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    Für die Hochfrequenzanordnung ist ein erster Halbleiterkörper (1) mit einer darin ausgebildeten integrierten Schaltung sowie einer ersten und einer zweiten Anschlussstelle (11, 12) zur Abgabe oder Zuführung eines Signals vorgesehen. Ein zweiter Halbleiterkörper (2) mit einem darin integrierten Ladungsspeicher und einer ersten und zweiten Kontaktstelle (14, 15) zur Zuführung oder Abgabe von Ladung ist mit seinen Kontaktstellen (14, 15) den Anschlussstellen (11, 12) des ersten Halbleiterkörpers (1) einander zugewandt angeordnet. Der erste Anschluss (11) und die erste Kontaktstelle (14) sowie der zweite Anschluss (12) und die zweite Kontaktstelle (15) sind miteinander gekoppelt, um somit eine integrierte Schaltung sowie einen Ladungsspeicher zur Versorgung der integrierten Schaltung mit zwei verschiedenen Halbleiterkörpern zu bilden. Die getrennte Realisierung der integrierten Schaltung und des Ladungsspeichers ermöglicht eine einfache und kostengünstige Fertigungsweise für die einzelnen Bauelemente.For the high-frequency arrangement, a first semiconductor body (1) with an integrated circuit formed therein and a first and a second connection point (11, 12) for the delivery or supply of a signal is provided. A second semiconductor body (2) with a charge store integrated therein and a first and second contact point (14, 15) for supplying or discharging charge is provided with its contact points (14, 15) to the connection points (11, 12) of the first semiconductor body (1). arranged facing each other. The first terminal (11) and the first contact point (14) as well as the second terminal (12) and the second contact point (15) are coupled together so as to form an integrated circuit and a charge storage for supplying the integrated circuit with two different semiconductor bodies , The separate realization of the integrated circuit and the charge storage allows a simple and cost-effective manufacturing method for the individual components.
    公开号:DE102004005666A1
    申请号:DE102004005666
    申请日:2004-02-05
    公开日:2005-09-01
    发明作者:Josef Dr. Fenk
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G06K19-077
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft eine Hochfrequenzanordnung sowie ein Verfahrenzur Herstellung einer solchen Hochfrequenzanordnung. Die Erfindungbetrifft außerdemeine Verwendung der Hochfrequenzanordnung.TheThe invention relates to a high frequency arrangement and a methodfor producing such a high frequency arrangement. The inventionalso concernsa use of the high frequency arrangement.
    [0002] Hochfrequenzschaltungenwerden in Halbleiterchips integriert, um damit beispielsweise Signale über eineexterne Antenne abzugeben oder von dieser aufzunehmen und weiterzuverarbeiten.Halbleiterchips mit bestimmten Hochfrequenzschaltungen sind für die Verwendungbei HF-Tags auf Chipkarten vorgesehen und besitzen keine eigeneStromversorgung, beispielsweise in Form einer Batterie. Eine Stromversorgungfür dieim Chip integrierte Schaltung erfolgt dann über die Energie eines mit derAntenne empfangenes Signals. Das empfangene Signal wird intern gleichgerichtetund deren Energie zum Betrieb der Schaltung verwendet bzw. in einemim Chip befindlichen Speicherkondensator gespeichert.High-frequency circuitsbe integrated into semiconductor chips, so as to receive signals via aexternal antenna to pick up or receive from this and further processing.Semiconductor chips with certain high frequency circuits are for useprovided on HF cards on smart cards and have no ownPower supply, for example in the form of a battery. A power supplyfor theIntegrated circuit in the chip then takes over the energy of a with theAntenna received signal. The received signal is internally rectifiedand their energy used to operate the circuit or in astored in the chip storage capacitor.
    [0003] Mitden heutigen Herstellungsverfahren erfordert die gleichzeitige Integrationeines großen Speicherkondensatorsund eines Logikschaltkreises füreine Hochfrequenzanordnung auf einem gleichen Halbleiterchip sehrviele und komplexe Prozesse. So ist beispielsweise die Anzahl derzu verwendenden Masken und der Belichtungsschritte während der Herstellungsehr groß.Dies führtzu längerenDurchlaufzeiten sowie geringeren Ausbeuten, wodurch wiederum dieGesamtkosten ansteigen.WithToday's manufacturing process requires simultaneous integrationa large storage capacitorand a logic circuit fora high frequency arrangement on a same semiconductor chip verymany and complex processes. For example, the number ofmasks to be used and the exposure steps during productionvery large.this leads toto longerThroughput times and lower yields, which in turn theTotal costs increase.
    [0004] Aufgabeder Erfindung ist es, eine Hochfrequenzanordnung vorzusehen, beider die Herstellungskosten niedriger sind. Aufgabe ist es weiterhin, einVerfahren zur Herstellung einer solchen Hochfrequenzanordnung mitmöglichstgeringen Kosten zu implementieren.taskThe invention is to provide a high frequency arrangement, inthe manufacturing costs are lower. It is still a taskMethod for producing such a high-frequency arrangement withpreferablyto implement low costs.
    [0005] DieseAufgaben werden mit den Gegenständender unabhängigenPatentansprüchegelöst.TheseTasks become with the objectsthe independent oneclaimssolved.
    [0006] Soumfasst erfindungsgemäß eine Hochfrequenzanordnungeinen ersten Halbleiterkörpermit einer darin füreine Signalverarbeitung ausgebildeten integrierten Schaltung. Dererste Halbleiterkörper weisteine erste Teiloberflächeauf, auf der eine erste und eine zweite Anschlussstelle zur Abgabeoder Zuführungeines Signals ausgebildet sind. Weiterhin umfasst die Hochfrequenzanordnungeinen zweiten Halbleiterkörpermit einem darin integrierten Ladungsspeicher. Auf einer ersten Teiloberfläche des zweitenHalbleiterkörpersist eine erste und eine zweite Kontaktstelle zur Zuführung vonLadung auf den integrierten Ladungsspeicher oder zur Abgabe vonLadung von dem integrierten Ladungsspeicher ausgebildet. Die ersteTeiloberflächedes ersten Halbleiterkörperssowie die erste Teiloberflächedes zweiten Halbleiterkörperssind einander zugewandt angeordnet. Der erste Anschluss und dieerste Kontaktstelle sowie der zweite Anschluss und die zweite Kontaktstellesind miteinander gekoppelt.Soincludes according to the invention a high frequency arrangementa first semiconductor bodywith one in it fora signal processing formed integrated circuit. Of thehas first semiconductor bodya first part surfaceon, on which a first and a second connection point for deliveryor feedera signal are formed. Furthermore, the high-frequency arrangement comprisesa second semiconductor bodywith a charge storage integrated therein. On a first partial surface of the secondSemiconductor bodyis a first and a second contact point for the supply ofCharge to the integrated charge storage or to dischargeCharge formed by the integrated charge storage. The firstpart surfaceof the first semiconductor bodyas well as the first part surfaceof the second semiconductor bodyare arranged facing each other. The first connection and thefirst contact point as well as the second connection and the second contact pointare coupled with each other.
    [0007] Durchdie Trennung der integrierten Schaltung im ersten Halbleiterkörper unddes Ladungsspeichers in einem zweiten Halbleiterkörper wirddie Gesamtzahl an Prozessschritten zur Herstellung der beiden Halbleiterkörper verringert,da beide unabhängigvoneinander hergestellt werden können.Dadurch werden die komplexen und vielfältigen Prozessschritte, diezur Herstellung beider Einheiten auf einem Halbleiterchip notwendigsind vermieden. Die einander zugewandte Anordnung, die auch als Face-to-Face-Anordnungbezeichnet wird, erlaubt dennoch eine äußerst platzsparende Ausbildung. Durchdie Trennung der integrierten Schaltung in einem ersten Halbleiterkörper unddes Ladungsspeichers in einem zweiten Halbleiterkörper können die Prozessezur Herstellung des Ladungsspeichers und der integrierten Schaltungmit bekannten und gut verstandenen Technologien durchgeführt werden,was die Durchlaufzeiten verringert und zu höheren Ausbeuten führt.Bythe separation of the integrated circuit in the first semiconductor body andof the charge storage in a second semiconductor bodyreduces the total number of process steps for producing the two semiconductor bodies,because both are independentcan be made from each other.This will make the complex and diverse process steps thatnecessary for the production of both units on a semiconductor chipare avoided. The facing arrangement, also called a face-to-face arrangementis called, yet allows a very space-saving training. Bythe separation of the integrated circuit in a first semiconductor body andof the charge store in a second semiconductor body, the processesfor the preparation of the charge storage and the integrated circuitbe done with well-known and well-understood technologies,which reduces throughput times and leads to higher yields.
    [0008] Dabeiist es insbesondere von Vorteil, wenn der Ladungsspeicher des zweitenHalbleiterkörpers zumindesteinen Kondensator enthält,der bevorzugt in einer Graben-Technologie als Grabenkondensator ausgebildetist. Diese Technologie wird auch bei der Herstellung von Speicherzellenverwendet und ermöglichteine besonders platzsparende Ausbildung des Kondensators mit einerLadungsspeicherdichte im Bereich von 1 Farad/mm2.Es ist vorteilhaft, mehrere Kondensatoren in dem Halbleiterkörper zurealisieren und geeignet zusammenzuschließen, um so eine höhere Gesamtkapazität zu erreichen.It is particularly advantageous if the charge storage of the second semiconductor body contains at least one capacitor, which is preferably formed in a trench technology as a trench capacitor. This technology is also used in the manufacture of memory cells and allows a particularly space-saving design of the capacitor with a charge storage density in the range of 1 Farad / mm 2 . It is advantageous to realize a plurality of capacitors in the semiconductor body and to join them together in order to achieve a higher overall capacity.
    [0009] Ineiner Weiterbildung der Erfindung ist die integrierte Schaltungdes ersten Halbleiterkörpers zurVersorgung mit einem ersten Potential an dem ersten Anschluss undmit einem zweiten Potential an dem zweiten Anschluss ausgebildet.Der erste und der zweite Anschluss des ersten Halbleiterkörpers bildensomit einen Versorgungseingang fürdie integrierte Schaltung. Folglich ist der Ladungsspeicher deszweiten Halbleiterkörpersmit dem Versorgungsanschluss der integrierten Schaltung gekoppelt.Dies erlaubt einen zeitlich begrenzten Betrieb der integriertenSchaltung mit im Ladungsspeicher des zweiten Halbleiterkörpers gespeicherterLadung. Alternativ ist der Ladungsspeicher des zweiten Halbleiterchipsauch als Abblockkondensator zur Reduzierung von Störsignalenauf die oder von der Versorgungsleitung verwendbar.Ina development of the invention is the integrated circuitof the first semiconductor body toSupply with a first potential at the first terminal andformed with a second potential at the second terminal.The first and the second terminal of the first semiconductor body formthus a supply input forthe integrated circuit. Consequently, the charge storage of thesecond semiconductor bodycoupled to the supply terminal of the integrated circuit.This allows a time-limited operation of the integratedCircuit with stored in the charge storage of the second semiconductor bodyCharge. Alternatively, the charge storage of the second semiconductor chipalso as a blocking capacitor for the reduction of interference signalsusable on or from the supply line.
    [0010] Ineiner anderen Weiterbildung der Erfindung umfasst die Hochfrequenzanordnungeine Antenne füreinen Empfang oder eine Abgabe eines Hochfrequenzsignals. Die Antenneist dabei an einen dritten und einen vierten Anschluss des erstenHalbleiterkörpersangeschlossen. Es ist in diesem Zusammenhang besonders zweckmäßig, dieintegrierte Schaltung des ersten Halbleiterkörpers zur Umwandlung einesan den dritten und an den vierten Anschluss angelegten Signals inein Gleichspannungssignal auszubilden. Bevorzugt gibt die integrierteSchaltung das Gleichspannungssignal an den ersten und an den zweitenAnschluss ab. Die erfindungsgemäße Hochfrequenzanordnungermöglichtdaher einen Empfang eines Hochfrequenzsignals und die Speicherungder empfangenen Energie auf dem Ladungsspeicher des zweiten Halbleiterkörpers. Dies istbesonders vorteilhaft fürHF-Tag-Chips, die keine unabhängigeStromversorgung besitzen. Die erfindungsgemäße Ausführungsform der Hochfrequenzanordnungerlaubt dann einen Betrieb der integrierten Schaltung im erstenHalbleiterkörperwährendeines Empfangs eines Hochfrequenzsignals und darüber hinaus einen zeitlich begrenztenBetrieb außerhalb derReichweite des Hochfrequenzsignals aufgrund der im Ladungsspeichergespeicherten Energie.In another embodiment of the invention For example, the radio-frequency arrangement comprises an antenna for receiving or emitting a radio-frequency signal. The antenna is connected to a third and a fourth terminal of the first semiconductor body. In this context, it is particularly expedient to form the integrated circuit of the first semiconductor body for converting a signal applied to the third and the fourth terminal into a DC signal. Preferably, the integrated circuit outputs the DC voltage signal to the first and to the second terminal. The high frequency arrangement according to the invention therefore enables a reception of a high frequency signal and the storage of the received energy on the charge storage of the second semiconductor body. This is particularly advantageous for RF tag chips that do not have an independent power supply. The embodiment of the high-frequency arrangement according to the invention then permits operation of the integrated circuit in the first semiconductor body during reception of a high-frequency signal and, moreover, temporary operation outside the range of the high-frequency signal due to the energy stored in the charge storage.
    [0011] Zurbesonders vorteilhaften Ausbildung der Kopplung des ersten Anschlussesmit der ersten Kontaktstelle und des zweiten Anschlusses mit der zweitenKontaktstelle ist ein Laminat vorgesehen, welches eine erste Teiloberfläche undeine der ersten Teiloberflächegegenüberliegendezweite Teiloberflächeenthält.Auf der ersten und der zweiten Teiloberfläche sind jeweils zumindestzwei Anschlüssevorgesehen, die miteinander durch eine Durchkontaktierung verbundensind. Erfindungsgemäß erfolgtdie Kopplung durch Verbindung der Anschlüsse des ersten Halbleiterkörpers mitden Anschlüssendes Laminats auf der ersten Teiloberfläche und der Kontaktstellendes zweiten Halbleiterkörpersmit den entsprechenden Anschlüssendes Laminats auf der zweiten Teiloberfläche.toparticularly advantageous embodiment of the coupling of the first terminalwith the first contact point and the second connection with the secondContact point is provided a laminate, which has a first part surface andone of the first sub-surfaceopposingsecond sub-surfacecontains.On the first and the second partial surface are respectively at leasttwo connectionsprovided, which are interconnected by a viaare. According to the inventionthe coupling by connecting the terminals of the first semiconductor body withthe connectionsof the laminate on the first part surface and the contact pointsof the second semiconductor bodywith the corresponding connectionsof the laminate on the second sub-surface.
    [0012] DasVorsehen eines solchen Laminats als Verbindungsglied zwischen denbeiden Halbleiterkörpernermöglichteine höhereFlexibilitätbei der Orientierung der Kontaktstellen auf den jeweiligen Teiloberflächen derHalbleiterkörper.So kann auf eine spezielle Orientierung der Anschlüsse aufden Teiloberflächendes ersten und zweiten Halbleiterkörpers verzichtet werden, daeine Verbindung durch das Laminat sichergestellt wird.TheProviding such a laminate as a link between thetwo semiconductor bodiesallowsa higher oneflexibilityin the orientation of the contact points on the respective sub-surfaces ofSemiconductor body.So can on a special orientation of the connectionsthe sub-surfacesof the first and second semiconductor body are omitted becausea connection through the laminate is ensured.
    [0013] Daserfindungsgemäße Verfahrenzur Herstellung einer Hochfrequenzanordnung umfasst als erstes einBereitstellen eines ersten Halbleiterkörpers mit einer ausgebildetenintegrierten Schaltung, sowie ein Bereitstellen eines zweiten Halbleiterkörpers miteinem darin ausgebildeten Ladungsspeicher. Der erste Halbleiterkörper umfasstauf einer ersten Teiloberflächeeinen ersten und einen zweiten Anschluss zur Zuführung oder Abgabe eines Signals, wobeidie Anschlüssemit der integrierten Schaltung gekoppelt sind. Weiterhin wird aufeiner ersten Teiloberflächedes zweiten Halbleiterkörperseine erste und eine zweite Kontaktstelle vorgesehen, die zur Zuführung vonLadung auf den Ladungsspeicher oder zur Abgabe von auf dem Ladungsspeichergespeicherter Ladung ausgebildet sind. Das Verfahren umfasst weiterhinein Anordnen der ersten Teiloberfläche des ersten Halbleiterkörpers undder ersten Teiloberflächedes zweiten Halbleiterkörpersderart, dass die beiden Teiloberflächen einander zugewandt sind.Sodann ist ein Koppeln der jeweils ersten Anschlüsse der ersten Teiloberfläche desersten Halbleiterkörpersund der ersten Teiloberflächedes zweiten Halbleiterkörpersund der jeweils zweiten Anschlüsseder Teiloberflächendes ersten bzw. zweiten Halbleiterkörpers miteinander vorgesehen.Theinventive methodfor producing a high-frequency arrangement comprises a firstProviding a first semiconductor body having a formed oneintegrated circuit, as well as providing a second semiconductor body witha charge storage formed therein. The first semiconductor body compriseson a first part surfacea first and a second terminal for supplying or outputting a signal, whereinthe connectionscoupled to the integrated circuit. Continue ona first partial surfaceof the second semiconductor bodya first and a second contact point provided for the supply ofCharge to the charge storage or to discharge from the charge storagestored charge are formed. The method further includesarranging the first partial surface of the first semiconductor body andthe first part surfaceof the second semiconductor bodysuch that the two sub-surfaces face each other.Then, a coupling of the respective first terminals of the first partial surface of thefirst semiconductor bodyand the first part surfaceof the second semiconductor bodyand each second portsthe sub-surfacesthe first and second semiconductor body provided with each other.
    [0014] Beidem erfindungsgemäßen Verfahrenzur Herstellung wird folglich die Hochfrequenzanordnung nicht mehrin einem einzigen Halbleiterkörperimplementiert, sondern verschiedene Prozessschritte separat durchgeführt unddie beiden Halbleiterkörper bereitgestellt.Die separate Herstellung erlaubt eine Optimierung der einzelnenProzessschritte hinsichtlich ihrer Anzahl sowie der Gesamtkosten.atthe method according to the inventionConsequently, the high frequency arrangement is no longer necessary for the productionin a single semiconductor bodybut implemented different process steps separately andthe two semiconductor bodies provided.The separate production allows an optimization of the individualProcess steps in terms of their number and the total cost.
    [0015] Zweckmäßigerweiseumfasst die Bereitstellung des zweiten Halbleiterkörpers einBereitstellen eines Halbleitersubstrats und ein Ausbilden zumindesteines Ladungsspeichers mittels einer Graben-Technologie sowie einVorsehen einer Kontaktierungsmöglichkeitdes Ladungsspeichers. Gerade bei Ladungsspeichern mit sehr hohenSpeicherkapazitätenist die separate Ausbildung auf einem eigenen Halbleiterkörper wegender reduzierten anfallenden Herstellungskosten von Vorteil.Conveniently,includes the provision of the second semiconductor bodyProviding a semiconductor substrate and forming at leasta charge storage by means of a trench technology and aProvision of a contacting possibilityof the charge storage. Especially with charge storage with very highstorage capacityis the separate training on its own semiconductor body becausethe reduced resulting production costs of advantage.
    [0016] Kostengünstig wirdder Schritt des Anordnens mit einer Faceto-Face-Montage oder in Face-to-Face-Technologiedurchgeführt.Cost-effective willthe step of arranging with a faceto-face montage or in face-to-face technologycarried out.
    [0017] Einesolche Hochfrequenzanordnung ist besonders gut für die Verwendung in Chipkartengeeignet, in denen die Hochfrequenzanordnung in einer Aussparungeines Datenträgersangeordnet ist.Asuch high frequency arrangement is particularly good for use in smart cardssuitable in which the high frequency arrangement in a recessa volumeis arranged.
    [0018] Weiterevorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Furtheradvantageous embodiments of the invention are the subject of the dependent claims.
    [0019] ImFolgenden wird die Erfindung anhand verschiedener Ausführungsbeispielemit Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail erläutert. Es zeigen:in theThe invention will be described below with reference to various embodimentsexplained in detail with reference to the drawings. Show it:
    [0020] 1 einerstes Ausführungsbeispielder Erfindung, 1 a first embodiment of the invention,
    [0021] 2 einzweites Ausführungsbeispielder Erfindung, 2 A second embodiment of the invention,
    [0022] 3 eindrittes Ausführungsbeispielder Erfindung, 3 A third embodiment of the invention,
    [0023] 4 einenHalbleiterkörpermit Ladungsspeichern als Grabenkondensatoren, 4 a semiconductor body with charge stores as trench capacitors,
    [0024] 5 einenHalbleiterkörpermit einer darin integrierten Schaltung. 5 a semiconductor body having a circuit integrated therein.
    [0025] 1 zeigteine Hochfrequenzanordnung gemäß der Erfindung.Sie umfasst einen Halbleiterkörper 1 miteiner darin integrierten Schaltung. Aus Übersichtsgründen ist die integrierte Schaltungin 1 nicht dargestellt. Die integrierte Schaltungim Halbleiterkörper 1 istim vorliegendem Beispiel als eine Logik- und Kontrollschaltung ausgebildet.Sie umfasst mehrere Schaltelemente, die für eine Datenverarbeitung ausgebildetsind. Je nach Anforderungen an die Schaltung wird für die Herstellungder integrierten Schaltung in dem Halbleiterkörper 1 eine dafür optimalgeeignete Technologie verwendet. 1 shows a high frequency arrangement according to the invention. It comprises a semiconductor body 1 with a circuit integrated therein. For clarity, the integrated circuit is in 1 not shown. The integrated circuit in the semiconductor body 1 is formed in the present example as a logic and control circuit. It comprises a plurality of switching elements which are designed for data processing. Depending on the requirements of the circuit is for the production of the integrated circuit in the semiconductor body 1 a technology which is optimally suited for this purpose.
    [0026] DerHalbleiterkörper 1 istan einem Substrat 4 füreine zusätzlichemechanische Stabilitätbefestigt. Das mechanische Substrat 4 umfasst zwei Versorgungsleitungenmit zwei Anschlüssen 41 und 411 zurVersorgung der im Halbleiterkörper 1 integrierten Schaltung.Dazu enthältder Halbleiterkörper 1 auf seinerUnterseite zwei Versorgungsanschlüsse, die mit den Anschlüssen 41 und 411 verbundensind.The semiconductor body 1 is on a substrate 4 attached for additional mechanical stability. The mechanical substrate 4 includes two supply lines with two connections 41 and 411 for the supply of the semiconductor body 1 integrated circuit. For this purpose contains the semiconductor body 1 on its bottom two supply connections, which with the connections 41 and 411 are connected.
    [0027] Aufder Oberseite 1A des Halbleiterkörpers 1 sind verschiedeneAnschlüsseaufgebracht. Diese sind ebenso mit der integrierten Schaltung gekoppelt undzur Abgabe verschiedener von der integrierten Schaltung erzeugterSignale oder zur Aufnahme von Signalen ausgebildet, die von derintegrierten Schaltung weiterverarbeitet werden. Im besonderen sind dieAnschlüsse 11, 12, 111 und 122,welche zur Abgabe einer Versorgungsspannung an zwei weitere Halbleiterkörper 2 ausgebildetsind. Die Verbindung erfolgt überein Lot 13, mit dem die Kontaktstellen 14 und 15 derHalbleiterkörper 2 andie Kontaktstellen 11, 12 bzw. 111 und 122 desersten Halbleiterkörpers angeschlossensind.On the top 1A of the semiconductor body 1 Different connections are applied. These are also coupled to the integrated circuit and configured to output various signals generated by the integrated circuit or to receive signals that are further processed by the integrated circuit. In particular, the connections 11 . 12 . 111 and 122 , which for delivering a supply voltage to two further semiconductor body 2 are formed. The connection is made via a solder 13 with which the contact points 14 and 15 the semiconductor body 2 to the contact points 11 . 12 respectively. 111 and 122 the first semiconductor body are connected.
    [0028] DieHalbleiterkörper 2 enthaltenmehrere parallel geschaltete Kondensatoren. Sie sind mit Hilfe einerGraben-Technologie gebildet. Die Speicherdichte der Kondensatorenist in dieser Ausführungsformbesonders hoch und liegt im Bereich von 1 F/mm2 liegt.Ein Querschnitt mehrere parallel geschalteter Grabenkondensatorenin einem solchen Halbleiterkörperzeigt 4.The semiconductor body 2 contain several parallel connected capacitors. They are formed using a trench technology. The storage density of the capacitors is particularly high in this embodiment and is in the range of 1 F / mm 2 . A cross section shows a plurality of trench capacitors connected in parallel in such a semiconductor body 4 ,
    [0029] Darinist das Substrat 91 des Halbleiterkörpers als p-Substrat ausgebildet.Das Substrat enthält einenstark p-dotierten Bereich 96, der als Substratanschlussfür denAnschluss 95 ausgebildet ist. Dieser bildet die erste Elektrodedes Kondensators und führtzum Anschluss 14. Weiterhin sind mehrere Vertiefungen bzw.Gräben 97 zuerkennen, die in die O berflächedes Halbleitersubstrats 91 eingebracht sind. Die Seitenwände derGräben 97 sowiedie Oberflächedes Substrat 91 ist mit einem Dielektrikum 93 bedeckt.Das erfolgt beispielsweise durch eine Oxidation der Oberfläche. DasDielektrikum 93 bildet gleichzeitig das Dielektrikum desKondensators. In die Vertiefung ist ein zweites Halbleitermaterial 92 eingebracht,welches einen stark n-dotierten Ladungstyp aufweist. Die Vertiefungbildet die zweite Elektrode des Grabenkondensators. Das zweite Materialin jedem Graben 92 ist überdie Leitung 94 an den zweiten Anschluss 15 angeschlossen.Damit sind die einzelnen Grabenkondensatoren parallel zueinandergeschaltet und ihre Kapazitätenaddieren sich. Die einzelnen Kondensatoren lassen sich auch in andererWeise in dem Halbleitermaterial realisieren. Durch die Parallelschaltungwird ein einziger, großerKondensator im Halbleiterkörpergebildet. Natürlichsind auch andere schaltungstechnische Maßnahmen denkbar.Therein is the substrate 91 of the semiconductor body formed as a p-type substrate. The substrate contains a heavily p-doped region 96 , which is used as substrate connection for connection 95 is trained. This forms the first electrode of the capacitor and leads to the connection 14 , Furthermore, several depressions or trenches 97 to be seen in the O berfläche of the semiconductor substrate 91 are introduced. The side walls of the trenches 97 as well as the surface of the substrate 91 is with a dielectric 93 covered. This is done, for example, by oxidation of the surface. The dielectric 93 at the same time forms the dielectric of the capacitor. Into the recess is a second semiconductor material 92 introduced, which has a heavily n-doped charge type. The depression forms the second electrode of the trench capacitor. The second material in each trench 92 is over the line 94 to the second port 15 connected. Thus, the individual trench capacitors are connected in parallel to each other and their capacitances add up. The individual capacitors can also be realized in another way in the semiconductor material. Due to the parallel connection, a single, large capacitor is formed in the semiconductor body. Of course, other circuit measures are conceivable.
    [0030] DieHalbleiterkörper 2 gemäß 4 bilden soeinen Speicherkondensator füreine Speicherung großerLadungsmengen. Wenn die Grabenkondensatoren in den Halbleiterkörpern 2 aufgeladensind, ist eine Versorgung übereinen kurzen Zeitraum hinweg auch bei nichtanliegender externerVersorgungsspannung gesichert. Ein solcher Speicherkondensator kann,parallel zu den Versorgungsanschlüssen 41 und 411 derHochfrequenzanordnung gemäß 1 geschaltet,auch eine Spannungsschwankung auf den Versorgungsleitungen des Substrats 4 kompensieren.The semiconductor body 2 according to 4 thus form a storage capacitor for storing large amounts of charge. When the trench capacitors in the semiconductor bodies 2 are charged, a supply over a short period of time, even with non-adjacent external supply voltage secured. Such a storage capacitor can, parallel to the supply terminals 41 and 411 the high frequency arrangement according to 1 switched, also a voltage fluctuation on the supply lines of the substrate 4 compensate.
    [0031] Zusätzlich sindweitere Anschlüsse 16 und 12 aufder Oberfläche 1A desersten Halbleiterkörpersvorgesehen. Diese sind mit zwei Anschlüssen 31 und 32 einesweiteren Halbleiterkörpers 3 durch einLot 13 verbunden. Der Halbleiterkörper 3 enthält einenDatenspeicher mit mehreren einzelnen Speicher zellen. Die Ausbildungerfolgt in einer dafürbevorzugten Technologie. Füreinen nichtflüchtigenDatenspeicher lässtsich dieser beispielsweise mit einer Flash-Technologie ausbilden.In addition, there are other connections 16 and 12 on the surface 1A the first semiconductor body provided. These are with two connections 31 and 32 a further semiconductor body 3 through a lot 13 connected. The semiconductor body 3 contains a data memory with several individual memory cells. The training takes place in a preferred technology. For a non-volatile data memory, this can be formed, for example, with a flash technology.
    [0032] DerHalbleiterkörper 3 istmit seinen Anschlüssendabei so auf der Oberfläche 1A desersten Halbleiterkörpers 1 angeordnet,dass die fürdie Verbindung vorgesehenen Anschlüsse 12 und 16 bzw. 31 und 32 sicheinander gegenüberliegen,so dass das Lot eine elektrische Verbindung zwischen ihnen ermöglicht.Aufgrund der verschiedenen Prozessschritte zur Herstellung der integriertenSchaltung im ersten Halbleiterkörper 1 undder Speicherzellen im Halbleiterkörper 3 ist es sinnvoll,diese aus Kostengründenerst separat zu fertigen und dann gegenüberliegend einander anzuordnen.Eine Verbindung erfolgt dann durch ein zwischen den Kontakten aufgebrachtesLot. Diese Art des Anordnens wird auch Face-to-Face-Anordnung genannt.The semiconductor body 3 is with its connections doing so on the surface 1A of the first semiconductor body 1 arranged that the connections provided for the connection 12 and 16 respectively. 31 and 32 face each other so that the solder allows an electrical connection between them. Due to the different process steps for the production of the integrated circuit in the first semiconductor body 1 and the memory cells in the semiconductor body 3 Does it make sense to charge these out establish separately to manufacture and then to arrange each other opposite each other. A connection is then made by a solder applied between the contacts. This type of placement is also called face-to-face arrangement.
    [0033] Zusätzlich wirdbei dem Anordnen und Verbinden der Halbleiterkörper 1 und 3 auchder separat hergestellte Speicherkondensator in den Halbleiterkörpern 2 mitder integrierten Schaltung des Halbleiterkörpers 1 verbunden.Die Kosten währendder Face-to-Face-Montage fürdie zusätzlicheMontage des Halbleiterkörpers 2 sinddaher nur geringfügig höher. Jedochkann der Halbleiterkörper 1 mitder integrierten Schaltung sowie die Speicherkondensatoren im Halbleiterkörper 2 separatund in großerMenge sowie hoher Ausbeute kostengünstig hergestellt werden. DieGesamtkosten werden so reduziert.In addition, in arranging and connecting the semiconductor bodies 1 and 3 also the separately prepared storage capacitor in the semiconductor bodies 2 with the integrated circuit of the semiconductor body 1 connected. The cost during the face-to-face assembly for the additional assembly of the semiconductor body 2 are therefore only slightly higher. However, the semiconductor body can 1 with the integrated circuit and the storage capacitors in the semiconductor body 2 be produced inexpensively separately and in large quantities and high yield. The total cost will be reduced.
    [0034] Einzweites Ausführungsbeispieleiner Hochfrequenzanordnung fürdie Verwendung als HF-Tag, zeigt 2. Die obereTeilfigur entspricht dabei einer Schnittansicht durch die untere Teilfigurentlang der Ebene I-II. Gleiche Bauelemente tragen dabei gleicheBezugszeichen. Ein Halbleiterkörper 1,der sowohl Basisband- wie auch HF-Signalverarbeitungselemente enthält, weistauf seiner Oberfläche 1A die Anschlüsse 11 und 12 sowie 19 und 111 auf.Die Anschlüsse 11 und 12 sindVersorgungsanschlüsse, während derAnschluss 19 zur Datenübertragung dient.Allen Anschlüssesind mit Kontaktstellen auf der Unterseite 5A eines Laminats 5 verbunden,welche ihrerseits mit entsprechenden Kontaktstellen auf einer Oberseite 5B desLaminats kontaktiert sind. Das Laminat 5 enthält mehrereorganische Schichten sowie einzelne zwischen den organischen Schichten angebrachtemetallisierte Verbindungsleitungen. Die Leitungen bestehen vorzugsweiseaus Kupfer und sind im Bereich der Kontaktstellen auf der Ober-wie auch der Unterseite vernickelt sowie galvanisch mit einer dünnen Goldschichtzum Schutz gegen Oxidation überzogen.Auf der Oberseite 5B des Laminats 5 ist zudemein metallisierter Bereich in Form einer Antenne 51 aufgebracht,der zu Kontaktstellen auf der Oberseite 5B des Laminatsführt,die mit Anschlüssen 82 und 83 desHalbleiterkörpers 1 für die darinintegrierte Schaltung kontaktiert sind.A second embodiment of a high frequency arrangement for use as an RF tag shows 2 , The upper part figure corresponds to a sectional view through the lower part of the figure along the plane I-II. The same components carry the same reference numerals. A semiconductor body 1 which includes both baseband and RF signal processing elements has on its surface 1A the connections 11 and 12 such as 19 and 111 on. The connections 11 and 12 are supply connections, while the connection 19 serves for data transmission. All connections are with contact points on the bottom 5A a laminate 5 connected, which in turn with corresponding contact points on a top 5B the laminate are contacted. The laminate 5 contains several organic layers as well as individual metallized interconnections attached between the organic layers. The lines are preferably made of copper and are nickel-plated in the region of the contact points on the top as well as the underside and galvanically coated with a thin gold layer to protect against oxidation. On the top 5B of the laminate 5 is also a metallized area in the form of an antenna 51 Applied to the contact points on the top 5B of the laminate that leads with connections 82 and 83 of the semiconductor body 1 are contacted for the integrated circuit therein.
    [0035] Weiterhinenthältdie erfindungsgemäße Hochfrequenzanordnungeinen Halbleiterkörper 2 bzw. 2A gemäß der 4 mitjeweils mehreren darin parallel geschalteten, integrierten Kondensatorenunterschiedlicher Kapazität.Diese dienen als Speicherkondensator, wie auch zur Dämpfung vonSpannungsschwankungen auf den Versorgungsleitungen und wirken soals Filter.Furthermore, the high-frequency arrangement according to the invention contains a semiconductor body 2 respectively. 2A according to the 4 each with several integrated capacitors of different capacitance connected in parallel therewith. These serve as a storage capacitor, as well as for damping voltage fluctuations on the supply lines and thus act as a filter.
    [0036] EinenAusschnitt der integrierten Schaltung des Halbleiterkörpers 1 gemäß 2 zeigt 5. Dieintegrierte Schaltung umfasst eine Gleichrichterschaltung 81,die ein überdie Antenne 51 empfangenes Hochfrequenzsignal an den beidenAnschlüssen 82 und 83 empfängt, ineine Gleichspannung gleichrichtet und zum Betrieb der weiteren Schaltkreise 84 imHalbleiterkörper 1 verwendet.Gleichzeitig wird ein Teil der überdie Antenne empfangenen Energie an die Ausgänge 11 und 12 bzw. 111 zumLaden der integrierten Speicherkondensatoren der Halbleiterkörper 2 und 2A abgegeben.A section of the integrated circuit of the semiconductor body 1 according to 2 shows 5 , The integrated circuit comprises a rectifier circuit 81 that one over the antenna 51 received high-frequency signal at the two terminals 82 and 83 receives rectified into a DC voltage and to operate the other circuits 84 in the semiconductor body 1 used. At the same time, part of the energy received via the antenna is sent to the outputs 11 and 12 respectively. 111 for charging the integrated storage capacitors of the semiconductor bodies 2 and 2A issued.
    [0037] Dadurchsind alle Elemente der Schaltung 84 im Halbleiterkörper 1 während einesEmpfangs eines Hochfrequenzsignals mit einer ausreichenden Spannungzum Betrieb versorgt und zudem die Speicherkondensatoren aufgeladen.Wenn die überdas Hochfrequenzsignal zugeführteEnergie zum Betrieb der integrierten Schaltung nicht mehr ausreichend ist,kann die in den Speicherkondensatoren gespeicherte Ladung für einenzeitlich begrenzten Betrieb verwendet werden. Eine unabhängige Energieversorgungin Form einer Batterie ist nicht notwendig.As a result, all elements of the circuit 84 in the semiconductor body 1 during a reception of a high-frequency signal with a sufficient voltage for operation supplied and also charged the storage capacitors. If the energy supplied via the high-frequency signal is no longer sufficient for the operation of the integrated circuit, the charge stored in the storage capacitors can be used for a time-limited operation. An independent power supply in the form of a battery is not necessary.
    [0038] DerSpeicherkondensator im Halbleiterkörper 2A enthält, wiein 2 zu erkennen, zudem eine Verbindung 25 und 26 imLaminat 5 zu einem Versorgungsanschluss 33 einesdritten Halbleiterkörpers 3. Dieserumfasst mehrere Speicherzellen, die mit der im Speicherkondensatordes Halbleiterkörpers 2A gespeichertenLadung versorgt werden. Weitere Kontaktstellen 32 und 31 aufder Unterseite des dritten Halbleiterkörpers dienen zum Auslesen derSpeicherzellen und zum Übertragender Daten an die integrierte Schaltung im Halbleiterkörper 1.Dazu sind die Anschlussstellen 32 und 31 mit denAnschlussstellen 19 auf der Oberseite 1A des integriertenHalbleiterkörpers 1 durchdas Laminat 5 kontaktiert.The storage capacitor in the semiconductor body 2A contains, as in 2 to recognize, also a connection 25 and 26 in the laminate 5 to a supply connection 33 a third semiconductor body 3 , This comprises a plurality of memory cells that are connected to the in the storage capacitor of the semiconductor body 2A be stored stored charge. Other contact points 32 and 31 on the underside of the third semiconductor body are used for reading the memory cells and for transmitting the data to the integrated circuit in the semiconductor body 1 , These are the connection points 32 and 31 with the connection points 19 on the top 1A of the integrated semiconductor body 1 through the laminate 5 contacted.
    [0039] 3 zeigteine erfindungsgemäße Anordnung,die in einer Datenträgerkarte,vorzugsweise in einer Chipkarte, verwendet wird. Dazu ist ein Datenträgerkörper 9 vorgesehen,welcher eine Aussparung 10 zur Aufnahme der Anordnung umfasst.Die Anordnung ist als Chipmodul ausgebildet. Das Modul umfasst einenals Laminat ausgebildeten Modulträger 5, der auf einerersten Oberfläche 5A eineAntenne 51 aufweist. Die Antenne ist durch das Laminat 5 hindurchmit einem Halbleiterkörper 1 undeiner auf einer ersten Teiloberfläche des Halbleiterkörpers 1 befindlichenAnschlussstelle verbunden. Auf einer gegenüberliegenden Teiloberfläche desHalbleiterkörpers 1 sindmehrere Anschlussstellen 11 und 12 sowie 111 und 122 vorgesehen. 3 shows an inventive arrangement which is used in a data carrier card, preferably in a smart card. This is a disk body 9 provided, which has a recess 10 for receiving the assembly comprises. The arrangement is designed as a chip module. The module comprises a module carrier formed as a laminate 5 that on a first surface 5A an antenna 51 having. The antenna is through the laminate 5 through with a semiconductor body 1 and one on a first partial surface of the semiconductor body 1 connected connection point. On an opposite partial surface of the semiconductor body 1 are several connection points 11 and 12 such as 111 and 122 intended.
    [0040] DieAnschlüssedes Halbleiterkörpers 1 und derdarin befindlichen integrierten Schaltung sind jeweils mit Kontaktstellenauf der Oberflächeeines Halbleiterkörpers 2 bzw. 3 verbunden.Der Halbleiterkörper 1 umfassteine Schaltung zur HF-Signalverarbeitung,der Halbleiterkörper 3 enthält eineintegrierte Schaltung füreine Verarbeitung digitaler Signale. Der Halbleiterkörper 2 enthält mehrereparallel geschaltete Speicherkondensatoren großer Kapazität für eine Spannungs- bzw. Stromversorgungder integrierten Schaltungen im ersten bzw. dritten Halbleiterkörper.The connections of the semiconductor body 1 and the integrated circuit therein are each having pads on the surface of a semiconductor body 2 respectively. 3 connected. The semiconductor body 1 includes a circuit for RF signal processing, the semiconductor body 3 contains an integrated circuit for processing digital signals. Of the Semiconductor body 2 includes a plurality of large capacitance storage capacitors connected in parallel for powering the integrated circuits in the first and third semiconductor bodies, respectively.
    [0041] ZumSchutz vor Beschädigungenist diese Schaltung mit einem Harz oder einem Kunststoff 8 in Formeines Tropfens umgeben. Das Chipmodul aus Chipträger 5 und den Halbleiterkörpern wirdin die Aussparung 10 des Datenträgers eingebracht und mit diesemverbunden.To protect against damage, this circuit with a resin or plastic 8th surrounded in the form of a drop. The chip module from chip carrier 5 and the semiconductor bodies gets into the recess 10 introduced the data carrier and connected to this.
    [0042] Für die Herstellungder erfindungsgemäßen Hochfrequenzanordnungwird die Hochfrequenzanordnung mit ihren Elementen nicht in einemeinzigen Halbleiterkörperimplementiert, sondern anhand der notwendigen Prozessschritte erfindungsgemäß auf meh rereHalbleiterkörperverteilt. Beispielsweise könnenLogikelemente auf einem Halbleiterkörper untergebracht sein, während Datenspeicherzellen, diezur Herstellung eine Graben-Technologiebenötigen,auf einem zweiten Halbleiterkörpervorgesehen sind. Insbesondere werden Speicherkondensatoren zur SpeicherunggroßerLadungsmengen bzw. Kondensatoren zur zum Glätten von Spannungsschwankungenauf den Versorgungsleitungen der integrierten Schaltung separatin einem zweiten Halbleiterkörperuntergebracht.For the productionthe high frequency arrangement according to the inventionis the high-frequency arrangement with their elements not in onesingle semiconductor bodyimplements, but based on the necessary process steps according to the invention meh rereSemiconductor bodydistributed. For example, you canLogic elements may be housed on a semiconductor body, while data storage cells, thefor making a trench technologyneed,on a second semiconductor bodyare provided. In particular, storage capacitors for storagegreaterCharge quantities or capacitors for smoothing voltage fluctuationson the supply lines of the integrated circuit separatelyin a second semiconductor bodyaccommodated.
    [0043] DerAufbau und die Herstellungsweise der Speicherkondensatoren im zweitenHalbleiterkörper istvielfältigund das hier ausgeführteBeispiel ist nur eines davon. Ein in einem zweien Halbleiterkörper integrierterLadungsspeicher kann auch füreine Filterung von Störsignalenauf einer Versorgungsleitung verwendet werden oder Teil eines Signalfilterssein. Weiterhin könnenim zweiten Halbleiterkörperweitere Halbleiterbauelemente integriert werden.Of theStructure and method of manufacturing the storage capacitors in the secondSemiconductor body isdiverseand the one executed hereExample is just one of them. One integrated in a two semiconductor bodyCharge storage can also be used fora filtering of interfering signalsbe used on a supply line or part of a signal filterbe. Furthermore you canin the second semiconductor bodyfurther semiconductor devices are integrated.
    [0044] Diekonsequente Trennung von Elementen, die höchst unterschiedliche Herstellungsprozesseerfordern, in verschiedene Halbleiterkörper reduziert die Anzahl derFertigungsschritte fürdie gesamte Anordnung dennoch erheblich. Weiterhin wird durch die Herstellungstandardisierter integrierter Schaltungen die Flexibilität aufgrundder verschiedenen Kombinationsmöglichkeitenerhöht.Erfindungsgemäß werden dieeinzelnen dalbleiterkörpermit ihren darin integrierten Bauelementen in Face-to-Face-Montage,d. h. einander zugewandt, angeordnet gefertigt. Daraus ergibt sichnicht nur ein geringer Platzbedarf sowie geringe Gesamtkosten, sondernermöglichtgemeinsam durch den Einsatz eines Verbindungslaminats die einfacheAusbildung von HF-Tags zur drahtlosen Kommunikation auf kurze Entfernungenohne eigenständigeEnergieversorgung.Theconsistent separation of elements, the most diverse manufacturing processesrequire, in different semiconductor body reduces the number ofManufacturing steps forthe whole arrangement nevertheless considerably. Furthermore, by the productionstandardized integrated circuits due to the flexibilitythe different combination optionselevated.According to the inventionsingle dalbleitererkörperwith their integrated components in face-to-face mounting,d. H. made facing each other, arranged. This results innot only a small footprint and low overall costs, butallowstogether by the use of a compound laminate the simpleTraining HF tags for short-range wireless communicationwithout independentPower supply.
    1,2, 2A, 31,2, 2A, 3 HalbleiterkörperSemiconductor body 4,54.5 Laminatlaminate 88th Schutzharzprotective resin 99 Datenträgerdisk 1010 Aussparungrecess 11,12, 111, 122, 161112, 111, 122, 16 Anschlussstelleninterchanges 1313 Lotsolder 14,15, 31, 32, 331415, 31, 32, 33 Kontaktstellencontact points 1A,5A, 5B1A,5A, 5B Oberflächensurfaces 25,262526 Zuleitungenleads 5151 Antenneantenna 82,838283 Antennenanschlüsseantenna connections 8484 Schaltelementeswitching elements 8181 GleichrichterschaltungRectifier circuit 9191 HalbleitersubstratSemiconductor substrate 9292 HalbleitermaterialSemiconductor material 9393 Dielektrikumdielectric 94,959495 Anschlussleitungenconnecting cables
    权利要求:
    Claims (16)
    [1]
    Hochfrequenzanordnung, umfassend – einenersten Halbleiterkörper(1) mit einer darin für eineSignalverarbeitung ausgebildeten integrierten Schaltung, der aufeiner ersten Teiloberfläche(1A) eine erste und eine zweite Anschlussstelle (11, 12) zurAbgabe oder zur Zuführungeines Signals aufweist; – einenzweiten Halbleiterkörper(2) mit einem darin integrierten Ladungsspeicher, der aufeiner ersten Teiloberflächeeine erste und eine zweite Kontaktstelle (14, 15)zur Zuführungoder Abgabe von Ladung auf den Ladungsspeicher umfasst, wobei dieerste Teiloberflächendes ersten und zweiten Halbleiterkörpers einander zugewandt angeordnetsind und der erste Anschluss (11) und die erste Kontaktstelle(14) sowie der zweite Anschluss (12) und die zweiteKontaktstelle (15) miteinander gekoppelt sind.High frequency arrangement, comprising - a first semiconductor body ( 1 ) having an integrated circuit formed therein for signal processing, which is mounted on a first sub-surface ( 1A ) a first and a second connection point ( 11 . 12 ) for delivery or for delivery of a signal; A second semiconductor body ( 2 ) having a charge store integrated therein, which has on a first partial surface a first and a second contact point ( 14 . 15 ) for supplying or delivering charge to the charge storage device, wherein the first sub-surfaces of the first and second semiconductor bodies are arranged facing each other, and the first connection ( 11 ) and the first contact point ( 14 ) as well as the second connection ( 12 ) and the second contact point ( 15 ) are coupled together.
    [2]
    Hochfrequenzanordnung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet,dass die integrierte Schaltung des ersten Halbleiterkörpers (1)zur Versorgung mit einem ersten Potential an dem ersten Anschluss(11) und einem zweiten Potential an dem zweiten Anschluss(12) ausgebildet ist.High-frequency arrangement according to claim 1, characterized in that the integrated circuit of the first semiconductor body ( 1 ) for supplying a first potential at the first terminal ( 11 ) and a second potential at the second terminal ( 12 ) is trained.
    [3]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Antenne (51) zum Empfangund/oder zur Abgabe eines Hochfrequenzsignals vorgesehen ist, diean einen dritten und einen vierten Anschluss des ersten Halbleiterkörpers (1)angeschlossen ist.Radio-frequency arrangement according to one of Claims 1 to 2, characterized in that an antenna ( 51 ) is provided for receiving and / or delivering a high-frequency signal which is connected to a third and a fourth terminal of the first semiconductor body ( 1 ) connected.
    [4]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis3, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Schaltung des erstenHalbleiterkörpers(1) zur Umwandlung eines an den dritten und den vierten Anschlussangelegten Signals in ein Gleichspannungssignal und zur Abgabe desGleichspannungssignals an den ersten und den zweiten Anschluss (11, 12)ausgebildet ist.Radio-frequency arrangement according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the integrated circuit of the first semiconductor body ( 1 ) for converting a signal applied to the third and fourth terminals into a DC chip tion signal and for delivering the DC signal to the first and the second terminal ( 11 . 12 ) is trained.
    [5]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis4, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher des zweitenHalbleiterkörpers(2) einen Kondensator umfasst.Radio-frequency arrangement according to one of Claims 1 to 4, characterized in that the charge store of the second semiconductor body ( 2 ) comprises a capacitor.
    [6]
    Hochfrequenzanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,dass der Kondensator des zweiten Halbleiterkörpers (2) als einGrabenkondensator in einem Substrat des zweiten Halbleiterkörpers (2)ausgebildet ist.Radio-frequency arrangement according to Claim 5, characterized in that the capacitor of the second semiconductor body ( 2 ) as a trench capacitor in a substrate of the second semiconductor body ( 2 ) is trained.
    [7]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis6, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator mit einer Speicherdichteim Bereich von einem Farad/mm2 ausgebildetist.Radio-frequency arrangement according to one of claims 5 to 6, characterized in that the capacitor is formed with a storage density in the range of one farad / mm 2 .
    [8]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis7, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher zumindest zweiparallel geschaltete, in dem zweiten Hallbieterkörper (2) integrierte Kondensatorenumfasst.Radio-frequency arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the charge store at least two parallel-connected, in the second Hallbieterkörper ( 2 ) includes integrated capacitors.
    [9]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplung des ersten Anschlusses(11) mit der ersten Kontaktstelle (14) und deszweiten Anschlusses (12) und der zweiten Kontaktstelle(15) ein Laminat (5) umfasst, welches: – eine ersteTeiloberfläche(5A) mit einem ersten und einem zweiten Anschluss und – eine derersten Teiloberfläche(4A) gegenüberliegende zweite Teiloberfläche(5B) mit einem dritten Anschluss aufweist, welcher mitdem ersten Anschluss auf der ersten Teiloberfläche (5A) verbunden istund mit einem vierten Anschluss, welcher mit dem zweiten Anschlussauf der ersten Teiloberfläche(5A) verbunden ist.Radio-frequency arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the coupling of the first terminal ( 11 ) with the first contact point ( 14 ) and the second terminal ( 12 ) and the second contact point ( 15 ) a laminate ( 5 ), which comprises: a first partial surface ( 5A ) with a first and a second connection and - one of the first partial surface ( 4A ) opposite second partial surface ( 5B ) having a third terminal which is connected to the first terminal on the first partial surface ( 5A ) and a fourth terminal connected to the second terminal on the first sub-surface ( 5A ) connected is.
    [10]
    Hochfrequenzanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,dass das Laminat (5) einen metallisierten Bereich umfasst,der als Antenne (51) ausgebildet istRadio-frequency arrangement according to Claim 9, characterized in that the laminate ( 5 ) comprises a metallized region which serves as antenna ( 51 ) is trained
    [11]
    Hochfrequenzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis10, dadurch gekennzeichnet, dass ein elektrisch leitendes Lot (13)zwischen Anschluss (11, 12) und Kontaktstelle(14, 15) angeordnet ist, das den Anschluss (11, 12)und die Kontaktstelle (14, 15) elektrisch verbindet.Radio-frequency arrangement according to one of Claims 1 to 10, characterized in that an electrically conductive solder ( 13 ) between connection ( 11 . 12 ) and contact point ( 14 . 15 ) is arranged, which the connection ( 11 . 12 ) and the contact point ( 14 . 15 ) electrically connects.
    [12]
    Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenzanordnungumfassend die Schritte: – Bereitstelleneines ersten Halbleiterkörpers(1) mit einer darin zur Signalverarbeitung geeigneten integriertenSchaltung, der auf einer ersten Teiloberfläche (1A) einen erstenAnschluss (11) und einen zweiten Anschluss (12)zur Zuführungoder Abgabe eines Signals aufweist; – Bereitstellen eines zweitenHalbleiterkörpers(2) mit einem darin ausgebildeten Ladungsspeicher und mit einerersten Teiloberfläche; – Ausbildeneiner ersten und einer zweiten Kontaktstelle (14, 15)auf der ersten Teiloberflächezur Zuführungvon Ladung auf den Ladungsspeicher oder Abgabe von auf dem Ladungsspeichergespeicherter Ladung; – Anordnender ersten Teiloberflächedes ersten Halbleiterkörpers(1) und der ersten Teiloberfläche des zweiten Halbleiterkörper (2)einander zugewandt; – Koppelnder jeweils ersten Anschlüsse(11, 14) und der jeweils zweiten Anschlüsse (12, 15)miteinander.Method for producing a high-frequency arrangement, comprising the steps: - providing a first semiconductor body ( 1 ) with an integrated circuit suitable for signal processing, which is mounted on a first sub-surface ( 1A ) a first connection ( 11 ) and a second port ( 12 ) for supplying or delivering a signal; Providing a second semiconductor body ( 2 ) having a charge storage formed therein and having a first partial surface; - forming a first and a second contact point ( 14 . 15 ) on the first sub-surface for supplying charge to the charge storage device or discharging charge stored on the charge storage device; Arranging the first partial surface of the first semiconductor body ( 1 ) and the first partial surface of the second semiconductor body ( 2 facing each other; - coupling the first connections ( 11 . 14 ) and the respective second connections ( 12 . 15 ) together.
    [13]
    Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch – ein Ausbildeneiner Antenne zum Empfang eines Hochfrequenzsignals; – Ausbildeneiner Gleichrichterschaltung zur Gleichrichtung und Abgabe einesgleichgerichteten Spannungssignals an einen Versorgungsausgang; – Koppelnder Antenne mit der Gleichrichterschaltung; – Koppelndes Ladungsspeichers des zweiten Halbleiterkörpers mit dem Versorgungsausgangder Gleichrichterschaltung.A method according to claim 12, characterized by- a trainingan antenna for receiving a high-frequency signal;- Traininga rectifier circuit for rectifying and delivering arectified voltage signal to a supply output;- Pairthe antenna with the rectifier circuit;- Pairthe charge storage of the second semiconductor body with the supply outputthe rectifier circuit.
    [14]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 13, dadurch gekennzeichnet,dass die Bereitstellung des zweiten Halbleiterkörpers (2) die Schritteumfasst: – Bereitstelleneines Halbleitersubstrats; – Ausbilden zumindest einesLadungsspeichers als ein Grabenkondensator; – Vorseheneiner Kontaktierung des Ladungsspeichers.Method according to one of claims 12 to 13, characterized in that the provision of the second semiconductor body ( 2 ) comprises the steps of: providing a semiconductor substrate; Forming at least one charge storage as a trench capacitor; - Providing a contact of the charge storage.
    [15]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet,dass der Schritt des Anordnens in einer Face-to-Face Montage durchgeführt wird.Method according to one of claims 12 to 14, characterizedthe step of arranging is carried out in a face-to-face assembly.
    [16]
    Verwendung einer Hochfrequenzanordnung nach einemder Ansprüche1 bis 11 in einem Datenträger(9) mit einer Aussparung (10), wobei der erste undder zweite Halbleiterkörper(1, 2) in der Aussparung (10) angeordnetsind.Use of a high-frequency arrangement according to one of Claims 1 to 11 in a data carrier ( 9 ) with a recess ( 10 ), wherein the first and the second semiconductor body ( 1 . 2 ) in the recess ( 10 ) are arranged.
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