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    • 专利摘要:
    Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die Arbeitseffizienz zu verbessern, indem der Montagevorgang eines elektronischen Bautelements an einer Leiterplatte vereinfacht und eine Haftkraft des elektronischen Bauelements vergrößert wird, um eine mangelhafte Produktion zu verhindern. Bei der vorliegenden Erfindung weist eine Chipabdeckung mit Isoliereigenschaften und mit einem Wärmeabstrahlungsteil auf ihrer Unterseite einen Gehäuseteil auf. Ein Flip-Chipteil, das auf seiner Rückseite eine Elektrodenoberfläche aufweist, auf der eine Mehrzahl von überstehenden Elektroden eines Halbleiters angeordnet sind, ist im Gehäuseteil aufgenommen. Ein anisotroper Leitklebstoff ist auf die Elektrodenoberfläche des Chipteils aufgebracht oder aufgedruckt, um die überstehenden Elektroden einzubetten, und ein Isolierklebstoff ist in einer dickeren Ausbildung auf eine Klebe- oder Verbindungsoberfläche aufgebracht oder aufgedruckt, die auf einer Unterseite der Chipabdeckung und um das Chipteil herum vorgesehen ist, um die überstehenden Elektroden einzubetten. Der anisotrope Leitklebstoff und der Isolierklebstoff sind unter Wärmezufuhr mit Druck beaufschlagt worden, um sie vorübergehend zu erhärten.
    公开号:DE102004010633A1
    申请号:DE102004010633
    申请日:2004-03-02
    公开日:2004-09-16
    发明作者:Yushi Yokohama Suda
    申请人:KOSHO CORP YOKOHAMA；Kosho Corp；Life Co Ltd；
    IPC主号:H01L23-28
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung betrifftein elektronisches Bauelement (elektronisches Bauteil oder elektronischeVorrichtung) zum Verbinden einer Mehrzahl von Elektroden, um eineHaftkraft von Chipteilen, insbesondere Flip-Chipteilen, die aus Halbleiterelementenbestehen, zu vergrößern, zur Verwendungin Anzeigefeldern sowie verschiedenen Arten von Modulen, und betrifftauch ein Verfahren zum Montieren (das heißt Einbau) des elektronischenBauelements.
    [0002] Konventionell sind verschiedene Artenvon elektronischen Bauelementen aus Halbleitern auf einer Leiterplattemontiert worden, um verschiedene Arten von Schaltungsmodulen bereitzustellen.In Abhängigkeitvon ihrer Ausbildung unterscheiden sich die elektronischen Bauelementejedoch in der Montagestruktur voneinander, und wenn die elektronischen Bauelementevon verschiedenen Arten von Chipteilen, wie vom SIP-Typ und vomQFP-Typ mit langbeinigen Anschlüssenund Bondingdrähten,verwendet werden, sind die meisten unter Verwendung einer Löttechnikmontiert worden.
    [0003] Zusammen mit einer Miniaturisierungund einem Dünnermachenvon elektronischen Vorrichtungen und Geräten, wie LC(Flüssigkristall)Feldern, IC-Kartenusw., sind auch Anforderungen an eine Miniaturisierung und ein Dünnermachender elektronischen Bauelemente aus Halbleitern gestellt worden, unddaher sind an Stelle der zuerst erwähnten Chipteile in breitemUmfang Flip-Chipteile (nachfolgend einfach als "Chipteil(e)" bezeichnet) verwendet worden, die durchFreilegen von überstehendenAnschlüssen(Bumps) auf einer Rückseiteeines eben gestalteten Chipteils gebildet werden.
    [0004] Obwohl das Montieren der Chipteilewie bei dem herkömmlichenMontageverfahren durch ein Lötverfahrenerfolgen kann, ist ein ernstes Kurzschlussproblem aufgetreten, wenneine Teilung oder ein Abstand der benachbarten Elektrodenanschlüsse nichtgroß genugist. Daneben werden die Chipteile in einer solchen Weise montiert,dass eine Mehrzahl von Substratelektroden auf der Leiterplatte ineiner gegenüberliegendenBeziehung zu einer Mehrzahl von Elektroden auf den Chipteilen positioniertwird, um die Elektroden der Leiterplatte und die Elektroden derChipteile auszurichten und miteinander zu verbinden. Da jedoch dieseElektroden nicht immer korrekt ausgerichtet sind und/oder es soviele Kontaktstellen gibt, tritt ein Problem auf, nämlich unerwünschte Verbindungen,was zu einer niedrigen Ausbeute führt. Weiter sind die unerwünschtenBauelemente, wo Lötfleckenin nicht in wünschenswerter Weisebefestigt sind, nicht wiederverwendbar, was zu einer wirtschaftlichenIneffizienz und einer geringen Produktivität führt. In Anbetracht dieser Mängel sind neuerdingsin breitem Umfang anisotrope Leitkleber verwendet worden, weil dieseKleber beim Montieren von Chipteilen verhältnismäßig leicht anwendbar sind.
    [0005] Wie in 17 dargestellt,wird in einem Fall, dass ein Flip-Chipteil 50 mit Elektroden 52 aufeiner Elektrodenoberfläche 51 unterVerwendung eines anisotropen Leitklebers auf einer Leiterplattemontiert wird, der anisotrope Leitkleber S, als Basisharz, auf dieSubstratelektroden 56 aufgebracht, die in einer Ausrichtbeziehungzu den Elektroden 52 auf der Leiterplatte 55 angeordnetworden sind. Wie in 18 dargestellt,werden dann die Elektroden 52 des Chipteils 50 ineiner gegenüberliegendenBeziehung zu den Substratelektroden 56 auf der Leiterplatte 55 ausgerichtetund von oberhalb des Chipteils 50 mittels eines bekanntenQuetschwerkzeugs X unter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt, um dadurch den anisotropen Leitkleber Svertikal mit Druck zu beaufschlagen, um den Montagevorgang zu bewirken. 19 zeigt ein resultierendesSchaltungsmodul, das durch die oben beschriebenen Schritte und das obenbeschriebene Verfahren hergestellt worden ist. Dieses ist zum Beispielin der ungeprüftenJapanischen VeröffentlichungNr. 2002-299809 dargestellt.
    [0006] Jedoch wird der anisotrope LeitkleberS hergestellt, indem ein leitfähigesbzw. leitendes feines Pulver aus Metall, wie Gold, Silber, Kupfer,Nickel oder dergleichen, in isolierende Epoxidharze zugesetzt wird,und wenn auf den Kleber ein Druck aufgebracht wird, wird daher eineLeiteigenschaft nur in Richtung des aufgebrachten Drucks erzeugt,währender in einer Richtung, in der er nicht mit Druck beaufschlagt wird,isolierend bleibt.
    [0007] Dementsprechend ist der anisotropeLeitkleber in dem Fall, wo eine Mehrzahl von Elektroden auf denChipteilen verbunden werden, äußerst effektiv. Unterden verschiedenen Arten von anisotropen Leitklebern besitzen einige,die verhältnismäßig große Mengean leitendem feinem Metallpulver enthalten (zum Beispiel ungefähr 75 Volumen-%)eine geringere Haft- oder Klebkraft als erforderlich, was zu einem neuenProblem führt,nämlicheinem Ablösender Chipteile. So werden sich die Chipteile 50, die unter Verwendungdes anisotropen Leitklebers montiert worden sind, infolge von aufdie Vorrichtungen und Geräteaufgebrachten mechanischen Stößen, Temperaturwechseln,Dauerschädigungusw. wahrscheinlich von der Leiterplatte 55 lösen, waszu einem ernsten Problem führt,nämlicheinem Ausfall der Funktion der Vorrichtungen und Geräte.
    [0008] In einem Fall, wo der anisotropeLeitkleber S auf eine vorbestimmte Stelle oder auf einen vorbestimmtenTeilbereich der Leiterplatte aufgebracht wird, wo die Chipteile 50 montiertwerden, ist eine ausreichend große Haftfläche erforderlich, um das obenbeschriebene Problem einer unzureichenden Haftkraft zu überwinden.In Anbetracht der Anforderungen an eine Montage mit hoher Packungsdichte istes jedoch schwierig, eine ausreichend große Fläche für die Haftung sicherzustellen.Wenn Chipteile miniaturisiert bzw. dünner gemacht und auf einer IC-Karteund dergleichen montiert werden, ist es außerdem wahrscheinlich, dassdie IC-Karte oder dergleichen infolge von äußeren Stößen auf die IC-Karte oder dergleichensowie einen mechanischen Druck infolge eines Verbiegens der IC-Karteoder dergleichen kurzgeschlossen wird, und dass sie durch ein äußeres Fremdionkorrodiert wird.
    [0009] In Anbetracht des Vorangehenden istes ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein neues elektronischesBauelement zum Verkleben einer Mehrzahl von Elektroden bereitzustellen,sowie ein neues Verfahren zum Montieren desselben.
    [0010] Ein anderes Ziel der vorliegendenErfindung ist es, den Einbau oder die Montage von miniaturisiertenund dünnergemachten elektronischen Bauelementen mit einer Mehrzahl von Elektrodenauf einer Leiterplatte zu vereinfachen, um dadurch die Arbeitseffizienzund eine Haftkraft der elektronischen Bauelemente zu verbessern,so dass durch äußere Stöße und Korrosionverursachte Kurzschlussprobleme beseitigt werden können, umein Erzeugen von den Spezifikationen nicht entsprechenden Produktenzu verhindern und gleichzeitig eine Aufbewahrung, Handhabung undeinen Transport der elektronischen Bauelemente zu ermöglichen.
    [0011] Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegendenErfindung wird ein elektronisches Bauelement zum Verbinden einerMehrzahl von Elektroden bereitgestellt, umfassend: eine isolierendeBasis mit einer Mehrzahl von Elektroden und Zwischenräumen dazwischen,einen auf die Elektroden aufgebrachten anisotropen Leitklebstoff,einen auf die Zwischenräumeaufgebrachten Isolierklebstoff, der denselben Erhärtungszustandwie ein Erhärtungszustanddes anisotropen Leitklebstoffs aufweist, wobei jeder von dem anisotropenLeitklebstoff und dem Isolierklebstoff vorübergehend bzw. zeitweilig erhärtet ist.
    [0012] Die oben beschriebene Erfindung erlaubtes, die verhältnismäßig schwacheHaftkraft des anisotropen Leitklebstoffs durch den Isolierklebstoffzu verstärkenund zu ergänzen,ohne eine Chipabdeckung und dergleichen zu verwenden, weil der anisotrope Leitklebstoffauf den Elektrodenteil auf der Basis der Chipteile aufgebracht istund der Isolierklebstoff auf die anderen Bereiche als die Elektrodenauf der Basis aufgebracht ist. Somit können die Chipteile fest angeklebtund in ihrer Lage festgehalten werden.
    [0013] Ein zweiter Aspekt der vorliegendenErfindung stellt ein elektronisches Bauelement zum Verbinden einerMehrzahl von Elektroden bereit, umfassend: eine isolierende Chipabdeckungmit einem Wärmeabstrahlungsteilund mit einem Gehäuseteil aufihrer Unterseite, ein im Gehäuseteiluntergebrachtes Flip-Chipteil,bestehend aus einer Basis mit einer Mehrzahl von Elektroden einesHalbleiterelements, die auf einer Rückseite angeordnet sind, einenauf die Elektroden der Basis des Chipteils aufgebrachten oder durchSiebdruck aufgedruckten anisotropen Leitklebstoff, eine Klebe- oderVerbindungsoberflächeauf einem Umfang des Chipteils und auf einer Unterseite der isolierendenChipabdeckung, einen auf die Klebe- oder Verbindungsoberfläche aufgebrachtenoder durch Siebdruck aufgedruckten Isolierklebstoff, der denselbenErhärtungszustandwie ein Erhärtungszustanddes anisotropen Leitklebstoffs aufweist, wobei jeder von dem anisotropenLeitklebstoff und dem Isolierklebstoff über eine vorbestimmte Zeitunter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt worden ist, um ihn vorübergehend bzw. zeitweilig zuerhärten.
    [0014] Bei dem oben beschriebenen zweitenAspekt der Erfindung kann der Wärmeabstrahlungsteil miteinem Öffnungsteilausgebildet sein, indem mindestens ein Endteil der Chipabdeckungnach außen zuverlängertist. Weiter weist der Isolierklebstoff eine ähnliche Temperatureigenschaftwie der anisotrope Leitklebstoff auf, der die Eigenschaft besitzt,dass er auf eine Erwärmungstemperaturreagiert und aus einem vorübergehendbzw. zeitweilig erhärtetenZustand in einen erhärtetenZustand übergeht.
    [0015] Dementsprechend können die Chipteile sicher inPosition auf der Leiterplatte montiert werden, so dass jeglicheBeschädigungoder Ablösungder Chipteile infolge äußerer Stöße wirksamverhindert werden kann. Weiter erlaubt dies einen Transport odereine Aufbewahrung oder Lagerung der elektronischen Bauelemente ineinem Zustand einer sofortigen Verwendbarkeit.
    [0016] In einem dritten Aspekt der vorliegendenErfindung wird ein Verfahren zum Montieren von elektronischen Bauelementenzum Verbinden einer Mehrzahl von Elektroden bereitgestellt, umfassend dieSchritte: Unterbringen eines Flip-Chipteils in einer Chipabdeckung, wobeidas Flip-Chipteil ein Halbleiterelement mit einer Mehrzahl von Elektrodenaufweist, die in einer planaren Weise angeordnet sind, und der Gehäuseteilauf einer Unterseite einer Chipabdeckung vorgesehen ist, die auseinem Isoliermaterial hergestellt ist und einen Wärmeabstrahlungsteil aufweist,Aufbringen oder Aufdrucken durch Siebdruck eines anisotropen Leitklebstoffsauf eine Mehrzahl von Elektroden, die auf einer Basis des Chipteils vorgesehensind, und Aufbringen oder Aufdrucken durch Siebdruck eines Isolierklebstoffs,der denselben Erhärtungszustandwie derjenige des anisotropen Leitklebstoffs aufweist, auf eineKlebe- oder Verbindungsoberflächeder Chipabdeckung, Beaufschlagen des anisotropen Leitklebstoffsund des Isolierklebstoffs unter Wärmezufuhr mit Druck über eine vorbestimmteZeit, um den anisotropen Leitklebstoff und den Isolierklebstoffvorübergehendbzw. zeitweilig zu erhärten,um dadurch ein vorbestimmtes elektronisches Bauelement zu erzeugen,Bereitstellen des elektronischen Bauelements in Position auf einer Leiterplattemit Substratelektroden, die zur Ausrichtung mit den Elektroden desChipteils angeordnet sind, um füreine vorbestimmte Positionierung der Elektroden und der Substratelektrodenzu sorgen, und Anbringen eines Quetschwerkzeugs auf der Chipabdeckungund Absenken des Quetschwerkzeugs, während die beiden oben erwähnten Arten vonKlebstoffen heißgeschmolzenwerden, um die Chipabdeckung übereine vorbestimmte Zeit auf die Leiterplatte zu pressen, um die beidenzuvor erwähntenArten von Elektroden elektrisch miteinander zu verbinden.
    [0017] Dementsprechend erlaubt es die vorliegende Erfindung,den Schritt der Montage/Anbringung auf der Leiterplatte vom Schrittdes Aufbringens der Klebstoffe zu trennen, und dies gestattet eineVerbesserung der Arbeitseffizienz und eine zuverlässige Langzeitaufbewahrungder elektronischen Bauelemente, die für eine sofortige Montage verfügbar sind, unddies ermöglichtein einfaches Transportieren oder Bewegen der elektronischen Bauelementezu Montagezwecken, um dadurch füreinen effizienten Montagevorgang zu sorgen.
    [0018] Andere Merkmale und Vorteile dervorliegenden Erfindung werden beim Lesen der nachfolgenden ausführlichenBeschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicherersichtlich, in denen:
    [0019] 1 eineUnterseitenansicht eines Flip-Chipteils ist;
    [0020] 2 eineperspektivische Ansicht einer Chipabdeckung ist;
    [0021] 3 eineUnterseitenansicht der Chipabdeckung ist;
    [0022] 4 eineperspektivische Ansicht eines elektronischen Bauteils gemäß einerersten Ausführungsformder Erfindung ist, wobei sich das elektronische Bauteil in einemZustand vor dem Prozess einer vorübergehenden Erhärtung befindet;
    [0023] 5 eineUnterseitenansicht des in 4 dargestelltenelektronischen Bauelements ist;
    [0024] 6 eineSchnittansicht des elektronischen Bauelements entlang der LinieA-A in 4 ist;
    [0025] 7 eineperspektivische Ansicht des elektronischen Bauteils ist, nachdemes vorübergehend erhärtet ist;
    [0026] 8 eineUnterseitenansicht eines Chipteils gemäß einer zweiten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0027] 9 eineDraufsicht auf das in 8 dargestellteChipteil ist;
    [0028] 10 eineSchnittansicht des Chipteils entlang der Linie B-B in 8 ist;
    [0029] 11 eineUnterseitenansicht des Chipteils gemäß einer dritten Ausführungsformder Erfindung ist;
    [0030] 12 eineDraufsicht auf das in 11 dargestellteChipteil ist;
    [0031] 13 eineUnterseitenansicht eines LSI gemäß einervierten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0032] 14 eineerläuterndeSchnittansicht des elektronischen Bauelements auf der Leiterplatteist, die einen Zustand vor der Montage und einen Einbauzustand deselektronischen Bauelements in Bezug zur Leiterplatte zeigt;
    [0033] 15 eineerläuterndeSchnittansicht ist, die zeigt, dass das elektronische Bauelementmittels eines Warmpresswerkzeugs unter Wärmezufuhr auf die Leiterplattegepresst wird;
    [0034] 16 eineSchnittansicht des elektronischen Bauelements und der Leiterplatteist, die das elektronische Bauelement auf die Leiterplatte gequetschtund montiert zeigt;
    [0035] 17 eineVorderseitenansicht des konventionellen Chipteils ist, die einenZustand zeigt, bevor das Chipteil gemäß dem Verfahren aus dem Standder Technik auf der Leiterplatte montiert wird;
    [0036] 18 eineVorderseitenansicht des konventionellen elektronischen Bauelementsist, die den Zustand zeigt, in dem das elektronische Bauelement gemäß dem Verfahrenaus dem Stand der Technik unter Wärmezufuhr auf die Leiterplattegepresst und gequetscht wird; und
    [0037] 19 eineVorderseitenansicht des konventionellen elektronischen Bauelementsist, das gemäß dem Verfahrenaus dem Stand der Technik auf der Leiterplatte montiert worden ist.
    [0038] Unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungenwerden nun bevorzugte Ausführungsformender vorliegenden Erfindung beschrieben.
    [0039] Zuerst Bezug nehmend auf die 1 bis 7, besteht das elektronische Bauelementaus einem Flip-Chipteil 11 und einer Chipabdeckung 20 zum Schutzdes Chipteils 11. Das Chipteil 11 weist eine Basis 12 auf,die als Elektrodenoberflächedient, auf der ein anisotroper leitender bzw. leitfähiger Klebstoff oderLeitklebstoff S in einem Zustand aufgebracht (oder aufgetragen)ist, in dem er teilweise oder vorübergehend bzw. zeitweilig erhärtet ist.Die Chipabdeckung 20 weist auf ihrer Unterseite auf einemTeil des Umfangs eine Klebe- oderVerbindungsoberfläche 24 auf,auf die ein isolierender Klebstoff oder Isolierklebstoff M aufgebracht(oder aufgetragen) und unter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt worden ist, um eine vorübergehende bzw. zeitweiligeErhärtungzu bewirken.
    [0040] Nunmehr Bezug nehmend auf 1, ist auf einer Basis 12 einesChipteils, das einen Halbleiter enthält, eine Mehrzahl von Elektroden(Bumps) 13 in Position gebracht, die mit dem Halbleiterverbunden sind. Da die Elektroden 13 jeweils mit einerSubstratelektrode 31 auf einer Oberfläche einer in 14 dargestellten Leiterplatte 30 verbundenwerden, kann eine vom Chipteil 11 auf der Leiterplatte 30 eingenommeneFlächegleich groß wiediejenige des Chipteils 11 gemacht werden, um dadurch kleineAbmessungen und ein geringeres Gewicht der Leiterplatte 30 zuerzielen. Jedoch wird dem auf die Oberfläche der Mehrzahl von Elektrodenauf dem Chipteil 11 aufgebrachten anisotropen LeitklebstoffS eine großeMenge an leitendem bzw. leitfähigemfeinem Metallpulver zugesetzt, und daher wird seine Haftkraft unvermeidbarverringert. Abgesehen davon lässtman die Elektroden vorzugsweise leicht über die Basis überstehen,oder man kann sie, falls notwendig, ansonsten auch ohne jeglichen Überstand mitder Oberflächebündigmachen.
    [0041] Unter Bezugnahme auf die 2 und 3, ist die Chipabdeckung 20 ausIsoliermaterialien hergestellt, vorzugsweise aus isolierenden Kunstharzen, und weistan ihrer Unterseite einen Gehäuseteil 21 auf,um darin das Chipteil 11 zu befestigen oder unterzubringen.Der Gehäuseteil 21 istmit einem Wärmeabstrahlungsteil 22 versehen,der mit der Außenseitekommuniziert, um die im Gehäuseteilerzeugte Wärmeabzustrahlen. Weiter weist die Chipabdeckung 20 am Umfangdes Gehäuseteils 21 zumindest aufden entgegengesetzten Seiten der Unterseite der Chipabdeckung 20 eineKlebe- oder Verbindungsoberfläche 24 zumAufbringen des Isolierklebstoffs M auf dieselbe auf.
    [0042] Der Gehäuseteil 21 ist miteinem Wärmeabstrahlungsteil 22 versehen,der aus einer Öffnungbesteht, die sich an der linken und rechten Seite und/oder an dervorderen und hinteren Seite bis zur Außenseite der Chipabdeckungerstreckt, so dass vom Chipteil 11 im Gehäuse 21 erzeugteWärme durchden Wärmeabstrahlungsteil 22 nachaußen freigesetztoder abgegeben wird, um eine Überhitzungdes Chipteils zu verhindern. Statt der Bereitstellung des Wärmeabstrahlungsteils 22 ander Chipabdeckung 20, wie oben beschrieben, können indiesem Fall auch geeignete Wärmeabstrahlungsrippen oder-vorsprünge(nicht dargestellt) auf der Oberfläche der Abdeckung vorgesehensein.
    [0043] Das Chipteil 11, das imGehäuseteil 21 der Chipabdeckung 20 befestigtist, ist als Einheit an der Innenseite des Gehäuseteils 21 festgeklebtoder mechanisch befestigt. Somit kann, wenn das elektronische Bauelement 10a vordem Prozess der vorübergehendenErhärtungauf der Leiterplatte 30 montiert oder an dieser festgeklebtwird, die Chipabdeckung 20 bewegt werden, um ihre Positionin Vorwärts-/Rückwärts-Richtungund Links-/Rechts-Richtung zu verändern, um die Lage des Chipteilszu justieren. Mit anderen Worten lässt sich, weil sich das elektronischeBauelement im vorübergehenderhärtetenZustand befindet, eine Relativposition zwischen den überstehendenElektroden 13 des Chipteils 11 und den Substratelektroden 31 imZeitpunkt einer Überprüfung unterStromzufuhr leicht justieren, um eine Erzeugung von mangelhaftenelektronischen Bauelementen zu verhindern.
    [0044] Die Verbindungsoberfläche 24 aufden entgegengesetzten Seiten der Unterseite der Chipabdeckung 20 istso ausgebildet, dass sie sich im Wesentlichen in derselben Ebenewie die als Elektrodenoberflächedes Chipteils 11 dienende Oberfläche der Basis 12 befindetund mit dieser bündigist. Die Verbindungsoberfläche 24 istmit einem allgemein bekannten Isolierklebstoff M versehen, und dieBasis 12 des Chipteils ist mit einem anisotropen LeitklebstoffS versehen, und diese Klebstoffe M und S werden gleichzeitig oderansonsten getrennt durch Aufbringen (das heißt Auftrag) oder durch Siebdruckbereitgestellt.
    [0045] Der anisotrope Leitklebstoff S weistnur in Richtung der Beaufschlagung mit Druck Leitfähigkeit auf,wie oben beschrieben, und zeigt in Richtung der Nicht-Beaufschlagung keineLeitfähigkeit,sondern bewahrt sein Isoliervermögen.Zu diesem Zweck wird bevorzugt ein (unter dem Produktnamen FineEposeal 5001) von FineChem Technical Laboratory, Ltd. hergestellteranisotropen Leitklebstoff verwendet, und zwar in einer solchen Weise,dass der Klebstoff unter Verwendung eines geeigneten Spenders aufgebracht(aufgetragen) oder durch Siebdruck aufgedruckt wird (nachfolgendwird der Begriff "Aufbringen" und seine Synonymeso verwendet, dass er sowohl "Auftragen" und "Aufdrucken" bedeutet), um 20-30Mikron im dünnstenGrößenordnungsbereich und150-200 Mikron im dicksten Größenordnungsbereichauf der ganzen Basis 12 des Chipteils 11 bereitzustellen.
    [0046] Nachdem der anisotrope LeitklebstoffS auf die Basis 12 des Chipteils 11 aufgebrachtist, wird der anisotrope Leitklebstoff S mittels eines QuetschwerkzeugsX bei einer vorbestimmten Temperatur und einem vorbestimmten Druck über einevorbestimmte Zeit unter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt, so dass die beiden Klebstoffe S und M vorübergehend erhärtet werden.Die Wärmebehandlungdes anisotropen Leitklebstoffs erfolgt bevorzugt bei einer verhältnismäßig niedrigenTemperatur von etwa 70°C über etwa1-3 Stunden mit einem vorbestimmten Druck. Die Zeit für die Erwärmung unddie Druckbeaufschlagung würdewährenddes Druckzustands von Bedeutung sein, und 0,7-1,0 kg/cm2 istein Beispiel dafür,obwohl sie nicht auf diesen Bereich begrenzt ist, weil sie von derArt der aufgebrachten Klebstoffe, Raumtemperatur, usw. abhängt.
    [0047] Der auf die Verbindungsoberfläche 24 der Chipabdeckung 20 aufgebrachteIsolierklebstoff M dient dazu, zu verhindern, dass sich die elektronischenBau teile von der Leiterplatte 30 lösen oder sich auf dieser verschieben.Der Isolierklebstoff M muss einen B-Stadium-Zustand des anisotropenLeitklebstoffs S aufweisen, das heißt eine ähnliche Temperatureigenschaftwie der anisotrope Leitklebstoff, der die Eigenschaft hat, dasser auf eine Erwärmungstemperaturreagiert und aus einem vorübergehend bzw.zeitweilig erhärtetenZustand in einen erhärtetenbzw. ausgehärtetenZustand übergeht.Zum Beispiel ist es in einem Fall, in dem eine Reaktionstemperaturzum Erhärtendes anisotropen Leitklebstoffs S 70°C beträgt, erforderlich, dass derIsolierklebstoff bei derselben Temperatur reagiert. Dies erlaubtes, eine großeMenge des feinen leitenden Metallpulvers aufzunehmen und dabei denanisotropen Leitklebstoff mit geringerer Haftkraft durch die Verwendung desIsolierklebstoffs M zu verstärken,und dies wird eine Erzeugung von mangelhaften Produkten verhindern.
    [0048] Mit B-Stadium-Klebstoff soll einKlebstoff gemeint sein, der erhärtetist (das heißtnicht reaktiv sondern erhärtetin einem augenscheinlichen Zustand), wenn er unter die vorbestimmtenBedingungen von Temperatur, Druck usw. gebracht worden ist, undder zum Transport, zur Aufbewahrung und zum Kontakt mit anderenTeilen als den vorbestimmten Verbindungsteilen angepasst und kompatibelist. Weiter kann er, wenn die anderen Bedingungen (wie, im Allgemeinen,hohe Temperatur und hoher Druck) kontinuierlich über eine vorbestimmte Zeitgegeben sind, in einen flüssigenZustand zurück überführt werden(das heißtWiedererweichung) und nach der Reaktion zwecks Haftung verfestigtwerden.
    [0049] Unter Verwendung des IsolierklebstoffsM, der dieselben Erhärtungsbedingungenbzw. Erhärtungseigenschaftenwie der anisotrope Leitklebstoff S aufweist, werden sowohl der anisotropeLeitklebstoff S und der Isolierklebstoff M mittels des Quetschwerkzeugsunter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt, um sie vorübergehend bzw. zeitweilig zu erhärten. DerDruck und die Temperatur beim Prozess der Druckbeaufschlagung unterWärmezufuhr beträgt für den Isolierklebstoff, ähnlich wiediejenigen des anisotropen Leitklebstoffs, ungefähr 70°C, und ein vorbestimmter Druckwird über1-3 Stunden aufgebracht, um füreine vorübergehendeErhärtungzu sorgen. Der spezifische Druck beträgt zum Beispiel 0,7-1,0 kg/cm2, was bei der vorliegenden Erfindung jedochnicht ein schränkendgemeint ist, sondern sich in Abhängigkeitvon der Art der aufgebrachten Klebstoffe und der verwendeten Temperatur ändern kann.
    [0050] Das Aufbringen und die zeitweiligeErhärtungder beiden Arten von Klebstoffen S und M kann ausgeführt werden,entweder bevor oder nachdem das Chipteil 11 auf der Chipabdeckung 20 montiert wird.Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen der Klebstoffe, nachdem dasChipteil auf der Chipabdeckung 20 montiert ist, und dieswird zweckmäßig sein,weil das Aufbringen des Klebstoffs und der Schritt der Erwärmung/Druckbeaufschlagungzugleich in einem fortlaufenden Verfahren vorgenommen werden können. Wennein dünnund klein gemachtes elektronisches Bauelement 10 zum Beispielauf einer IC-Karte montiert wird, kann weiter die am Chipteil angebrachteChipabdeckung 20 Beschädigungenund Kurzschlussprobleme infolge von äußeren Stößen und äußeren mechanischen Kräften, dieerzeugt werden, wenn die IC-Karte gebogen oder gefaltet wird, sowie einEindringen von Fremdionen, usw. verhindern.
    [0051] Eine zweite Ausführungsform der Erfindung wirdnun unter Bezugnahme auf die 8-10 beschrieben. Ein relativgroß bemessenesChipteil 11a mit darin enthaltenen Halbleitern wird vorbereitet, undeine Mehrzahl von Elektroden 13a ist auf einem Umfangsteileiner Rückseiteder Basis 12a angeordnet, um einen Elektrodenteil 60 zubilden, auf den der anisotrope Leitklebstoff S aufgebracht oderdurch Siebdruck aufgedruckt ist. Auf einen innerhalb der Elektroden 60 angeordnetenFreiraum 62 ist der Isolierklebstoff M aufgebracht oderdurch Siebdruck aufgedruckt, der denselben Erhärtungszustand wie der anisotropeLeitklebstoff aufweist.
    [0052] Die 11 und 12 zeigen eine dritte Ausführungsformder Erfindung. Bei dieser Ausführungsformder Erfindung ist eine Mehrzahl von Elektroden 13b aufeinen mittleren Teil der Basis 12b des Chipteils 11b angeordnet,um einen Elektrodenteil 70 zu bilden, auf den der anisotropeLeitklebstoff S aufgebracht oder durch Siebdruck aufgedruckt ist.Auf einem auf beiden Seiten der Basis 12b angeordneten Freiraumist der Isolierklebstoff M aufgebracht oder durch Siebdruck aufgedruckt,der denselben Erhärtungszustandwie der anisotrope Leitklebstoff aufweist.
    [0053] Wie oben beschrieben, sind die Elektrodenteile 60, 70 aufder Basis 12a, 12b des Chipteils vorgesehen, undein anisotroper Leitklebstoff S ist auf die Elektrodenteile 60, 70 aufgebracht,wo die Elektroden 13a, 13b angeordnet sind. DerIsolierklebstoff M ist in dem Raum 62, 72 aufgebracht,wo keine Elektrode angeordnet ist. Das elektronische Bauelementmit den vorübergehenderhärtetenKlebstoffen S, M kann zum Montieren und zum Erhärten bzw. Aushärten derKlebstoffe erwärmtwerden. Da das Chipteil eine gewisse Größe aufweist und daher die Bereitstellungdes Freiraums ohne Elektroden vorsieht, kann das Chipteil ohne Verwendungder Chipabdeckung montiert werden.
    [0054] Bezug nehmend auf 13, die eine vierte Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt, weist ein auf dem Markt erhältlicherLSI-Sockel 80 in seinem mittleren Teil einen Gehäuseteil 82 auf,um darin einen LSI 83 zu montieren, der auf seiner Rückseiteeine Mehrzahl von Elektroden 84 aufweist, um einen Elektrodenteilzu bilden. Ein anisotroper Leitklebstoff S ist auf den Elektrodenteilder Elektroden 84 aufgebracht, während ein IsolierklebstoffM um den Gehäuseteil 82 herumauf den Sockel 80 aufgebracht ist, und die beiden Artenvon Klebstoffen sind vorübergehendbzw. zeitweilig erhärtet.Der Sockel 80 fürden LSI 83 dient im Wesentlichen demselben Zweck wie dieChipabdeckung 20 bei der vorherigen Ausführungsform.Weil nämlichder auf den LSI-Teil aufgebrachte anisotrope Leitklebstoff S einekleinere Haftkraft aufweist, wird die schwache Haftung durch denIsolierklebstoff M verstärkt,der auf die Basis 81 des Sockels 80 aufgebrachtist, und der Sockel 80 kann ohne Verwendung einer LSI-Sockelabdeckung aufder Leiterplatte montiert werden.
    [0055] Um das elektronische Bauelement mitden Klebstoffen S und M, die vorübergehenderhärtet sind,auf der Leiterplatte zu montieren, werden, wie in 14 dargestellt, Elektroden 13 aufder Basis 12 des elektronischen Bauelements 10a,welches das Chipteil 11a, 11b oder 80 aufweist,oder des elektronischen Bauelements 10, welches das Chipteil 11 unddie Chipabdeckung 20 aufweist, in einer gegenüberliegendenBeziehung zu den aus der Leiterplatte überstehenden Substratelektroden 31 angeordnet, unddanach werden die Elektroden 13 zur Leiterplatte 30 hinabgesenkt, wie durch einen Pfeil in 14 dargestellt,so dass die Elektroden auf beiden Seiten miteinander fluchten.
    [0056] Wie in 15 dargestellt,wird das elektronische Bauelement 10 mit den KlebstoffenS und M, die vorübergehenderhärtetsind, mittels des Quetschwerkzeugs X auf eine vorbestimmte Temperaturerwärmt,um die Klebstoffe zu erweichen oder in den nicht-erhärteten Zustandzurückzuführen. Dann wirddas Quetschwerkzeug X nach unten gepresst, so dass die Unterseiteder erweichten Klebstoffe S und M mit einer Oberseite der Leiterplatte 30 inKontakt gebracht wird. Somit wird der in einem mittleren unterenBereich des elektronischen Bauelements 10 angeordnete anisotropeLeitklebstoff S zwischen den Elektroden 13 und 31 zusammengequetscht,um eine elektrische Verbindung herzustellen. Andererseits wird zwischenden in seitlicher Richtung benachbarten Elektroden kein vertikalerDruck aufgebracht, und daher bleibt zwischen den in seitlicher Richtungbenachbarten Elektroden der Isolierzustand bewahrt. Somit sind diein seitlicher Richtung benachbarten Elektroden nicht elektrischmiteinander verbunden.
    [0057] Die Klebstoffe S und M, die mittelsdes Quetschwerkzeugs X enthärtetoder wieder erweicht worden sind, werden in vertikaler Richtung(das heißt vonoben nach unten) mit Druck beaufschlagt und dann in seitlicher Richtungnach außengedrückt. Speziellwird der zwischen den Elektroden 13 und 31 angeordneteKlebstoff S elektrisch leitend oder leitfähig, wenn er mit einem vorbestimmtenDruck beaufschlagt wird, jedoch umschließt er die Elektroden in seitlicherRichtung, um dort füreinen elektrisch isolierenden Zustand zu sorgen. Der außerhalbvon dem anisotropen Leitklebstoff S angeordnete IsolierklebstoffM wird vom anisotropen Leitklebstoff S gewaltsam in seitlicher Richtung(nach rechts und links) gedrücktund von der Unterseite der Chipabdeckung 20 aus in seitlicherRichtung extrudiert, und daher wird die Klebefläche durch den herausgedrückten Teildes Klebstoffs S vergrößert, mitder Folge, dass die Haftkraft vergrößert wird.
    [0058] Wenn das Chipteil 11 erwärmt wird,zum Beispiel auf etwa 150°C,wobei das Chipteil 11 vom Quetschwerkzeug gehalten und über einevorbestimmte Zeit mit Druck beaufschlagt wird, werden beide KlebstoffeS und M erneut erhärtetbzw. ausgehärtet,um füreine Serienverbindung zwischen den Elektroden 13 und 31 zusorgen. Mit anderen Worten wird zwischen den Elektroden 13 desChipteils und den Elektroden 31 der Leiterplatte in Richtungvon oben nach unten ein Druck aufgebracht, um die Elektroden 13 und 31 elektrischzu verbinden. Dementsprechend kann, wenn der anisotrope LeitklebstoffS an der vorbestimmten Stelle auf der Oberfläche der Leiterplatte 30 aufgebrachtund vorübergehenderhärtetist, das Montieren des elektronischen Bauelements 10 einfachdurchgeführtwerden.
    [0059] Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werdennun die Montageschritte fürdas elektronische Bauelement gemäß der vorliegendenErfindung beschrieben. Im ersten Schritt wird das Chipteil 11 innerhalbdes Gehäuseteils 21 derChipabdeckung 20 befestigt, und das innerhalb des Gehäuseteils 21 der Chipabdeckung 20 befestigteChipteil 11 wird mit dem Gehäuseteil 21 zu einereinheitlichen Struktur verklebt oder in Eingriff gebracht, und derGehäuseteil 21 weisteinen Wärmeabstrahlungsteil 22 auf,um die Wärmenach außenfreizusetzen bzw. abzugeben.
    [0060] Im zweiten Schritt wird der anisotropeLeitklebstoff S auf die Basis 12 des Chipteils 11 aufgebracht,und der Isolierklebstoff M wird auf die Klebe- oder Verbindungsoberfläche 24 derChipabdeckung 20 aufgebracht. In diesem Fall wird für den anisotropenLeitklebstoff ein erstes Druckmuster (nicht dargestellt) und für den Isolierklebstoffein zweites Druckmuster (nicht dargestellt) verwendet, um die KlebstoffeS und M auszubilden, jedoch ist keine Einschränkung auf diese Herstellungsverfahrenvorgesehen. Mindestens der Klebstoff S wird in einer dickeren Konfigurationausgebildet, so dass beide Elektroden darin eingebettet werden können. Die Klebstoffewerden unter Verwendung eines Spenders aufgebracht oder mittelseiner Siebdrucktechnik aufgedruckt. Die Dicke einer auf die Oberfläche der Basisaufgebrachten Schicht des anisotropen Leitklebstoffs S kann wahlweisevon einem Bereich von 20-30 Mikron bis zu einem Bereich von 150-200Mikron festgelegt werden.
    [0061] Beim Vorgang des Aufbringens derKlebstoffe S und M kann das Aufbringen (oder der Siebdruck) desanisotropen Leitklebstoffs S auf die Basis 12 des Chipteils 11 inBezug zum Aufbringen (oder dem Siebdruck) des IsolierklebstoffsM auf die Verbindungsoberfläche 24 derChipabdeckung 20 gleichzeitig erfolgen, oder ansonstennacheinander. Der auf die Basis 12 des Chipteils 11 aufgebrachteanisotrope Leitklebstoff S und der Isolierklebstoff M auf der Verbindungsoberfläche 24 derChipabdeckung 20 könnenmittels einer bekannten Vorrichtung oder des Quetschwerkzeugs Xunter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt werden, um sie vorübergehend zu erhärten, umdas elektronische Bauelement 10 zum Verkleben einer Mehrzahlvon Elektroden herzustellen.
    [0062] Es ist notwendig, dass der anisotropeLeitklebstoff S und der Isolierklebstoff M einander im Hinblickauf Druckkraft und Erwärmungstemperatur ähnlich sind,wenn sie von derselben Art von Epoxidharz sind. Abgesehen davonbeträgtdie Druckbeaufschlagungs- und Erwärmungstemperatur zum vorübergehendenErhärtender Klebstoffe S und M vorzugsweise ungefähr 70°C, wobei ein gewisser Druckvon zum Beispiel 0,7-1,0 kg/cm2 über 1-3Stunden kontinuierlich aufgebracht wird, jedoch ist die vorliegendeErfindung nicht auf einen solchen Druck und eine solche Temperatur,wie oben beschrieben, beschränkt.
    [0063] Im dritten Schritt, wie in 14 dargestellt, wird einePositionierung zwischen den Elektroden 13 auf dem Chipteil 11 deselektronischen Bauelements 10 mit den Klebstoffen S undM, die vorübergehend erhärtet sind,und den Substratelektroden 31 auf der Leiterplatte 32 vorgenommen,indem die Elektroden 13 mit den Substratelektroden 31 ausgerichtetwerden. Ein üblichesVerfahren dieser Positionierung kann verwendet werden, um das elektronischeBauelement 10 in vertikaler Richtung abzusenken, falls notwendigkann jedoch das elektronische Bauelement 10 in seitlicherRichtung bewegt werden.
    [0064] Bei dieser Positionierung wird dieUnterseite des vorübergehenderhärtetenanisotropen Leitklebstoffs S mit den Substratelektroden 31 zurDeckung gebracht, wie in 14 dargestellt.In diesem Fall kann selbstverständlichzum Zweck einer Erleichterung des Montageverfahrens der Klebstoffgleichzeitig mit dem Beginn des Absenkens des elektronischen Bauelements 10 erwärmt wer den,um dadurch den vorübergehenderhärtetenKlebstoff zum Schmelzen zu bringen. Abgesehen davon wird, wenn diePositionierung des elektronischen Bauelements 10 zum Erhärten desKlebstoffs fortschreitet, das elektronische Bauelement 10 mitdem Quetschwerkzeug X in Kontakt gebracht, wie in 15 dargestellt, um mit der Erwärmung zubeginnen.
    [0065] Wenn die Elektroden des elektronischen Bauelements 10 mitden Oberseiten der Substratelektroden 31 zur Deckung gebrachtworden sind, wird es im vierten Schritt, wie in 15 dargestellt, mittels des QuetschwerkzeugsX auf zum Beispiel 150°Cerwärmt,der Klebstoff wird bis zum Wiedererweichen geschmolzen, und in diesemZustand wird der Quetschvorgang vorgenommen, indem von oben über 1-3Stunden eine gewisse Kraft aufgebracht wird, so dass das elektronischeBauelement 10 mit den Substratelektroden 31 derLeiterplatte 30 verklebt wird. Durch diesen Schritt werdendie Elektroden 13 und 31, die am oberen bzw. unterenTeil angeordnet sind, durch die Wirkung des anisotropen LeitklebstoffsS elektrisch miteinander verbunden.
    [0066] Da dem anisotropen LeitklebstoffS eine verhältnismäßig große Mengean leitfähigemfeinem Metallpulver zugesetzt wird, wird seine Haftkraft verringert.Die Leiterplatte 30 wird mit der Chipabdeckung 20 verklebt,die um das Chipteil herum oder an beiden Seiten desselben angeordnetist, und eine Haftkraft zwischen dem elektronischen Bauelement 10 undder Leiterplatte 30 wird weiter vergrößert.
    [0067] Wie oben beschrieben, sind zwei Artenvon Klebstoffen S und M, die auf das Chipteil bzw. die Verbindungsoberfläche derChipabdeckung aufgebracht sind, vorübergehend erhärtet, umdas elektronische Bauelement 10 bereitzustellen, so dassdas elektronische Bauelement 10 auf der Leiterplatte 32 montiertwerden kann. Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Modulschaltungkann daher der Schritt der Montage/Anbringung vollständig vomSchritt des Aufbringens des Klebstoffs/der Klebstoffe getrennt werden,und dies erlaubt eine Vergrößerung derArbeitseffizienz und eine weitergehende Anwendung in Produktionsverfahrenund Logistik. Das elektronische Bauelement 10 mit den vorübergehenderhärtetenKlebstoffen erlaubt eine Langzeitaufbewahrung, speziell für 3 Monatebei Raumtemperatur, 6 Monate durch kalte Lagerung und etwa 1 Jahrdurch Kühlung, undkann, wenn notwendig, sofort montiert werden.
    [0068] Das so hergestellte elektronischeBauelement 10 lässtsich transportieren und kann daher als kommerzielles Produkt durchund überVerkaufsnetze vertrieben werden. So ist beim Montagevorgang dieschwierige Tätigkeitdes Aufbringens des Klebstoffs auf die Leiterplatte nicht mehr erforderlich,und daher kann der Montagevorgang für das elektronische Bauelementohne Schwierigkeiten ausgeführt werden.Somit könnenbei der Arbeitseffizienz und der Ausbeute Verbesserungen erzieltwerden, um für einewirtschaftliche Effizienz zu sorgen.
    [0069] Gemäß der vorliegenden Erfindungist der Isolierklebstoff auf einen Teil des Chipteils oder die Verbindungsoberfläche derChipabdeckung aufgebracht, und der anisotrope Leitklebstoff istauf die Elektroden aufgebracht, die auf der Basisoberfläche desChipteils vorgesehen sind, wobei diese Klebstoffe weiter vorübergehenderhärtetsind, um das elektronische Bauelement bereitzustellen. Das so gebildeteelektronische Bauelement ist zur Langzeitaufbewahrung und zum Transportangepasst und zum Vertrieb als kommerzielles Produkt durch ein Vertriebsnetzangepasst. Weiter erlaubt die vorliegende Erfindung eine Trennungvon Herstellungsschritten zwischen dem Aufbringen von Klebstoffenund der Montage/Anbringung, und ein Aufbringen der Klebstoffe beider Montage ist nicht notwendig. Somit kann beim Montagevorgangeine weitere Verbesserung der Arbeitseffizienz erzielt werden, umdadurch bei extensiven Anwendungen von Montageverfahren und Logistikfür Vorzüge und Vorteilezu sorgen.
    权利要求:
    Claims (5)
    [1] Elektronisches Bauelement zum Verbinden einerMehrzahl von Elektroden, umfassend: eine isolierende Basismit einer Mehrzahl von Elektroden und Zwischenräumen dazwischen, einenauf die Elektroden aufgebrachten anisotropen Leitklebstoff, einenauf die Zwischenräumeaufgebrachten Isolierklebstoff, der denselben Erhärtungszustandwie ein Erhärtungszustanddes anisotropen Leitklebstoffs aufweist, wobei jeder von demanisotropen Leitklebstoff und dem Isolierklebstoff vorübergehenderhärtetist.
    [2] Elektronisches Bauelement zum Verbinden einer Mehrzahlvon Elektroden, umfassend: eine isolierende Chipabdeckung miteinem Wärmeabstrahlungsteilund mit einem Gehäuseteilauf ihrer Unterseite, ein im Gehäuseteil untergebrachtes Flip-Chipteil,bestehend aus einer Basis mit einer Mehrzahl von Elektroden einesHalbleiterelements, die auf einer Rückseite angeordnet sind, einenauf die Elektroden der Basis des Chipteils aufgebrachten oder durchSiebdruck aufgedruckten anisotropen Leitklebstoff, eine Verbindungsoberfläche, dieauf einem Umfang des Chipteils und auf einer Unterseite der isolierendenChipabdeckung angeordnet ist, einen auf die Verbindungsoberfläche aufgebrachten oderdurch Siebdruck aufgedruckten Isolierklebstoff, der denselben Erhärtungszustandwie ein Erhärtungszustanddes anisotropen Leitklebstoffs aufweist, wobei jeder von demanisotropen Leitklebstoff und dem Isolierklebstoff über einevorbestimmte Zeit unter Wärmezufuhrmit Druck beaufschlagt worden ist, um ihn vorübergehend zu erhärten.
    [3] Elektronisches Bauelement zum Verbinden einer Mehrzahlvon Elektroden nach Anspruch 2, bei dem der Wärmeabstrahlungsteil aus einem Öffnungsteilbesteht, der auf mindestens einer Stirnseite der Chipabdeckung vorgesehenist und mit der Außenseiteder Chipabdeckung kommuniziert.
    [4] Elektronisches Bauelement zum Verbinden einer Mehrzahlvon Elektroden nach Anspruch 2, bei dem der Isolierklebstoff eine ähnlicheTemperatureigenschaft aufweist, wie diejenige des anisotropen Leitklebstoffs,der die Eigenschaft besitzt, auf eine Erwärmungstemperatur zu reagierenund aus einem vorübergehenderhärtetenZustand in einen erhärtetenZustand überzugehen.
    [5] Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauelementszum Verbinden einer Mehrzahl von Elektroden, umfassend die Schritte: Unterbringeneines Flip-Chipteils in einer Chipabdeckung, wobei das Flip-Chipteil ein Halbleiterelement miteiner Mehrzahl von Elektroden aufweist, die in einer planaren Weiseangeordnet sind, und ein Gehäuseteilauf einer Unterseite der Chipabdeckung vorgesehen ist, die aus einemIsoliermaterial hergestellt ist und einen Wärmeabstrahlungsteil aufweist, Aufbringenoder Aufdrucken durch Siebdruck eines anisotropen Leitklebstoffsauf eine Mehrzahl von Elektroden, die auf einer Basis des Chipteilsvorgesehen sind, und Aufbringen oder Aufdrucken durch Siebdruckeines Isolierklebstoffs, der denselben Erhärtungszustand wie derjenigedes anisotropen Leitklebstoffs aufweist, auf eine Verbindungsoberfläche derChipabdeckung, Beaufschlagen des anisotropen Leitklebstoffsund des Isolierklebstoffs unter Wärmezufuhr mit Druck, um denanisotropen Leitklebstoff und den Isolierklebstoff vorübergehendzu erhärten,um dadurch ein vorbestimmtes elektronisches Bauelement zu erzeugen, Bereitstellendes elektronischen Bauelements in Position auf einer Leiterplattemit Substratelektroden, die zur Ausrichtung mit den Elektroden desChipteils angeordnet sind, um füreine vorbestimmte Positionierung der Elektroden und der Substratelektroden zusorgen, und Anbringen eines Quetschwerkzeugs auf der Chipabdeckungund Absenken des Quetschwerkzeugs, während die beiden oben erwähnten Artenvon Klebstoffen heißgeschmolzenwerden, um die Chipabdeckung übereine vorbestimmte Zeit auf die Leiterplatte zu pressen, um die beidenzuvor erwähntenArten von Elektroden elektrisch miteinander zu verbinden.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2006-05-11| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2008-10-02| 8131| Rejection|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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