• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft ein Sensorbauteil (20) mit einem frei zugänglichen Sensorbereich (1), der auf einer Oberfläche (3) eines Sensorchips (2) angeordnet ist, wobei der Sensorbereich (1) von einem Randbereich umgeben ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung desselben. Der Randbereich des Sensorchips (2) weist eine abdichtende Struktur (5) auf, die eine den Sensorbereich (1) umrundete Aussparung (6) aufweist und mit einem Dichtmaterial (7) aufgefüllt ist.
    公开号:DE102004006440A1
    申请号:DE102004006440
    申请日:2004-02-09
    公开日:2005-09-08
    发明作者:Boris Mayerhofer；Josef Riegebauer
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G06K9-00
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein Sensorbauteil mit einem frei zugänglichenSensorbereich, der auf einer Oberfläche eines Sensorchips angeordnetist, wobei der Sensorbereich von einem Randbereich umgeben ist.Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einesSensorchips fürSensorbauteile.
    [0002] DerartigeSensorbauteile werden vorzugsweise als Fingertastsensoren oder andereSignaleingabebauteile eingesetzt. Eine Abdichtung der Sensorbauteilein einer Geräteabdeckungmit Bedienungsfeld ist mechanisch aufwendig und kostenintensiv,zumal der Übergangzwischen Sensorchip und Geräteabdeckungvor einem Eindringen von Feuchtigkeit in das Gerät und gegen mechanische undthermische Belastungen schützensoll. Zu diesem Zweck könnenan der GeräteabdeckungFensterdichtlippen oder Dichtwulste vorgesehen werden, was die Gerätekostenerhöht,zumal damit erhöhte Präzisionsanforderungenan die Herstellung derartiger Geräteabdeckungen verbunden sind.
    [0003] Ausder Druckschrift DE 101 08 147 istein elektronisches Bauteil bekannt, das einen Halbleiterchip mitprofilgesägtenRandkonturen aufweist, wobei die profilgesägten Ränder des Halbleiterchips voneinem Kunststoffrand umgeben sind. Dieser Kunststoffrand schützt daselektronische Bauteil vor mechanischen Belastungen, beim Handlingim Rahmen von Wartungsarbeiten und beim automatischem Bestücken von übergeordnetenSchaltungsplatinen. Der bekannte Kunststoffrand ist jedoch ungeeignet für einenabdichtenden Einbau in Bedienfelder von Geräteabdeckungen.
    [0004] Aufgabeder Erfindung ist es, ein Sensorbauteil mit einem frei zugänglichenSensorbereich zu schaffen. Das Sensorbauteil soll in Geräteabdeckungenintegriert werden können,ohne die freie Zugänglichkeitzu seinem Sensorbereich zu behindern. Ferner soll mit dem Sensorbauteilein Eindringen von Feuchtigkeit in das Gerät über die Geräteabdeckung verhindert werden,und das Sensorbauteil soll vor thermischen und mechanischen Spannungengeschütztwerden. Darüberhinaus ist es Aufgabe der Erfindung, eine kostengünstigereLösungder obigen Probleme zu liefern.
    [0005] DieseAufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. VorteilhafteWeiterbildung der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
    [0006] Erfindungsgemäß wird einSensorbauteil mit einem frei zugänglichenSensorbereich, der auf einer Oberseite eines Sensorchips angeordnetist, und mit einem Randbereich, der den Sensorbereich umgibt, geschaffen.Der Randbereich weist eine abdichtende Struktur auf, die eine denSensorbereich umhüllende Aussparungaufweist. Diese Aussparung ist mit einem Dichtmaterial aufgefüllt.
    [0007] Einderartiges Sensorbauteil hat den Vorteil, dass es selbstabdichtendin Bedienfenstern einer Geräteabdeckungintegriert werden kann. Besondere Maßnahmen, wie Dichtlippen oderDichtringe an den Geräteabdeckungenentfallen damit. Außerdemwird ermöglicht,dass derartige Geräteabdeckungen,die auch den Modeerscheinungen unterliegen, jederzeit ausgewechseltwerden können.Darüberhinaus hat ein derartiges Sensorbauteil den Vorteil, dass die Aussparungund damit der Verlauf des Dichtmaterials äußerst präzise auf dem Randbereich desSensorbauteils angeordnet werden kann, zumal dazu die hochpräzisen Fertigungsverfahrender Halbleitertechnologie eingesetzt werden können.
    [0008] DieseHalbleiterfertigungstechnologien erlauben eine um mehrere Größenordnungenhöhere Präzision,als die fürGeräteabdeckungeneingesetzte Spritzgusstechnik. Durch die Breite der Aussparung unddamit durch die Breite des Dichtmaterials auf dem Sensorchip können diesePräzisionsunterschiedein den Technologien ausgeglichen werden, in dem eine ausreichendBreite Aussparung mit Dichtmaterial auf dem Randbereich des Sensorchips vorgesehenwird.
    [0009] Ineiner Ausführungsformder Erfindung werden auf dem Sensorchip zurückgesetzte Chipkanten vorgesehen,die mit Dichtmaterial aufgefülltsind. Damit weist der Sensorchip an seiner Oberseite Kanten ausDichtmaterial auf, währenddas sprödeSensormaterial, beispielsweise aus monokristallinem Silizium, zurückgesetzteKanten bildet, die nicht mehr die Außenabmessungen der Oberseitedes Sensorchips bestimmen. Vielmehr werden nun diese Kanten von einerwinkelförmigenDichtstruktur gebildet und schützenneben der Abdichtmöglichkeitzu einer Geräteabdeckungden Sensorchip vor mechanischen Belastungen.
    [0010] Ineiner weiteren Ausbildung der Erfindung werden die Aussparungennicht durch Zurücksetzen derKanten des Sensorchips gewonnen, sondern durch Einbringen von Nutenin die Oberseite des Sensorchips. Derartige Nuten werden vorzugsweise parallelzu den Chipkanten auf der Oberseite des Sensorchips eingebrachtund mit Dichtmaterial aufgefüllt.Auch in diesem Fall wird nun der Sensorbereich von einem Dichtmaterialumgeben, das in einer Gehäuseabdeckungden Sensorchip zu Bedienungsfenstern abdichtet.
    [0011] DasDichtmaterial ist vorzugsweise aus fotolithografisch strukturierbaremPolyimid. Das hat den Vorteil, dass das Einbringen des Dichtmaterialsin die Aussparungen und das Strukturieren des Dichtmaterials imRandbereich des Halbleiterchips durch Fotolithographietechnikenerleichtert wird. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung istes vorgesehen, dass als Dichtmaterial ein gummielastischer Kunststoffeingesetzt wird, der die Aussparungen auffüllt. Ein gummielastischer Kunststoffhat den Vorteil, dass mit einem derartigen Sensorchip eine intensiveAbdichtung zwischen einer Gehäuseabdeckung mitBedienfeldern und dem Sensorchip möglich wird.
    [0012] EinVerfahren zur Herstellung von Sensorchips für derartige Sensorbauteileweist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf.
    [0013] Zunächst wirdein Halbleiterwafer hergestellt, der in Zeilen und Spalten angeordneteSensorchippositionen aufweist. Diese Sensorchippositionen weisenihrerseits Sensorbereiche und Randbereiche auf, wobei die Randbereichedie Sensorbereiche umgeben. In den Randbereichen können Kontaktflächen mitLeiterbahnen zu dem Sensorbereich vorliegen. In die Oberseite einesderartig strukturierten Halbleiterwafers werden als nächstes Aussparungen parallelzu oder entlang vorgesehener Trennspuren zwischen den Halbleiterpositioneneingebracht. Entlang derartiger Trennspuren wird in einem späteren Abschnittdes Verfahrens der Halbleiterwafer in einzelne Sensorchips aufgeteilt.Nach dem Einbringen der Aussparungen werden diese mit einem Dichtmaterialaufgefüllt.Abschließendwird der Halbleiterwafer in einzelne Sensorchips getrennt.
    [0014] DiesesVerfahren hat den Vorteil, dass das Dichtmaterial und die Aussparungenfür mehrere Sensorbauteilegleichzeitig in die Oberseite eines Halbleiterchips mittels einesParallelverfahrens eingebracht werden können. Darüber hinaus hat das Verfahrenden Vorteil, dass das Einbringen der Aussparungen und das Auffüllen mitDichtmaterial mittels hochpräziserHalbleitertechniken durchgeführtwerden kann.
    [0015] Ineiner bevorzugen Durchführungdes Verfahrens werden als Aussparungen Nuten entlang der Trennspurenauf dem Halbleiterwafer eingebracht. Die Breite der Nuten wird breitergewählt,als die Breite der Trennspuren. Diese Verfahrensvariante hat denVorteil, dass eine breite Schicht aus Dichtmaterial über denTrennspuren liegt, die breiter ist, als diese Trennspuren selbst.Somit entstehen beim Trennen des Halbleiterwafers in einzelne HalbleiterchipszurückgesetzteKanten, die bereits mit Dichtmaterial aufgefüllt sind. Dazu werden Trenntechnikeneingesetzt, die gleichzeitig Dichtmaterial und Halbleitermaterialdurchtrennen können.
    [0016] Beieinem weiteren Ausführungsbeispieldes Verfahrens werden als Aussparungen Nuten parallel zu den Trennspurenin den Randbereich der Sensorchippositionen des Halbleiterwaferseingebracht. Dabei könnendie Nuten sogar eine kleinere Breite, als die Trennspuren aufweisen.Diese Verfahrensvariante hat den Vorteil, dass kein Dichtmaterialin den Trennspuren vorgesehen ist, so dass beim Trennen nur einMaterial, nämlichdas Material des Sensorchips, zu durchtrennen ist. Damit werdenProbleme, wie sie mit dem Trennen von Verbundmaterialien verbundensind, vermieden.
    [0017] EineMöglichkeit,die Aussparungen einzubringen, bietet die Sägetechnik. Bei der Sägetechnik können Nutendurch entsprechend breite Sägeblätter indie Oberseite des Halbleiterwafers für mehrere Sensorchippositionengleichzeitig eingebracht werden, in dem der Halbleiterwafer nichtvollständig durchtrenntwird, sondern die Sägetiefeauf die Tiefe der einzubringenden Nuten abgestimmt wird. Diese Verfahrenhat den Vorteil, dass Nuten, die mit der Sägetechnik eingebracht werdensollen, mit dem gleichen Sägeautomateneinbringbar sind, wie sie auch fürdas Trennen der Halbleiterwafer eingesetzt werden.
    [0018] Eineweitere Verfahrensvariante sieht vor, dass die Aussparungen mittels Ätzen eingebracht werden.Das Einbringen mittels Ätztechnikhat den Vorteil, dass die Geometrie der Aussparung beliebig an dieFenstergeometrie einer Geräteabdeckungen anpassbarist. So könnenmit dieser Ätztechnikoval, rund oder rechteckig verlaufende Aussparungen in die Oberseiteder Sensorchippositionen eines Halbleiterwafers eingebracht werden,um damit den Sensorchip an die einem modischem Design unterliegendenGeräteabdeckungenanzupassen.
    [0019] ZumAuffüllender Aussparungen mit einem Dichtmaterial kann das Dichtmaterialzunächstmit Hilfe eines Sprüh-Schleuderverfahrensauf den Halbleiterwafer aufgebracht werden. Dabei werden die Aussparungenmit dem aufgeschleuderten Dichtmaterial aufgefüllt und gleichzeitig kann sichein dünner Film über dergesamten Oberseite des Halbleiterwafers ausbreiten. Um den freienZugriff auf den Sensorbereich zu gewährleisten, kann anschließend dieserDünnfilmvon den Sensorbereichen der Sensorchippositionen des Halbleiterwafersabgetragen werden. Dieses Abtragen kann auf fotolithographi schem Wegefür einDichtmaterial aus Fotolack durchgeführt werden.
    [0020] Beieiner weiteren Durchführungsformdes Verfahrens ist es vorgesehen, das Auffüllen der Aussparung mit einemDichtmaterial durch Tauchlackieren zu erreichen. Dabei wird derHalbleiterwafer in den entsprechenden Lack getaucht, wobei sichdie Aussparungen auffüllen,und sich ein Dünnfilmauf der übrigenFlächeder Oberseite des Wafers ausbreitet. Auch dieser Dünnfilm kannanschließendfotolithographisch oder durch Laserabtrag entfernt werden.
    [0021] Grundsätzlich sindauch Verfahren einsetzbar, die keinen Dünnfilm auf der übrigen Oberseite desHalbleiterwafers bilden, sondern lediglich das Dichtmaterial imBereich der Aussparungen aufbringen. Dazu werden Schablonendruckverfahrenverwendet. Diese Verfahren sind insbesondere für Dichtmaterialien, die fotolithographischnicht strukturierbar sind, von Vorteil, und werden für gummielastischeSilikonkunststoffe bevorzugt eingesetzt. Außerdem ist es möglich, miteiner Spritzstrahltechnik, das Dichtmaterial im der gewünschtenBreite auf den Halbleiterwafer aufzudrucken.
    [0022] BeimAuftrennen des Halbleiterwafers in einzelne Sensorbauteile, kanneine Trennfuge innerhalb einer Aussparung zwischen den Sensorchippositioneneingebracht werden, so dass mit dem Trennschritt gleichzeitig eineAbdichtkante gebildet wird, die Dichtmaterial an den durch die breiterenAussparungen zurückgesetztenSensorchipkanten nach dem Trennschritt zurücklässt. Diese Abdichtkante entlangder Oberseite des Sensorchips bildet vorzugsweise einen Kunststoffwinkelim Querschnitt aus, und bedeckt die Seitenränder des Sensorchips nichtvollständig.
    [0023] Istdie Breite der Aussparung kleiner oder gleich der Breite der Trennspur,dann erfolgt das Auftrennen des Halbleiterwafers entlang der Trennspurenparallel zu den Aussparungen bzw. den Nuten der Aussparungen inden Randbereichen der Halbleiterchippositionen. Damit wird gewährleistet,dass die Aussparungen auch noch nach dem Trennschritt für ein Auffüllen mitDichtmaterial zur Verfügungstehen, bzw. dass ein bereits aufgebrachtes Dichtmaterial nichtdurch den Trennschritt verloren geht. Außerdem hat es den Vorteil,dass Sägeblätter beidem Trennschritt nicht von dem Dichtmaterial kontaminiert oder durchanhaftendes Dichtmaterial entschärftwerden.
    [0024] EinVerfahren zur Herstellung eines Sensorbauteils gemäß der Erfindungweist die zusätzlichen Verfahrensschritteauf, dass die Kontaktflächendes Sensorchips mit elektrischen Verbindungsleitungen versehen werden.Diese Verbindungsleitungen könnenanschließendteilweise in eine Kunststoffmasse entlang eines Randes des Sensorchipseingebettet werden, so dass die Verbindungsleitungen als Außenkontakteaus der Kunststoffmasse herausragen. Diese VerbindungsleitungenkönnenBondbänder oderBonddrähteoder Flachkabel sein, die durch die Kunststoffmasse vor mechanischenBeschädigungenbei der Montage eines elektronischen Gerätes geschützt werden. Die herausragendenEnden der Bonddrähte,oder Bondbänder,oder Flachkabel stehen dann zum Anschluss für übergeordnete Schaltungen oderVersorgungsleitungen des Geräteszur Verfügung.
    [0025] Zusammenfassendist festzustellen, dass die Erfindung einen preiswerten Zusammenbauvon Siliziumsensoren mit frei zugänglichem Sensorbereich in einerGehäuseabdeckungermöglicht.Der Einbau derartiger Sensorbauteile verringert die Dimensio nen undden Raumbedarf fürEingabeabdeckungen oder fürBedienfelder der verschiedensten Geräte, bei denen bisher eine Leiterplattemit Halbleiterchips und mechanischen Tasten in der Geräteabdeckungzusammenwirken. Dieser technische Aufwand kann insbesondere für Mobilfunkgeräte vermindertwerden. Gleichzeitig wird technisch der Sensorchip durch eine besondereAusbildung und Strukturierung der Passivierung auf einem Halbleiterwaferin Kombination mit dem Geräteaufbaugeschützt.Insbesondere werden die GerätegegenüberFeuchtigkeit und andern Umwelteinflüssen, wie Temperatur, Spannungenoder mechanische Belastungen geschützt. Zu diesem Zweck weistder Sensorchip der vorliegenden Erfindung in seinem Randbereicheinen Dichtring entlang der Kanten oder rund um die aktive Sensorfläche auf,wobei eine umgebende Aussparung mit einem Dichtmaterial, wie Polyimidoder ähnlichem,die Oberflächedes Halbleiterchips passivierendem Material, aufgefüllt ist.
    [0026] Dieelektrische Verbindung zwischen dem Sensorbereich des Sensorchipsmit der Schaltung des Geräteskann in vorteilhafter Weise durch ein Standardbonddrahtverfahrenoder durch Verbinden mit einem flexiblen Flachkabel auf der Oberfläche desSensorchips erfolgen. Dazu werden die elektrischen Anschlüsse eines übergeordnetenSystems mit Kontaktflächenauf dem Sensorchip verbunden. Dabei können die Kontaktflächen desSensorchips auch Außenkontakte,wie Lotbälleaufweisen, die mit dem flexiblen Flachkabel verbunden werden. Außerdem kannder Randbereich, der diese elektrische Verbindung sichert mit einerKunststoffmasse aufgefülltsein, um die Verbindungsleitungen einzubetten, wobei diese Kunststoffmasseauch als "Underfill"-Material bekanntist. Die letztere Maßnahme kanndie Zuverlässigkeitdes Sensorbauteils weiter erhöhen.
    [0027] Durchdiese Erfindung werden die Funktionen eines Sensorchips vergrößert, indemnun auch der Sensorchip einen Abdichtring selber trägt, mit demgewährleistetwird, dass eine schützendemechanische Verbindung zwischen einer Gehäuseabdeckung und dem Sensorchiphergestellt werden kann. Dieses ist eine preiswertere Möglichkeit,als die Gehäuseabdeckungenin jeder der Gehäuseabdeckungsöffnungenmit entsprechenden Dichtelementen, wie Dichtlippen, zu versehen,zumal fürderartige Maßnahmeneine hohe Präzisionder Fertigung derartiger Gehäuseabdeckungenerforderlich wäre,was nun aufgrund der präziserenFertigungsverfahren der Halbleitertechnik auf einem Halbleiterwaferpreiswerter und genauer durchgeführtwerden kann.
    [0028] DieErfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
    [0029] 1 zeigteine schematische, perspektivische Ansicht eines Sensorchips, gemäß einerersten Ausführungsformder Erfindung,
    [0030] 2 zeigteine schematische, perspektivische Ansicht eines Sensorchips, gemäß einerzweiten Ausführungsformder Erfindung,
    [0031] 3 zeigteine schematische Draufsicht auf ein Sensorbauteil mit einem Sensorchip,gemäß 1,
    [0032] 4 zeigteinen schematischen Querschnitt des Sensorbauteils gemäß 3,
    [0033] 5 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereiches des Sensorbauteils,gemäß 3,
    [0034] 6 bis 11 zeigenschematische Querschnitte von Zwischenprodukten bei der Herstellungeines Sensorbauteils mit dem Sensorchip, gemäß der ersten Ausführungsformder Erfindung nach 1,
    [0035] 6 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers mit eingebrachtenAussparungen im Bereich einer Trennspur,
    [0036] 7 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers der 6 miteiner, die Aussparung auffüllendenPassivierungsschicht aus fotolithographischem Material,
    [0037] 8 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers nach Strukturierender Passivierungsschicht gemäß 7,
    [0038] 9 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers nach Einbringenvon Trennfugen entlang der mit Dichtmaterial aufgefüllten Aussparung,
    [0039] 10 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereiches des Sensorbauteilsvor dem Aufbringen einer Kunststoffmasse auf den Randbereich desSensorbauteils,
    [0040] 11 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereiches des Sensorbauteilsmit einem Sensorchip, gemäß 1,
    [0041] 12 bis 16 zeigenschematische Querschnitte von Zwischenprodukten bei der Herstellungeines Sensorbauteils mit dem Sensorchip, gemäß der zweiten Ausführungsformder Erfindung nach 2,
    [0042] 12 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers im Bereicheiner Trennspur mit parallel zur Trennspur eingebrachten Aussparungen,
    [0043] 13 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers der 12 miteinem die Aussparungen auffüllendenDichtmaterial,
    [0044] 14 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterbauteils nach Einbringenvon Trennfugen entlang der Trennspuren, gemäß 12,
    [0045] 15 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereichs des Sensorbauteilsmit dem Sensorchip, gemäß 2,vor einem Einbetten in eine Kunststoffmasse,
    [0046] 16 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereichs nach Fertigstellungdes Sensorbauteils mit einem Sensorchip, gemäß 2.
    [0047] 1 zeigteine schematische, perspektivische Ansicht eines Sensorchips 2,gemäß einerersten Ausführungsformder Erfindung. Der Sensorchip 2 ist in dieser Ausführungsformder Erfindung aus einem monokristallinem Silizium hergestellt, wobeidie Kristallorientierung im Verhältniszur Ausrichtung des Sensorbereichs 1 derart gewählt wird,dass eine hohe Sensitivitäterreicht wird. Ein Sensorbereich 1 ist von einem Randbereichumgeben, in den eine abdichtende Struktur 5 eingebrachtist. Die abdichtende Struktur 5 umgibt ringförmig vierzurückgesetzteKanten 8 der Oberseite 3 des Sensorchips 2.Das Halbleitermaterial an den Kanten 8 dieses Sensorchips 2 istderart abgetragen, dass die Kanten 8 aus Halbleitermaterialzurückgesetztsind und dafürein Kantenwinkel 17 aus einer Kunststoffmasse 15 denSensorchip 2 umgibt. Außerdem ist ein Randbereich 23 der Oberseite 3 desSensorchips 2 besonders strukturiert, weil er Kontaktflächen 13 aufweist,die mit dem Sensorbereich 1 in Verbindung stehen.
    [0048] Aufden Kontaktflächen 13 können Verbindungsleitungenangebracht werden, welche den Sensorbereich 1 mit einer übergeordnetenSchaltung eines Gerätesverbinden. Derartige übergeordnete SchaltungenkönnenLogikchips sein, welche die Eingaben auf der frei zugänglichenSensorfläche 12 logischmit anderen Funktionen eines Gerätesverknüpfen.In dieser Ausführungsformder Erfindung wird der Kantenwinkel 17 aus Kunststoff anden zurückgesetztenKanten 8 des Sensorchips 2 gleichzeitig mit einerPassivierungsschicht 21, die strukturiert auf der Oberseite 3 desSensorchips 2 angeordnet ist, hergestellt. Das Herstellungsverfahrenwird in den weiteren 6 bis 11 erläutert. Während dasHalbleitermaterial an den Kanten 8 auf der Oberseite 3 desSensorchips 2 zurückgesetztist, um derartige Kantenwinkel 17 zu realisieren, bleibendie übrigenChipkanten 9 in den vier Ecken 25 bis 28 und aufder Rückseite 24 desSensorchips 2 unverändert erhalten.Auch die Seitenränderdes Sensorchips 2 sind nur im oberen bereich von einemSchenkel des abdichtenden Kantenwinkels 17 aus Kunststoffbedeckt und bleiben im unteren Bereich frei von Dichtmaterial imGegensatz zum bekannten Stand der Technik.
    [0049] 2 zeigteine schematische, perspektivische Ansicht eines Sensorchips 22,gemäß einer zweitenAusführungsformder Erfindung. Der Sensorchip 22 der zweiten Ausführungsformder Erfindung unterscheidet sich von dem Sensorchip 2,der in 1 gezeigt wird dadurch, dass die Chipkanten 9 ausHalbleitermaterial auch an der Oberseite 3 des Sensorchips 22 vollerhalten bleiben.
    [0050] ZumEinbringen eines Dichtmaterials 7 in entsprechende Aussparungen 6 werdendiese parallel zu den Chipkanten 9 in die Oberseite 3 desSensorchips 22 eingebracht. Das Einbringen der Aussparungen 6 indie Oberseite 3 kann durch Einbringen von Sägenuten 10 parallelzu den Chipkanten 9 der Oberseite 3 in die Oberseite 3 gesägt werden. Dabeiist lediglich die Schnitttiefe der Säge auf die Tiefe t, der zuerzeugenden Nuten 10 einzustellen. Das Dichtmaterial 7 inden Nuten 10 kann, wie in der ersten Ausführungsformgleichzeitig mit der Passivierungsschicht eingebracht werden, jedochist es auch möglich,das Dichtmaterial mit Schablonendruck, oder Siebdruck, oder Strahldruckin die Aussparungen einzubringen.
    [0051] Dashat den Vorteil, dass die Form und der Verlauf der Aussparungen 6 nichtan die Sägemechanikgebunden ist, so dass auch ovale Sensorbereiche oder kreisförmige Sensorbereichemit einer entsprechenden ringförmigenAussparung umgeben werden können.Derartige Aussparungen 6 können mit Hilfe von Plasmaätztechniken,Nassätztechniken,oder durch Materialabtrag, wie einem Laserabtrag, eingebracht werden.Währenddie Ätztechnikenparallel für mehrereSensorbauteile eines Halbleiterwafers eingebracht werden können, wirdbei der Abtragstechnik mittels Laserstrahl eine Schreibtechnik angewandt.
    [0052] DasAuffüllenmit Dichtmaterial 7 kann ebenfalls entweder parallel für mehrereSensorchips 2 vorgenommen werden, wie beim Schablonen-oder Siebdruckverfahren, oder es kann das Dichtmaterial in die Aussparungen 6 mitHilfe einer Schreibdrucktechnik seriell eingebracht werden, wiebei der Strahldrucktechnik. Bei dem Einbringen von Dichtmaterial 7 indie Aussparungen 6, kann die ringförmige Struktur, die den Sensorbereich 1 umgibt,auch als Wulst überhöht werden,um die Dichtwirkung der ringförmigenStruktur zu erhöhen.
    [0053] 3 zeigteine schematische Draufsicht auf ein Sensorbauteil 20 miteinem Sensorchip 2, gemäß 1.Ein geschlossener Rand einer Passivierungsschicht 21 umgibtden Sensorbereich 1 der Oberseite 3 des Sensorchips 2,wobei auf dem linken Rand in dieser Abbildung eine Kunststoffmasse 15 angebrachtist, welche die Verbindung des Sensorchips 2 zu einer übergeordnetenSchaltungsplatine sichert.
    [0054] 4 zeigteinen schematischen Querschnitt des Sensorbauteils 20,gemäß 3.In diesem Querschnitt ist einerseits der Kantenwinkel 17 ausPassivierungsmaterial, mit dem die zurückgesetzten Kanten 8 desSensorchips 2 aufgefülltsind, zu sehen. Außerdemweist die Oberseite 3 des Sensorchips 2 einenSteg 31 auf, der den Sensorbereich 1 gegenüber denKontaktflächen 13 abgrenzt.
    [0055] 5 zeigteinen vergrößerten schematischenQuerschnitt eines Randbereiches 4 der Oberseite 3 desSensorbauteils 20, gemäß 3.In dieser Ausführungsformder Erfindung sind elektrische Verbindungsleitungen 14 aufden Kontaktflächen 13 desSensorchips 2 angeordnet, die zumindest teilweise eineKunststoffmasse 15, welche einen Seitenrand 29 desSensorchips 2 abdeckt. Innerhalb der Kunststoffmasse 15 istdie zurückgesetzteKante 8 mit dem Kantenwinkel 17 aus dem Dichtmaterial 7 bedeckt.Dieses Dichtmaterial 7 gehört zu einer strukturiertenPassivierungsschicht 21, die einen Steg 31 ausDichtmaterial 7 zwischen den Kontaktflächen 13 und dem Sensorbereich 1 ausbildet.
    [0056] Anstellevon einzelnen Verbindungsleitungen 14 aus einem Bonddrahtkönnenauch Flachleiterkabel fürden Anschluss der Kontaktflächen 13 eingesetztwerden, deren einzelne Litzen mit den Kontaktflächen 13 verbundenwerden. In diesem Fall muss der Seitenrand 29 nicht vollständig mitKunststoff abgedeckt sein, sondern es kann vielmehr lediglich dieVerbindungsstelle zwischen den Litzen des Flachkabels und den Kontaktflächen 13 miteinem Wulst aus Kunststoffmasse 15 auf der Oberseite 3 desSensorchips 2 geschütztsein.
    [0057] Die 6 bis 11 zeigenschematisch Querschnitte von Zwischenprodukten bei der Herstellungeines Sensorbauteils 20 mit dem Sensorchip 2,gemäß der erstenAusführungsformder Erfindung nach 1.
    [0058] Zunächst wirdein Halbleiterwafer 16 aus monokristallinem Silizium mitgeeigneter Orientierung zur Verfügunggestellt. Derartige Halbleiterwafer 16 haben eine DickeD zwischen 250 und 1500 Mikrometern und einen Durchmesser von mehreren10 Zentimetern. Ihre Rückseite 24 ist üblicherweisegesägtund/oder geläpptund ihre Oberseite 3, die gleichzeitig die Oberseite 3 derSensorchips bildet, ist gesägt,geläpptund auf Spiegelqualitätpoliert. Auf einem derartigen Halbleiter wafer 16 sind Sensorchippositionen 18 inZeilen und Spalten vorgesehen, zwischen denen Sägespuren angeordnet sind.
    [0059] Entlangdieser Trennspuren 11 werden beim Trennvorgang eines derartigenHalbleiterwafers 16 zu einzelnen Sensorchips Trennfugeneingebracht, die eine Breite B im Bereich von 40 bis 240 Mikrometernaufweisen können.Die Breite B der Trennfugen hängtvon der Dicke D des Halbleiterwafers 16 ab, weil mit Abnehmender Dicke D auch die Breite B der Trennfuge aufgrund der Konstruktionder eingesetzten Diamantsägeblätter schmalerwerden kann. Bevor jedoch ein Halbleiterwafer 16 getrenntwird, werden bereits die Sensorbereiche 1, die Kontaktflächen 13 unddie Randbereiche 4, die jeden Sensorbereich 1 umgeben,auf der spiegelpolierten Oberseite 3 des Halbleiterwafers 16 injeder der Sensorchippositionen angeordnet.
    [0060] 6 zeigteine Aussparung 6 im Bereich einer derartigen Trennspur 11.In diese Trennspur wird beim Auftrennen des Halbleiterwafers 16 ineinzelne Sensorchips, eine Trennfuge eingebracht. Diese Aussparung 6 weisteine Breite b auf, die breiter ist, als die Breite B der vorgesehenenTrennfuge. Diese Aussparungen 6 können mit einem breiteren Sägeblatteingebracht werden, wobei die Tiefe t der Aussparung 6,in Form einer Nut, durch Absenken eines Sägeblattes eingestellt wird,und zwischen 5 und 50 Mikrometern liegt. Die Breite b wird beispielsweise doppeltso breit ausgeführtwerden, wie die Breite B der Trennfuge.
    [0061] DasEinbringen einer derartigen Aussparung kann alternativ durch Trockenätzen ineinem Plasma oder durch Nassätzenin einer Ätzlösung eingebracht werden,oder durch Abtrag mittels eines Laserstrahls erfolgen. Beim Sägen entstehenauf der O berseite 3 des Halbleiterwafers 16 geradlinigeStrukturen, währendbei den anderen Technologien die Aussparungen 6, welcheden Sensorbereich 1 umgeben sollen, beliebig gestaltetwerden können. 6 zeigtneben der eingebrachten Aussparung 6 im Randbereich eineKontaktfläche 13,die metallisiert ist, und mit dem Sensorbereich 1 elektrischverbunden ist.
    [0062] 7 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers 16 der 6 miteiner die Aussparung 6 auffüllenden Passivierungsschicht 21 ausfotolithographischem Material. Ein derartiges Material kann Polyimidsein, das beim Auftragen gleichzeitig die Aussparung 6 mitKunststoffmaterial auffüllt.Dazu werden Sprühtechniken,Lackiertechniken, Schleudertechniken, Tauchtechniken oder andereVarianten eingesetzt, um eine möglichstgleichmäßige Bedeckungder spiegelblank polierten Oberseite 3 des Halbleiterwafer 16 zuerreichen.
    [0063] 8 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers 16 nachStrukturieren der Passivierungsschicht 21 gemäß 7.Die Passivierungsschicht 21 kann mit Hilfe der Fotolithographieim Sensorbereich 1 entfernt werden. Die Photolackschichtmuss überden Kontaktflächen 13 entferntwerden, um dort elektrische Verbindungsleitungen anbringen zu können. Beidieser ersten Ausführungsformder Erfindung ist es vorgesehen, dass ein Steg 31 zwischendem Sensorbereich 1 und den Kontaktflächen 13 erhalten bleibt,und die Passivierungsschicht 21 auch über die Aussparung 6 hinaus, aufder Oberseite 3 des Halbleiterwafers 16 im Bereichder vorgesehenen Trennspuren, nicht entfernt wird.
    [0064] 9 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers 16 nachEinbringen von Trennfugen 19, entlang der mit Dichtmaterial 7 gefüllten Aussparung 6.Da die Breite B der Trennfuge 19 schmaler ist als die Breiteb der Aussparung 6 in Form einer eingebrachten Sägenut 10,werden die zurückgesetztenKanten 8 auf der Oberseite 3 des Sensorchips 2 durcheinen Kantenwinkel 17 aus Passivierungsschichtmaterialgeschützt.Der aus einem Halbleiterwafer 16 gewonnene Sensorchip 2 kann anschließend zueinem Sensorbauteil weiter verarbeitet werden.
    [0065] 10 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereiches 4 des Sensorbauteils 20 voreinem Aufbringen einer Kunststoffmasse auf den Randbereich 4.Durch Zuführenvon Verbindungsleitungen 14 und Aufbringen von Verbindungsleitungen 14 aufdie Kontaktflächen 13,wird der Sensorbereich 1 mit entsprechenden Verbindungsleitungen 14 verbunden.Diese Verbindungsleitungen 14 können Teil eines Flachleiterkabelssein.
    [0066] 11 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereiches 4 des Sensorbauteils 30 miteinem Sensorchip 2, gemäß 1.Die Verbindungsstelle zwischen der Verbindungsleitung 14 undder Kontaktfläche 13 kanndurch Einbetten in eine Kunststoffmasse 15 weiter stabilisiertwerden. Diese Kunststoffmasse 15 kann ein sogenanntes "underfill"-Material aufweisen.Mit dem Anbringen der Verbindungsleitungen 14 ist praktisch dasSensorbauteil 20 fertiggestellt, das nun zusätzlich zuden elektrischen Funktionen auch eine Abdichtfunktion mit einerGehäuseabdeckungerfüllen kann.
    [0067] Die 12 bis 16 zeigenschematische Querschnitte von Zwischenprodukten bei der Herstellungeines Sensorbauteils 30 mit dem Sensorchip 22,gemäß der zweitenAusführungsformder Erfindung nach 2. Komponenten mit gleichenFunktionen wie in vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichengekennzeichnet und nicht extra erörtert.
    [0068] 12 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers 16 imBereich einer Trennspur 11 mit parallel zur Trennspur 11 eingebrachtenAussparungen 6. In diesem Fall werden die Sensorchippositionen 18 miteiner Nut 10 versehen, deren Breite b kleiner sein kann,als die Breite B der Trennspur 11. Außerdem bleiben die Chipkantenaus Halbleitermaterial auch auf der Oberseite 3 des Halbleiterwafers 16 erhaltenund werden nicht durch die Einbringung der Aussparung 6 zurückgesetzt,wie in der ersten Ausführungsformder Erfindung.
    [0069] 13 zeigtdazu einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers 16 der 12 mit einemdie Aussparungen 6 auffüllendenDichtmaterial 7. Dieses Dichtmaterial 7 ist in 13 coplanarmit der Oberseite 3 des Halbleiterwafers 16 ausgebildet. Eskann aber auch derart eingebracht werden, dass sich eine Überhöhung oderein Wulst aus Dichtmaterial 7 oberhalb der Aussparungen 6 ergibt.Damit kann der Dichtring in seiner Form, Größe und seinen Dichtungseigenschaftenan die Erfordernisse einer Geräteabdeckplatteangepasst werden.
    [0070] 14 zeigteinen schematischen Querschnitt eines Halbleiterwafers nach Einbringenvon Trennfugen 19 entlang der Trennspuren, gemäß 12 bzw. 13.Die Chipkante 9 an der Oberseite 3 der entstehendenSensorchips 22 bleibt somit unversehrt, was den Vorteilhat, dass beim Sägen nichtein Verbundmaterial durchtrennt werden muss, sondern ein einheitlichesMaterial, nämlichdas Halbleitermaterial des Halbleiterwafers, beispielsweise ausSilizium.
    [0071] 15 zeigteinen vergrößerten,schematischen Querschnitt eines Randbereichs 4 des Sensorbauteils 30 mitdem Sensorchip 22 gemäß 2, voreinem Einbetten in eine Kunststoffmasse. Dieser Querschnitt entsprichtim wesentlichen dem Querschnitt der 10 für die ersteAusführungsformder Erfindung, lediglich dass hier die Chipkante 9 erhaltenbleibt und die Oberseite 3 des Sensorchips coplanar mitder Oberseite 3 des Dichtmaterials 7 ausgerichtetist.
    [0072] 16 zeigteinen vergrößerten schematischenQuerschnitt eines Randbereichs 4 des Sensorbauteils 30 nachFertigstellung des Sensorbauteils 30 mit einem Sensorchip 22,gemäß 2.Die hier gezeigte Kunststoffmasse 15 bedeckt auch den Seitenrand 29 desSensorchips 22. Die Kunststoffmasse 15 kann auchlediglich den Randbereich 4 der Oberseite 3 desSensorchips 22 bedecken, und damit den Anschluss der Verbindungsleitung 15 andie Kontaktfläche 13 schützen.
    1 Sensorbereich 2 Sensorchip(erste Ausführungsform) 3 Oberseitedes Sensorchips 4 Randbereichder Oberseite 5 abdichtendeStruktur 6 Aussparung 7 Dichtmaterial 8 Kante(Kunststoff) 9 Chipkante 10 Nut 11 Trennspur 12 Sensorfläche 13 Kontaktfläche 14 elektrischeVerbindungsleitung 15 Kunststoffmasse 16 Halbleiterwafer 17 Kantenwinkel 18 Sensorchipposition 19 Trennfuge 20 Sensorbauteil(erste Ausführungsform) 21 Passivierungsschicht 22 Sensorchip(zweite Ausführungsform) 23 Randbereich 24 Rückseitedes Sensorchips 25 Eckeder Sensorchips 26 Eckeder Sensorchips 27 Eckeder Sensorchips 28 Eckeder Sensorchips 29 Seitenrand 30 Sensorbauteil(zweite Ausführungsform) 31 Steg b Breiteder Aussparung B Breiteder Trennfuge D Dickedes Halbleiterwafers t Tiefeder Nut
    权利要求:
    Claims (19)
    [1] Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich(1), der auf einer Oberseite (3) eines Sensorchips(2) angeordnet ist und mit einem Randbereich (4),der den Sensorbereich (1) umgibt, wobei der Randbereich(4) eine abdichtende Struktur (5) aufweist, dieeine den Sensorbereich (1) umrundende Aussparung (6)aufweist und mit einem Dichtmaterial (7) aufgefüllt ist.
    [2] Sensorbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der Sensorchip (2) als Aussparung (6) zurückgesetzteKanten (8) aufweist, die mit Dichtmaterial (7)aufgefülltsind und vorzugsweise im Querschnitt einen Kantenwinkel (17)aus Dichtmaterial (7) bilden.
    [3] Sensorbauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurchgekennzeichnet, dass der Sensorchip (2) als Aussparungparallel zu den Chipkanten (9) auf seiner Oberseite (3)Nuten (10) aufweist, die mit Dichtmaterial (7)aufgefülltsind.
    [4] Sensorbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Dichtmaterial (7) einen gummielastischesKunststoff aufweist.
    [5] Sensorbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Dichtmaterial (7) einen ausgehärteten oderfixierten Photolack aufweist.
    [6] Sensorbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Dichtmaterial (7) ein photolithographischstrukturiertes Polyimid aufweist.
    [7] Verfahren zur Herstellung von Sensorchips (2) miteinem frei zugänglichenSensorbereich (1), der auf einer Oberseite (3)des Sensorchips (2) angeordnet ist, wobei das Verfahrenfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Halbleiterwafers(16) mit in Zeilen und Spalten angeordneten Sensorchippositionen (18),wobei die Sensorchippositionen (18) Sensorbereiche (1)und die Sensorbereiche (1) umgebende Randbereiche (4)aufweisen, wobei einer der Randbereiche (4) Kontaktflächen (13)mit Leiterbahnen zu dem Sensorbereich (1) aufweist, – Einbringenvon Aussparungen (6) parallel zu oder entlang vorgesehenerTrennspuren (11) zwischen den Sensorchippositionen (18)in die Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16), – Auffüllen derAussparungen (6) mit einem Dichtmaterial (7), – Auftrennendes Halbleiterwafers (16) in einzelne Sensorchips (2).
    [8] Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,dass als Aussparungen (6) Nuten (10) entlang derTrennspuren (11) eingebracht werden, wobei die Breite (b)der Nuten (10) breiter als die Breite (B) der Trennspuren(11) ist.
    [9] Verfahren nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurchgekennzeichnet, dass als Aussparungen (6) Nuten (10)parallel zu den Trennspuren (11) in den Randbereichen (4)der Sensorchippositionen (18) des Halbleiterwafers (16)eingebracht werden, wobei die Breite (b) der Nuten (10)kleiner oder gleich der Breite (B) der Trennspuren (11)sind.
    [10] Verfahren nach einem der in der Ansprüche 7 bis9, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Aussparungen(6) mittels Plasmasätzenoder Nassätzenerfolgt.
    [11] Verfahren nach einem der in der Ansprüche 7 bis10, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Aussparungen(6) mittels im Materialabtrag vorzugsweise durch Laserabtragerfolgt.
    [12] Verfahren nach einem der in der Ansprüche 7 bis11, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Aussparungen(6) mittels Sägenfolgt, wobei die Sägetiefeauf die Tiefe (t) der einzubringenden Nuten (10) eingestelltwird.
    [13] Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet,dass zum Auffüllender Aussparungen (6) mit einem Dichtmaterial (7)auf den Sensorchip (2) ein Dichtmaterial (7) mitHilfe eines Sprüh-Schleuderverfahrensaufgebracht wird, wobei die Aussparungen (6) mit dem aufgeschleudertenDichtmaterial (7) aufgefüllt werden und sich ein Dünnfilm ausDichtmaterial (7) auf der übrigen Fläche der Oberseite (2)des Halbleiterwafers (16) ausbreitet, der anschließend entferntwird.
    [14] Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet,dass zum Auffüllender Aussparungen (6) mit einem Dichtmaterial (7)die Sensorchips (2) Tauchlackiert werden, wobei sich die Aussparungen(6) auffüllenund sich ein Dünnfilmauf der übrigenFlächeder Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) ausPhotolack oder Kunststoff ausbreitet, der anschließend entferntwird.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass der Dünnfilmauf der Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16)photolithographisch derart strukturiert wird, dass die Dichtfläche über und entlangder Aussparungen (6) vergrößert wird.
    [16] Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet,dass beim Auftrennen des Halbleiterwafers (16) die Trennspur(11) innerhalb einer Aussparung (6) zwischen denSensorchippositionen (18) geführt wird, wenn die Aussparung (6)eine größere Breite(b) aufweist als die Breite (B) der Trennspur (11).
    [17] Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet,dass beim Auftrennen des Halbleiterwafers (16) die Trennspur(11) entlang der Sensorchippositionen (18) parallelzu Nuten (10) in den Randbereichen (4) der Sensorpositionen(18) geführtwird, wenn die Breite (b) der Aussparung (6) kleiner odergleich der Breite (B) der Trennspur (11) ist.
    [18] Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet,dass die Aussparungen (6) mit in Dichtmaterial (7)mittels Siebdruck- oder Schablonendruck- oder Strahldruckverfahrenaufgefülltwerden.
    [19] Verfahren zur Herstellung eines Sensorbauteils (2)mit einem frei zugänglichenSensorbereich (1), der auf einer Oberseite (3)des Sensorbauteils (2) angeordnet ist, wobei das Verfahrenfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Sensorchips(2), gemäß einemder Ansprüche7 bis 18 mit Kontaktflächen(13) in einem Randbereich (4) der Ränder desSensorchips (22), – Aufbringen von elektrischenVerbindungsleitungen (14) auf die Kontaktflächen (13)des Sensorchips (2), – Einbetten der elektrischenVerbindungsleitungen (14) in eine Kunststoffmasse (15)entlang eines der Ränder,der die Kontaktflächen(13) aufweist.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US8097895B2|2012-01-17|Electronic device package with an optical device
    KR101120341B1|2012-02-24|고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법
    JP4963148B2|2012-06-27|半導体装置の製造方法
    US6858799B2|2005-02-22|Electronic component with a semiconductor chip and method of producing the electronic component
    TW484194B|2002-04-21|Semiconductor device and method of manufacturing the same
    US6528869B1|2003-03-04|Semiconductor package with molded substrate and recessed input/output terminals
    CN101593736B|2013-06-05|半导体装置及其制造方法
    CN100552929C|2009-10-21|半导体装置及其制造方法、半导体模块装置以及布线基片
    KR970006531B1|1997-04-29|전자 소자 패키지 및 제조방법
    KR100298563B1|2001-11-22|Semiconductor Package and Formation Method
    US6175159B1|2001-01-16|Semiconductor package
    DE19911916B4|2008-08-07|Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Schutzlage
    EP0398587B1|1994-10-05|Verfahren zur Einkapselung von Vorrichtungen
    US7443012B2|2008-10-28|Semiconductor device
    JP3339838B2|2002-10-28|半導体装置およびその製造方法
    US7659617B2|2010-02-09|Substrate for a flexible microelectronic assembly and a method of fabricating thereof
    US5989982A|1999-11-23|Semiconductor device and method of manufacturing the same
    KR100247463B1|2000-03-15|탄성중합체를 포함하는 반도체 집적회로 소자의 제조 방법
    JP3904541B2|2007-04-11|半導体装置内蔵基板の製造方法
    US4843280A|1989-06-27|A modular surface mount component for an electrical device or led's
    JP3604248B2|2004-12-22|半導体装置の製造方法
    US9768124B2|2017-09-19|Semiconductor package in package
    KR20080105097A|2008-12-03|반도체 센서 장치 및 그 제조 방법
    JP2010225620A|2010-10-07|回路モジュール
    CN100521256C|2009-07-29|电子部件及其制造方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004006440B4|2009-05-28|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-09-08| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2009-11-26| 8364| No opposition during term of opposition|
    2013-12-12| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|Effective date: 20130903 |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE102004006440A|DE102004006440B4|2004-02-09|2004-02-09|Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben|DE102004006440A| DE102004006440B4|2004-02-09|2004-02-09|Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben|
    [返回顶部]