfilm 11,der an der hinteren Flächedes Halbleiterwafers 10 angeheftet ist, der in einzelneHalbleiterchips 20 unterteilt ist, ist an der oberen Seitedes Schutzklebebandes 13 befestigt), an der Platzierungsfläche 151a derzylindrischen Basis 151 platziert und an der Basis 15 durchKlammern bzw. Klemmen 18 befestigt, wie in 7 und 8(a) gezeigt. Sodannwird, wie in 8(b) gezeigt,das Ausdehnungselement 161 des Ausdehnungsmittels 16,welches in dem obigen Schutzklebeband 14 den Bereich 141,in dem die Mehrzahl von Halbleiterchips 20 vorhanden ist,trägt bzw.abstützt,zu der in 8(b) gezeigtenAusdehnungsposition von der in 8(a) gezeigtenReferenzposition durch ein Hebe- bzw. Hubmittel, das nicht gezeigtist, bewegt. Infolgedessen wirkt, wenn das ausdehnbare Schutzklebeband 14 ausgedehntwird, eine Zugkraft auf den an diesem Schutzklebeband 14 befestigtenBondierungsfilm 11, wodurch der Bondierungsfilm 11 entlangder Halbleiterchips 20 gebrochen bzw. aufgebrochen wird,wie in 9 gezeigt. Dadie Adhäsionzwischen dem Schutzklebeband 14 und dem an den Halbleiterchips 20 angeheftetenBondierungsfilm 11 sich aufgrund eines Spaltes vermindert,welcher zu diesem Zeitpunkt zwischen diesen erzeugt wird, werdendie an dem Bondierungsfilm 11 angehefteten Halbleiterchips 20 vondem Schutzklebeband 14 leicht entfernt.
    [0057] Nachdemder Bondierungsfilm 11, der an der hinteren Fläche desHalbleiterwafers 10 angeheftet ist, der in einzelne Halbleiterchips 20 geteiltist, entlang der Halbleiterchips 20 in dem Bondierungsfilm-Aufbrechschrittaufgebrochen ist, wird eine Chipaufnahme-Hülse bzw. -Patrone 19,die oberhalb der Schutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtung 15 positioniertist, betätigt,um die einzelnen Halbleiterchips 20 von der oberen Fläche desSchutzklebebandes 14 zu entfernen (Halbleiterchip-Entfernungsschritt),wie in 7 gezeigt, undum diese zu einem (nicht gezeigten) Tablett zu tragen oder um einenChipmontage- bzw. -bondierungsschritt auszuführen. Bei dieser Gelegenheitwerden die innerhalb des Ausdehnungselements 161 eingebautenUltraviolettbestrahlungslampen 17 eingeschaltet, um Ultraviolettstrahlungauf das Schutzklebeband 14 aufzubringen, um die Adhäsion desSchutzklebebandes 14 zu reduzieren, um es hierdurch möglich zumachen, die Halbleiterchips 20 von dem Schutzklebeband 14 leichtzu entfernen. Die auf diese Art und Weise von dem Schutzklebeband 14 entferntenHalbleiterchips 20 weisen einen Zustand des noch an derhinteren Flächeangehefteten Bondierungsfilms 11 auf, wie in 10 gezeigt, und die Halbleiterchips 20 mitdem an der hinteren Fläche angeheftetenBondierungsfilm 11 werden erhalten. Weiterhin wird, dader Halbleiterwafer 10 durch einen Laserstrahl kompaktgeteilt worden ist, der Bondierungsfilm 11 entsprechendder Größe einesjeden Halbleiterchips 20 geteilt und steht selten von den Halbleiterchips 20 zudem Zeitpunkt der Chipmontage vor, wodurch die Qualität der Chipmontageverbessert wird.
    [0058] Entsprechenddem Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nach der vorliegendenErfindung wird der Teilungsschritt des Anheftens des Bondierungsfilmsfür dieChipmontage an der hinteren Flächedes Halbleiterwafers und die Aufbringung eines Laserstrahls aufden Halbleiterwafer ausgeführt, umeinen Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips zu teilen. Indiesem Schritt wird der Bondierungsfilm nicht aufgebrochen, jedochHalbleiterchips mit dem an der hinteren Fläche angehefteten Bondierungsfilm durchAuferlegen einer Zugkraft auf den Bondierungsfilm und durch dessenAufbrechen entlang der einzelnen Halbleiterchips. Daher kann dieBondierungsarbeit der Halbleiterchips gleichmäßig ausgeführt werden. Weiterhin wird,entsprechend dem Verfahren zum Teilen eines Halbleiterchips nachder vorliegenden Erfindung, da ein Laserstrahl auf den Halbleiterwaferaufgebracht wird, um ihn in einzelne Halbleiterchips zu teilen,kein Spalt zwischen benachbarten bzw. angrenzenden Halbleiterchipsgebildet und der Bondierungsfilm wird in Übereinstimmung mit den Halbleiterchipsaufgebrochen. Daher steht der Bondierungsfilm nicht von den Halbleiterchipsvor. Folglich wird die Qualitätdes Bondierens bzw. Montierens der Halbleiterchips an einem Verdrahtungs- bzw.Verkabelungsrahmen verbessert.
    权利要求:
    Claims (4)
    [1] Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers miteiner Mehrzahl von Strassen, die an der vorderen Fläche in einerGitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw. Schaltkreis,der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, welche durch dieMehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips,aufweisend: einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zumAnheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierungan der hinteren Flächedes Halbleiterwafers; einen Schutzklebeband-Befestigungsschrittzum Befestigen eines extensilen bzw. dehnbaren Schutzklebebandesan der Seite des Bondierungsfilms des Halbleiterwafers mit dem andessen hinterer Fläche angeheftetenBondierungsfilm; einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers ineinzelne bzw. individuelle Halbleiterchips durch Aufbringen bzw.Anwenden eines Laserstrahls entlang der Strassen von der vorderenFlächedes Halbleiterwafers, der an dem Schutzklebeband befestigt ist; einenBondierungsfilm-Brech- bzw. -Aufbrechschritt zum Brechen bzw. Aufbrechendes Bondierungsfilms fürjeden Halbleiterchip durch Ausdehnen des Schutzklebebandes, um eineZugkraft fürden Bondierungsfilm zu ergeben; und einen Halbleiterwafer-Beseitigungs-bzw. -Entfernungsschritt zum Entfernen der Halbleiterchips mit demhieran befestigten, gebrochenen Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband.
    [2] Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nachAnspruch 1, bei dem der Bondierungsfilm-Anheftungsschritt durchPlatzieren des Bondierungsfilms an der hinteren Fläche desHalbleiterwafers und durch Pressen bzw. Drücken des Bondierungsfilms gegendie hintere Flächedes Halbleiterwafers bei Erwärmungbei einer Temperatur von 80 bis 200°C ausgeführt wird.
    [3] Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nachAnspruch 1 oder 2, bei dem das Schutzklebeband so angeklebt wird,um die innere Öffnungeines ringförmigenTrag- bzw. Stützrahmenszu bedecken.
    [4] Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nacheinem der Ansprüche1 bis 3, bei dem das Schutzklebeband die Eigenschaft hat, dass seine Haftungbzw. Adhäsiondurch einen externen bzw. äußeren Stimulusbzw. Anregung reduziert wird, und ein externer Stimulus dem Schutzklebebandgegeben bzw. verliehen wird, um seine Adhäsion zu dem Zeitpunkt zur Entfernungder Halbleiterchips mit dem hieran befestigten Bondierungsfilm vondem Schutzklebeband in dem obigen Halbleiterchips-Entfernungsschrittzu reduzieren.
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    法律状态:
    2010-03-25| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2011-08-29| R016| Response to examination communication|
    2011-09-05| R016| Response to examination communication|
    2012-10-04| R016| Response to examination communication|
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    2013-12-19| R020| Patent grant now final|Effective date: 20130914 |
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
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