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    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft ein Harz für die Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements, das ein Polycarbodiimid mit einer spezifischen Struktur umfasst; eine Fotohalbleiter-Einrichtung, die ein mit dem Harz eingekapseltes Fotohalbleiter-Element enthält, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Fotohalbleiter-Einrichtung, das die Stufen umfasst: Aufbringen des Harzes auf ein Fotohalbleiter-Element und Erhitzen des Harzes. Durch das Harz ist es möglich, bei dem Fotohalbleiter-Element die Helligkeit hoch zu halten, wenn es sich dabei um ein Licht emittierendes Element handelt, und eine hohe Fotodetektor-Empfindlichkeit aufrechtzuerhalten, wenn es sich dabei um einen Fotodetektor handelt, und es ermöglicht auch das leichte Einkapseln des Fotohalbleiter-Elements.
    公开号:DE102004005524A1
    申请号:DE102004005524
    申请日:2004-02-04
    公开日:2004-08-12
    发明作者:Yuji Ibaraki Hotta；Naoki Ibaraki Sadayori；Kazuki Ibaraki Uwada
    申请人:Nitto Denko Corp；
    IPC主号:C08G18-02
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung beziehtsich auf ein Harz zum Einkapseln eines Fotohalbleiterelements, auf eineFotohalbleitereinrichtung, die ein Fotohalbleiterelement, das indas Harz eingekapselt ist, umfasst, sowie auf ein Verfahren zurHerstellung der Einrichtung.
    [0002] Epoxyharz-Zusammensetzungen, dieeine Kombination aus einem Epoxyharz (Einkapselungsharz), wie z.B.einem Bisphenol A-Epoxyharz oder einem alicyclischen Epoxyharz,und einem Säureanhydrid-Härter umfassen,wurden bisher allgemein als Einkapselungsmaterialien für Fotohalbleiterelemente,wie z.B. Licht emittierende Elemente und Fotodetektoren, verwendet.Der Grund war der, dass die Einkapselungsmaterialien eine ausgezeichneteTransparenz, Feuchtigkeitsbeständigkeitund Wärmebeständigkeitaufweisen sollten. Verschiedene Fotohalbleitereleinrichtungen, diedurch Einkapseln von Fotohalbleiterelelementen mit solchen Epoxyharz-Zusammensetzungenhergestellt werden, sind bekannt, wie beispielsweise in JP-A-11-168 235 (Seite 3, 1) und in JP-A-2000-49387 (Seite3, 1) beschrieben.
    [0003] Die Brechungsindices von Licht emittierendenElementen betragen in der Regel etwa 2 bis 5, während die Brechungsindicesvon Epoxyharzen fürdie Einkapselung etwa 1,5 betragen. Es besteht daher ein Unterschiedin Bezug auf den Brechungsindex zwischen den Elementen und den Harzen.
    [0004] Wegen dieses Unterschiedes trittbei konventionellen Fotohalbleitereinrichtungen (Licht emittierenden Dioden),die ein Licht emittierendes Element umfassen, das von einem Epoxyharzeingekapselt ist, an der Grenzflächezwischen dem Licht emittierenden Element und dem Einkapselungsharzeine Lichtreflexion auf. Infolgedessen nimmt die Lichtausbeute entsprechendab, was zu einer geringeren Helligkeit führt. Der Grad der Abnahme derHelligkeit steigt, wenn die Differenz in Bezug auf den Brechungsindexzwischen dem Licht emittierenden Element und dem Einkapselungsharzgrößer wird.
    [0005] Außerdem kann im Falle von Fotodetektoreneine großeDifferenz in Bezug auf den Brechungsindex zwischen dem Fotodetektorund dem Einkapselungsharz zu einer Verringerung der Fotodetektorempfindlichkeitführen.
    [0006] Bei der Einkapselung von Fotohalbleiter-Elementenmit Epoxyharzen wird jedoch im Allgemeinen ein Vergießen (Einbetten)eines flüssigenHarzes oder ein Transferformen eines flüssigen Harzes angewendet. DieseEinkapselungsmethoden erfordern jedoch die Verwendung einer Formund einer großenVorrichtung. Die Einkapselung durch Transferformen führt fernerzu dem Problem, dass eine überschüssige Mengedes Harzes in anderen Teilen als den Harzeinkapselungsteilen erforderlichist.
    [0007] Ein Ziel der vorliegenden Erfindungbesteht darin, ein Harz fürdie Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements bereitzustellen,mit dem das Fotohalbleiter-Element, das eingekapselt werden soll,so hergestellt werden kann, dass es eine höhere Helligkeit behält, wennes sich dabei um ein Licht emittierendes Element handelt, und daseine höhereFotodetektorempfindlichkeit behält,wenn es sich dabei um einen Fotodetek tor handelt, verglichen mitden konventionellen eingekapselten Fotohalbleiter-Elementen, und dasdie leichte und sehr wirtschaftliche Einkapselung des Fotohalbleiter-Elementsermöglicht.
    [0008] Ein weiteres Ziel der vorliegendeErfindung besteht darin, eine Fotohalbleiter-Einrichtung anzugeben, die ausgezeichneteEigenschaften aufweist und die ein Fotohalbleiter-Element enthält, dasin dem Harz eingekapselt ist.
    [0009] Noch ein weiteres Ziel der vorliegendeErfindung besteht darin, ein Verfahren zur hochwirksamen wirtschaftlichenHerstellung der Einrichtung anzugeben.
    [0010] Das Harz für die Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elementsgemäß der vorliegendenErfindung umfasst ein Polycarbodiimid der folgenden Formel (1): R1-N=C=N-(-R-N=C=N-)n-R1 (1)worin R1 füreinen Diisocyanat-Rest, R1 für einenMonoisocyanat-Rest und n füreine ganze Zahl von 1 bis 100 stehen.
    [0011] Die erfindungsgemäße Fotohalbleiter-Einrichtungumfasst ein Fotohalbleiter-Element, das in dem Harz für die Einkapselungeines Fotohalbleiter-Elements oder in einer Folie aus dem Harz eingekapseltist.
    [0012] Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellungeiner Fotohalbleiter-Einrichtung umfasst die Stufen: Aufbringeneines Harzes fürdie Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements oder einer Folieaus dem Harz auf ein Fotohalbleiter-Element und Erhitzen des Harzesoder der Harzfolie.
    [0013] 1 zeigteine Schnittansicht, die eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Fotohalbleiter-Einrichtungerläutert;
    [0014] 2 zeigteine Schnittansicht, die eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Fotohalbleiter-Einrichtungerläutert;und
    [0015] 3 zeigteine Schnittansicht, die noch eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Fotohalbleiter-Einrichtungerläutert.
    [0016] In den beiliegenden Zeichnungen habendie Ziffern die folgenden Bedeutungen:
    [0017] Die vorliegende Erfindung wird nachstehendnäher erläutert.
    [0018] Das Harz zur Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements(nachstehend als "Einkapselungsharz" bezeichnet) dervorliegenden Erfindung umfasst ein Polycarbodiimid, dargestelltdurch die vorstehend angegebene Formel (1). Die Einkapselung einesFotohalbleiter-Elements wird erzielt durch Bedecken des Fotohalbleiter-Elementsmit einem Einkapselungsharz und Aushärten des Harzes. Das nach demAushärtendes Einkapselungsharzes erhaltene gehärtete Harz weist einen höheren Brechungsindexauf als die konventionellen Epoxyharze, die in großem Umfangals Einkapselungsharze verwendet werden. Die Differenz in Bezugauf den Brechungsindex zwischen diesem gehärteten Harz und dem Fotohalbleiter-Elementkann somit gering sein. Infolgedessen kann im Vergleich zu den konventionellenEinkapselungsharzen das erfindungsgemäße Einkapselungsharz bewirken,dass das eingekapselte Fotohalbleiter-Element eine hohe Helligkeitoder eine hohe Fotodektorempfindlichkeit behält.
    [0019] Das zu verwendende Einkapselungsharzkann beispielsweise in Form einer Folie vorliegen. Bei Verwendungdieses Harzes in Folienform könnenFotohalbleiter-Elementeleicht eingekapselt werden, ohne dass eine Form oder eine große Apparaturerforderlich ist, wie sie bisher erforderlich war. Da bei Verwendungder Folie gerade die erforderliche Menge für die Einkapselung ausreicht,wird außerdemeine Materialverschwendung vermieden. Vom Standpunkt der Wirtschaftlichkeitaus betrachtet ist die Verwendung eines Harzes in Folienform daherausgezeichnet.
    [0020] Das Polycarbodiimid, welches dasEinkapselungsharz umfasst, wird erhalten, indem man ein oder mehrDiisocyanate einer Kondensationsreaktion unterwirft und die Endendes Polymers mit einem Monoisocyanat blockiert.
    [0021] In der Formel (1) steht R für einenRest des Diisocyanats, das als Ausgangsmaterial verwendet wird, undR1 steht für einen Rest des Monoisocyanats,das als weiteres Ausgangsmaterial verwendet wird. Das Symbol n stehtfür eineganze Zahl von 1 bis 100.
    [0022] Das Diisocyanat und das Monoisocyanat,die als Ausgangsmaterialien verwendet werden, können entweder aromatisch oderaliphatisch sein. Das Diisocyanat und das Monoisocyanat können jeweilsbestehen nur aus einem oder mehren aromatischen Isocyanaten odernur aus einem oder mehreren aliphatischen Isocyanaten oder sie können eineKombination aus einem aromatischen Isocyanat und einem aliphatischenIsocyanat umfassen. Vom Standpunkt der Erzielung eines Einkapselungshar zes,das ein gehärtetesHarz mit einem höherenBrechungsindex ergibt, aus betrachtet, werden aromatische Isocyanatebevorzugt verwendet. Es ist nämlichbevorzugt, dass mindestens eine der beiden Komponenten Diisocyanatund Monoisocyanat ein aromatisches Isocyanat umfassen sollte, oderaus einem oder mehreren aromatischen Isocyanaten bestehen sollteoder dass jede der Komponenten Diisocyanat und Monoisocyanat auseinem oder mehreren aromatischen Isocyanaten bestehen sollte. Unterdiesen ist eine Ausführungsformbesonders bevorzugt, in der das Diisocyanat eine Kombination auseinem aliphatischen Isocyanat und einem aromatischen Isocyanat umfasst unddas Monoisocyanat aus einem oder mehreren aromatischen Isocyanatenbesteht. Eine Ausführungsform, beider das Diisocyanat und das Monoisocyanat jeweils aus einem odermehren aromatischen Isocyanaten bestehen, ist besonders bevorzugt.
    [0023] Zu Beispielen für erfindungsgemäß verwendbareDiisocyanate gehörenHexamethylendiisocyanat, Dodecamethylendiisocyanat, 2,2,4-Trimethylhexamethylendiisocyanat,4,4'-Dichlorohexylmethan-diisocyanat, Xylyloldiisocyanat,Tetramethylxylylol-diisocyanat, Isophoron-diisocyanat, Cyclohexyl-diisocyanat,Lysin-diisocyanat, Methylcyclohexan-2,4'-diisocyanat, 4,4'-Diphenylmethan-diisocyanat, 4,4'-Diphenylether-diisocyanat, 2,6-Tolylen-diisocyanat,2,4-Tolylen-diisocyanat, Naphthalin-diisocyanat, 1-Methoxyphenyl-2,4-diisocyanat, 3,3'-Dimethoxy-4,4'-diphenylmethan-diisocyanat,4,4'-Diphenylether-diisocyanat,3,3'-Dimethyl-4,4'-diphenylether-diisocyanat,2,2-Bis[4-(4-isocyanatophenoxy)phenyl]hexafluoropropanund 2,2-Bis[4-(4-isocyanatophenoxy)phenyl]propan.
    [0024] Vom Standpunkt der Verwendung einesEinkapselungsharzes, das ein gehärtetesHarz mit einem hohen Brechungsindex ergibt und eine leichte Kontrolledes Brechungsindex erlaubt, aus betrachtet, ist es bevorzugt, mindestenseinen Vertreter aus der folgenden Gruppe zu verwenden: Tolylen-diisocyanat,4,4'-Diphenylmethan-diisocyanat und Naphthalin-diisocyanat.Naphthalin-diisocyanat wird besonders bevorzugt verwendet.
    [0025] Diese Diisocyanate können alleinoder in Form einer Mischung von zwei oder mehr derselben verwendetwerden.
    [0026] Die als Ausgangsmaterial verwendetenein oder mehrere Diisocyanate umfassen vorzugsweise ein oder mehraromatische Diisocyanate in einer Menge von vorzugsweise 10 Mol-%oder mehr (Obergrenze 100 Mol-%) pro mol aller Diisocyanate. DieseDiisocyanate sind zweckmäßig dieoben als bevorzugte Beispiele aufgezählten Diisocyanate.
    [0027] Zu Beispielen für die erfindungsgemäß verwendbarenMonoisocyanate gehörenCyclohexylisocyanat, Phenylisocyanat, p-Nitrophenylisocyanat, p-und m-Tolylisocyanate, p-Formylphenyl-isocyanat, p-Isopropylphenyl-isocyanatund 1-Naphthyl-isocyanat.
    [0028] Bevorzugte Monoisocyanate sind aromatischeMonoisocyanate, weil aromatische Monoisocyanate miteinander nichtreagieren und die endständigeBlockierung eines Polycarbodiimids mit einem solchen Monoisocyanatwirksam abläuft.Es ist besonders bevorzugt, 1-Naphthyl-isocyanat zu verwenden.
    [0029] Diese Monoisocyanate können einzelnoder in Form einer Mischung von zwei oder mehr derselben verwendetwerden.
    [0030] Die Menge des für die endständige Blockierung verwendetenMonoisocyanats liegt vorzugsweise in dem Bereich von 1 bis 10 molpro 100 mol des verwendeten Diisocyanat-Bestandteils. Die Verwendungdes Monoisocyanat-Bestandteils in einer Menge von 1 mol oder mehrpro 100 mol Diisocyanat-Bestandteil ist aus den folgenden Gründen bevorzugt.Es wird verhindert, dass das so erhaltene Polycarbodiimid ein zuhohes Molekulargewicht hat oder einer Vernetzungsreaktion unterliegt.Deshalb erfährtdie Polycarbodiimid-Lösung beispielsweiseweder einen Viskositätsanstiegnoch eine Verfestigung noch eine Verringerung der Lagerbeständigkeit.Die Verwendung des Monoisocyanat-Bestandteils in einer Menge von10 mol oder weniger auf 100 mol des Diisocyanat-Bestandteils istbevorzugt, weil die Polycarbodiimid- Lösungeine mittlere Viskositäthat und daraus beispielsweise durch Aufbringen und Trocknen derLösungin Form eines Films ein zufriedenstellender Film hergestellt werdenkann. Wenn die Enden des Polycarbodiimids durch ein Monoisocyanatblockiert werden, das in einer Menge innerhalb des oben angegebenenBereiches liegt, bezogen auf die Menge des Diisocyanat-Bestandteils,dann weist die Lösungdieses Polycarbodiimids eine besonders hohe Lagerbeständigkeitauf.
    [0031] Das Polycarbodiimid kann hergestelltwerden durch Umwandlung eines oder mehrerer der als Ausgangsmaterialverwendeten Diisocyanate in ein Carbodiimid durch eine Kondensationsreaktionin einem gegebenen Lösungsmittelin Gegenwart eines Katalysators für die Carbodiimid-Bildung unddurch Blockierung der Enden des resultierenden Carbodiimidpolymersmit einem Monoisocyanat.
    [0032] Die Diisocyanat-Kondensationsreaktionwird bei einer Temperatur im Allgemeinen von 0 bis 150°C, vorzugsweisevon 10 bis 120 °C,durchgeführt.
    [0033] Wenn ein aliphatisches Diisocyanatund ein aromatisches Diisocyanat in Kombination als Diisocyanat-Ausgangsmaterialverwendet werden, ist es bevorzugt, die Diisocyanate bei niedrigerTemperatur reagieren zu lassen. Die Reaktionstemperatur beträgt vorzugsweise0 bis 50 °C,besonders bevorzugt 10 bis 40 °C. DieAnwendung einer Reaktionstemperatur in diesem Bereich ist bevorzugt,weil die Kondensation des aliphatischen Diisocyanats mit dem aromatischenDiisocyanat in ausreichendem Maßeabläuft.
    [0034] Wenn ein Überschuss an aromatischem Diisocyanatin der Reaktionsmischung vorliegt, ist es erwünscht, dass dieser mit demPolycarbodiimid, das aus einem aliphatischen Diisocyanat und einemaromatischen Diisocyanat gebildet worden ist, weiter umgesetzt wird,wobei die Reaktionstemperatur vorzugsweise 40 bis 150 °C, besondersbevorzugt 50 bis 120 °C,beträgt.So lange die Reaktionstemperatur innerhalb dieses Bereiches liegt,kann jedes gewünschteLösungsmittelzur glatten Durchführungder Reaktion verwendet werden. Dieser Reaktionstemperaturbereichist daher bevorzugt.
    [0035] Die Diisocyanat-Konzentration inder Reaktionsmischung beträgtvorzugsweise 5 bis 80 Gew.-%. So lange die Diisocyanat-Konzentrationinnerhalb dieses Bereiches liegt, läuft die Carbodiimid-Bildungin ausreichendem Maßeab und die Reaktion ist leicht zu kontrollieren. Dieser Diisocyanat-Konzentrationsbereichist daher bevorzugt.
    [0036] Die terminale Blockierung (Blockierungder Endstellen) mit einem Monoisocyanat kann erzielt werden durchZugabe des Monoisocyanats zu der Reaktionsmischung in einer Anfangsstufe,in einer mittleren Stufe oder in einer Endstufe der Carbodiimid-Bildung aus dem (den)Diisocyanat(en) oder währendder gesamten Carbodiimid-Bildung.Dieses Monoisocyanat ist vorzugsweise ein aromatisches Monoisocyanat.
    [0037] Als Katalysator für die Carbodiimid-Bildung können zweckmäßig allekonventionellen Phosphorverbindungs-Katalysatoren verwendet werden.Zu Beispielen füreinen verwendbaren Katalysator gehören Phospholenoxide wie 1-Phenyl-2-phospholen-1-oxid, 3-Methyl-2-phospholen-1-oxid,1-Ethyl-2-phospholen-1-oxid, 3-Methyl-1-phenyl-2-phospholen-1-oxid und die 3-Phospholen-Isomerenderselben.
    [0038] Das Lösungsmittel (organische Lösungsmittel),das fürdie Herstellung des Polycarbodiimids verwendet wird, ist ein konventionellesLösungsmittel.Zu Beispielen fürgeeignete Lösungsmittelgehörenhalogenierte Kohlenwasserstoffe, wie Tetrachloroethylen, 1,2-Dichloroethanoder Chloroform, Keton-Lösungsmittel,z.B. Aceton, Methylethylketon, Methylisobutylketon oder Cyclohexanon,cyclische Ether-Lösungsmittel,z.B. Tetrahydrofuran oder Dioxan, und aromatische Kohlenwasserstoff-Lösungsmittel,z.B. Toluol oder Xylol. Diese Lösungsmittelkönnenallein oder in Form einer Mischung von zwei oder mehr derselbenverwendet werden. Diese Lösungsmittelkönnenauch zum Auflösendes erhaltenen Polycarbodiimids verwendet werden.
    [0039] Der Endpunkt der Reaktion kann durchInfrarotspektroskopie (IR-Analyse) bestimmt werden anhand des Auftretenseiner Absorption, die der Carbodiimid-Struktur (N=C=N) (2 140 cm-1) zuzuschreiben ist, und anhand des Auftretenseiner Absorption, die den Isocyanaten (2 280 cm-1)zuzuschreiben ist.
    [0040] Nach Beendigung der Carbodiimid-Bildungsreaktionerhältman in der Regel ein Polycarbodiimid in Form einer Lösung. Dieerhaltene Lösungkann jedoch in ein schlechtes Lösungsmittel,wie z.B. Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol oder Hexan, gegossenwerden, um das Polycarbodiimid auszufällen und die nicht-umgesetztenMonomeren und den Katalysator zu entfernen.
    [0041] Bei der Herstellung einer Lösung desPolycarbodiimids, das als Niederschlag abgetrennt worden ist, wirdder Niederschlag gewaschen und auf gegebene Weise getrocknel unddann erneut in einem organischen Lösungsmittel aufgelöst. Wennman auf diese Weise arbeitet, kann die Polycarbodiimid-Lösung eineverbesserte Lagerbeständigkeitaufweisen.
    [0042] Wenn die Polycarbodiimid-Lösung Nebenprodukteenthält,kann die Lösungbeispielsweise durch adsorptive Entfernung der Nebenprodukte miteinem geeigneten Adsorbens gereinigt werden. Zu Beispielen für geeigneteAdsorbentien gehörenAluminiumoxid-Gel, Silicagel, Aktivkohle, Zeolithe, aktiviertesMagnesiumoxid, aktivierter Bauxit, Fuller-Erde, aktivierter Tonund Molekularsieb-Kohlenstoff. Diese Adsorbentien können alleinoder in Form einer Kombination von zwei oder mehr derselben verwendetwerden. Nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren erhält man daserfindungsgemäße Polycarbodiimid.Vom Standpunkt der Fähigkeit desEinkapselungsharzes, ein gehärtetesHarz mit einem höherenBrechungsindex zu ergeben, aus betrachtet, ist das Polycarbodiimidvorzugsweise ein solches, in dem die Struktur der Hauptkette bestehtaus aromatischen und aliphatischen Diisocyanaten und die Enden derKette durch ein aromatisches Monoisocyanat blockiert sind. Ein besondersbevorzugtes Polycarbodiimid ist ein solches, in dem die Hauptkettenstrukturaus einem oder mehreren aromatischen Diisocyanaten besteht und dieEnden durch ein aromatisches Monoisocyanat blockiert sind.
    [0043] Insbesondere ist das Polycarbodiimidvorzugsweise ein solches, bei dem die Struktur der Hauptketten auseinem oder mehreren aromatischen Diisocyanaten besteht und die Endenmit einem aromatischen Monoisocyanat blockiert sind.
    [0044] Insbesondere ist das Polycarbodiimidvorzugsweise ein solches, bei dem 10 Mol-% oder mehr (Obergrenze100 Mol-%) der Diisocyanat-Reste, dargestellt durch R in der Formel(1), Reste von einem oder mehren aromatischen Diisocyanaten sindund die Monoisocyanat-Reste, dargestellt durch R1 inder Formel (1), Reste von einem oder mehren aromatischen Monoisocyanatensind. Die aromatischen Diisocyanat-Reste sind vorzugsweise Restevon mindestens einem Vertreter, ausgewählt aus der Gruppe, die bestehtaus Tolylendiisocyanat, 4,4'-Diphenylmethandiisocyanatund Naphthalindiisocyanat, und besonders bevorzugt sind Naphthalindiisocyanat-Reste.Die aromatischen Monoisocyanat-Rest sind vorzugsweise 1-Naphthylisocyanat-Reste.
    [0045] Die Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elementswird erzielt durch Bedecken des Fotohalbleiter-Elements mit demerfindungsgemäßen Einkapselungsharzund Aushärtendes Harzes. Der Brechungsindex des mit dem Einkapselungsharz erhaltenenausgehärtetenHarzes beträgtvorzugsweise 1,70 oder mehr, besonders bevorzugt 1,70 bis 1,85.Dieser Brechungsindex kann nach dem Verfahren gemessen werden, wiees in dem weiter unten folgenden Beispiel 1 beschrieben ist. DerBrechungsindex des gehärtetenHarzes kann auf den gewünschtenWert eingestellt werden durch geeignete Auswahl der Arten und Mengender Komponenten des das Einkapselungsharz aufbauenden Polycarbodiimidsund dgl. Die Gelierungszeit des Einkapselungsharzes unterliegt keinerspeziellen Beschränkung.Die Gelierungszeit desselben, gemessen bei 150 °C, betägt jedoch vorzugsweise 0,1bis 5 min, besonders bevorzugt 0,1 bis 1 min. Der lineare Ausdehnungskoeffizient desdurch Aushärtendes Einkapselungsharzes durch Erhitzen auf 100 bis 225 °C für 3 bis300 min erhaltenen gehärtetenHarzes unterliegt keiner speziellen Beschränkung. Der lineare Ausdehnungskoeffizientdesselben beträgtjedoch vorzugsweise 7 × 10-6 bis 1 × 10-4,besonders bevorzugt 1,2 × 10-5 bis 6 × 10-5. Wenn das Einkapselungsharz eine Gelierungszeitaufweist, die auf einen Wert innerhalb dieses Bereiches eingestelltist, ist die Formgebungsausbeute verbessert. Insbesondere ist eineVerkürzungder Aushärtungszeitmöglich.Wenn das gehärteteHarz einen linearen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der auf einenWert innerhalb dieses Bereiches eingestellt ist, kann verhindertwerden, dass das gehärteteHarz und das Fotohalbleiter-Element durch Spannung indizierte Defekte,wie z.B. Risse, entwickeln. Die Gelierungszeit wird gemessen aufeiner heißenPlatte unter Anwendung eines konventionellen Verfahrens. Der lineareAusdehnungskoeffizient wird durch thermomechanische Analyse (TMA)bestimmt.
    [0046] Das Einkapselungsharz kann beispielsweisenach dem folgenden Verfahren zu einer Folie geformt werden: EineLösungdes Polycarbodiimids wird zu einem Film mit einer geeigneten Dickeunter Anwendung eines bekannten Verfahrens, beispielsweise durchVergießen,Schleuderbeschichten oder Walzenbeschichten, geformt. Der resultierendeFilm (Folie) wird in der Regel bei einer Temperatur getrocknet,die erforderlich ist fürdie Entfernung des Lösungsmittels.Der Film wird nämlichbei einer Temperatur getrocknet, die vorzugsweise auf 20 bis 350 °C, besondersbevorzugt auf 50 bis 200 °C,eingestellt wird, um so den Film zu trocknen, ohne dass bewirktwird, dass eine Aushärtungsreaktionabläuft.Trocknungstemperaturen von 20 °Coder höhersind bevorzugt, weil die durch Trocknen bei einer solchen Temperaturerhaltene Folie kein restliches Lösungsmittel enthält und einehohe Zuverlässigkeitaufweist. Andererseits sind Trocknungstemperaturen bei 350 °C oder niedrigerbevorzugt, weil die Folie ausreichend getrocknet werden kann, während einethermische Aushärtungverhindert wird. Die Trocknungszeit beträgt vorzugsweise 0,5 bis 10min, besonders bevorzugt 0,5 bis 3 min. Die Dicke der Einkapselungsharzfoliebeträgtvorzugsweise 25 bis 500 μm,besonders bevorzugt 50 bis 300 μm,vom Standpunkt der Bequemlichkeit der Verwendung aus betrachtet.
    [0047] Zu Beispielen für die erfindungsgemäße Fotohalbleiter-Einrichtung,die ein mit dem vorstehend beschriebenen Einkapselungsharz eingekapseltesFotohalbleiter-Element umfasst, gehören Fotohalbleiter-Einrichtungen(Licht emittierende Dioden), wie z.B. die Einrichtungen, wie siein den 1 bis 3 dargestellt sind. Die Fotohalbleiter-Einrichtung und dieVerfahren zur Herstellung der Einrichtung werden nachstehend unter Bezugnahmeauf diese Fotohalbleiter-Einrichtungen als Beispiele erläutert.
    [0048] Die in den 1 und 2 dargestelltenFotohalbleiter-Einrichtungen sind Einrichtungsbeispiele, bei denendie Verwendung einer Einkapselungsharz-Folie geeignet ist für die Einkapselungeines Licht emittierenden Elements. Andererseits ist die in 3 dargestellte Fotohalbleiter-Einrichtungein Einrichtungsbeispiel, bei dem die Verwendung deiner Lösung desEinkapselungsharzes zweckmäßig ist.
    [0049] Die in der 1 dargestellte Fotohalbleiter-Einrichtungumfasst ein Substrat 2 mit einem gegebenen Schaltungsmuster 1 undeinem Licht emittierenden Element 3, das auf dem Substrat 2 angeordnetist. Eine reflektierende Schicht 4, die eine Schicht auseinem Metall, wie z.B. Gold, umfasst, ist auf die gesamte Unterseitedes Licht emittierenden Elements 3 aufgebracht. Das Lichtemittierende Element 3 steht in elektrischer Verbindungmit dem Schaltungsmuster 1 des Substrats 2 durchGold- oder Lötmittel-Anschlüsse 5 mittelseiner Flip-Chip-Bindung. Die Einrichtung weist ferner eine isolierendeUnterfüllungs-Harzschicht 6 auf,die den Zwischenraum zwischen den Elektroden des Licht emittierendenElements 3 dicht ausfüllt.Das verwendete Füllungsharzunter dem Chip ist beispielsweise ein Epoxyharz oder das erfindungsgemäße Einkapselungsharz. Außerdem istdas Licht emittierende Element 3 vollständig eingekapselt und mit einemHarz-Einkapselungsmittel 7 geschützt. Dieses Harz-Einkapselungsmittel 7 entsprichteinem gehärtetenHarz, das aus der Einkapselungsharz-Folie der Erfindung hergestelltworden ist.
    [0050] Andererseits ist die in 2 dargestellte Fotohalbleiter-Einrichtungeine so genannte Licht emittierende Dioden-Anordnung, die Lichtemittierende Elemente umfasst, die in einem Harz-Einkapselungsmittel 8 eingekapseltsind, wobei die eingekapselten Licht emittierenden Elemente aufeinem Substrat 9 als Aufbau-Einheiten angeordnet sind,die jeweils aus der in 1 dargestelltenFotohalbleiter-Einrichtung bestehen. In dieser Figur entsprichtdas Harz-Einkapselungsmittel 8 einem gehärteten Harz,das aus der erfindungsgemäßen Einkapselungsharzfoliehergestellt worden ist. In der 2 isteine Aufbau-Einheit der in 1 dargestellten Fotohalbleiter-Einrichtungdurch gestrichelte Linien dargestellt.
    [0051] Die in den 1 und 2 dargestelltenFotohalbleiter-Einrichtungen könnenbeispielsweise nach dem Verfahren zur Herstellung einer Fotohalbleiter-Einrichtunghergestellt werden, wie es in JP-A-11-168 235 beschrieben ist. Bei diesenVerfahren zur Herstellung einer Fotohalbleiter-Einrichtung, wiesie in dem Dokument beschrieben ist, werden ein oder mehr Lichtemittierende Elemente in Harz-Einkapselungsmittel 7 und 8 eingekapselt,die aus einem üblicherweiseverwendeten Einkapselungsharz, beispielsweise einem Epoxyharz, hergestelltsind. Erfindungsgemäß werdenjedoch optische Elemente mit dem erfindungsgemäßen Einkapselungsharz eingekapselt.
    [0052] Die Einkapselung eines oder mehrererLicht emittierender Elemente, die auf einem Substrat angeordnetsind, mit der erfindungsgemäßen Einkapselungsharzfolie,kann beispielsweise durchgeführtwerden, indem man die Einkapselungsharzfolie mit einer Größe, dieausreicht, um die Elemente zu bedecken und die für die Form der Elemente geeignetist, auf die Elemente auflegt und dann die Harzfolie erhitzt unddurch Pressen bindet. Die Erhitzungs-Pressbindung kann beispielsweiseunter solchen Bedingungen durchgeführt werden, dass die Harzfolieetwa 40 s lang unter Pressen mit einem Druck von etwa 0,2 MPa oderweniger auf eine Temperatur von 180 °C bis 220 °C und danach etwa 1 h lang aufetwa 120 bis 180 °Cerhitzt wird. Die Einkapselungsharzfolie härtet durch dieses Erhitzen/Pressbindenaus. Als Folge davon erhältman als Endprodukt eine Fotohalbleiter-Einrichtung, in der die Lichtemittierenden Elemente in dem gehärteten Harz eingekapselt sind.
    [0053] In der so hergestellten Fotohalbleiter-Einrichtunghat das Einkapselungsharz, welches das aus dem erfindungsgemäßen Einkapselungsharzgebildete gehärteteHarz umfasst, einen höherenBrechungsindex als die Harzeinkapselungsmittel, die aus den konventionellenEinkapselungsharzen, wie z.B. Epoxyharzen, hergestellt sind. Deswegenist der Unterschied in Bezug auf den Brechungsindex (Absolutwert)zwischen dem Einkapselungsharz und jedem Licht emittierenden Elementgering. Als Folge davon wird die Helligkeit der Licht emittierendenElemente im Vergleich zu den konventionellen Elementen hoch gehalten.
    [0054] Die in der 3 dargestellte Fotohalbleiter-Einrichtungweist ein Paar von elektrisch leitenden Elementen auf, die umfasseneinen Leiter- bzw. Bleirahmen 11, der ein Fixierungsteil 10 (Befestigungselement) anseinem oberen Ende aufweist, und einen Leiter- bzw. Bleirahmen 12 undaußerdemweist sie ein Licht emittierendes Element 13 auf, das aufdem Befestigungsteil 10 angeordnet ist. Das Licht emittierendeElement 13 ist mit einer elektrisch leitenden Paste 14 andas Befestigungsteil 10 gebunden und steht in elektrischerVerbindung mit dem Leiter- bzw. Bleirahmen 11 mittels derPaste 14. Das Licht emittierende Element steht außerdem inVerbindung mit dem Leiter- bzw. Bleirahmen 12 durch Verbindenmittels eines Drahtes 15. Das Licht emittierende Element 13 isteingekapselt in und geschütztdurch eine äußere Harzschicht 16 auseinem Epoxyharz, das Befestigungsteil 10 mit Ausnahme seinerInnenseite ist in dieser Harzschicht 16 eingebettet. Diese Harzschicht 16 fungiertauch als eine Linse. Das Innere des Befestigungsteils 10 istmit einer inneren Harzschicht 17 gefüllt, in welche das Licht emittierendeElement 13 eingekapselt ist. Diese innere Harzschicht 17 entsprichteinem gehärtetenHarz, das aus dem erfindungsgemäßen Einkapselungsharzhergestellt ist.
    [0055] Die in der 3 dargestellte Fotohalbleiter-Einrichtungkann beispielsweise nach dem Verfahren zur Herstellung einer Fotohalbleiter-Einrichtunghergestellt werden, wie es in JP-A-2000-49387 beschrieben ist. Bei dem indiesem Dokument beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Fotohalbleiter-Einrichtungwird das Licht emittierende Element 13 in eine innere Harzschicht 17 eingekapselt,die aus einem Harz besteht, das erhalten wurde durch Umsetzung beispielsweisevon m-Xylyloldiisocyanat mit 4-Mercaptomethyl-3,6-dithia-1,8-octandithiol.Erfindungsgemäß wird jedochdas erfindungsgemäße Einkapselungsharzverwendet zur Einkapselung des Licht emittierenden Elements 13.
    [0056] Die Einkapselung des Licht emittierendenElements mit dem erfindungsgemäßen Einkapselungsharz kannbeispielsweise erzielt werden durch Auftropfen einer Lösung desEinkapselungsharzes auf das Licht emittierende Element 13,das auf dem Befestigungsteil 10 (Potting) befestigt ist,um dadurch das Harz auf das Element 13 aufzubringen, undanschließendesErhitzen und Aushärtendes Harzes. Das Erhitzen kann beispielsweise unter solchen Bedingungendurchgeführtwerden, dass das Harz etwa 40 s lang auf eine Temperatur von 180bis 220 °Cund dann etwa 1 h lang auf 120 bis 180 °C erhitzt wird. Anschließend wirddieses Licht emittierende Element 13 in die äußere Harzschicht 16 eingekapselt.Als Folge davon erhältman als Endprodukt die Fotohalbleiter-Einrichtung.
    [0057] In der so hergestellten Fotohalbleiter-Einrichtungist die Differenz in Bezug auf den Brechungsindex (Absolutwert)zwischen dem Licht emittierenden Element und der inneren Harzschichtgeringer als fürden Fall, dass das Licht emittierende Element direkt in die äußere Harzschichtaus einem Epoxyharz eingekapselt ist. Außerdem ist auch die Differenzin Bezug auf den Brechungsindex (Absolutwert) zwischen der innerenHarzschicht und der äußeren Harzschichtgering. Daher kann das von dem Licht emittierenden Element emittierte Lichteine verminderte Gesamtreflexion aufweisen, bevor es aus der Oberfläche der äußeren Harzschichtaustritt. Als Folge davon wird die Helligkeit des Licht emittierendenElements hoch gehalten.
    [0058] Zu Beispielen für Licht emittierende ElementegehörenGaAlAs (rot), AlInGaP (gelb und grün), InGaN (gelb, grün, blauund ultraviolett), GaP (grün)und SiC (blau).
    [0059] Die erfindungsgemäße Fotohalbleiter-Einrichtungwird nach den vorstehend beschriebenen Verfahren erhalten. Infolgedessenbetrifft die vorliegende Erfindung gemäß einem ihrer Aspekte auchein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Fotohalbleiter-Einrichtung,das die Stufen umfasst: Aufbringen des Einkapselungsharzes oderder Einkapselungsharzfolie gemäß der vorliegendenErfindung auf ein Fotohalbleiter-Element und Erhitzen des Harzesoder der Harzfolie.
    [0060] Das erfindungsgemäße Fotohalbleiter-Element weistbeispielsweise eine ausgezeichnete Helligkeit der Licht emittierendenElemente auf, verglichen mit konventionellen Fotohalbleiter-Einrichtungen.Außerdem kannnach dem erfindungsgemäßen Verfahrenzur Herstellung der Fotohalbleiter-Einrichtung die erfindungsgemäße Fotohalbleiter-Einrichtungauf hochwirksame (hochwirtschaftliche) Weise hergestellt werden.
    [0061] Die vorliegende Erfindung wird unterBezugnahme auf die nachfolgenden Beispiele näher erläutert, es sei jedoch daraufhingewiesen, dass sie auf diese Beispiele nicht beschränkt ist.
    [0062] In den folgenden Beispielen wurdenalle Synthesereaktionen in einem Stickstoffstrom durchgeführt. EineIR-Analyse wurde durchgeführtmit FT/IR-230 (hergestellt von der Firma JEOL Ltd.).
    [0063] Ein Polycarbodiimid wurde auf dienachstehend beschriebene Weise hergestellt: 29,89 g (171,6mmol) Tolylendiisocyanat (ein Isomeren-Gemisch; T-80, hergestelltvon der Firma Mitsui-Takeda Chemical), 94,48 g (377,52 mmol) 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat,64,92 g (308,88 mmol) Naphthalindiisocyanat und 184,59 g Toluolwurden in einen mit einem Rührer,einem Tropftrichter, einem Rückflusskühler undeinem Thermometer ausgestatteten 500 ml Vierhalskolben eingeführt unddarin durchmischt.
    [0064] 8,71 g (51,48 mmol) 1-Naphthylisocyanatund 0,82 g (4,28 mmol) 3-Methyl-1-phenyl-2-phospholen-2-oxid wurden in den Kolbengegeben. Die resultierende Mischung wurde unter Rühren auf100 °C erhitzt unddann 2 h lang bei dieser Temperatur gehalten.
    [0065] Das Fortschreiten der Reaktionenwurde durch IR-Analyse überwacht.Insbesondere wurden die Abnahme der Absorptionsmenge durch die N-C-O-Streckschwingungen,die auf die Isocyanate (2 280 cm-1) zurückzuführen sind,und die Zunahme der Absorption durch N=C=N-Streckschwingungen, dieauf Carbodiimid (2 140 cm-1) zurückzuführen sind,verfolgt. Nachdem der Endpunkt jeder Reaktion durch IR-Analyse festgestelltworden war, wurde die Reaktionsmischung auf Raumtemperatur abgekühlt. Aufdiese Weise erhielt man eine Polycarbodiimid-Lösung, d.h. eine Lösung einesEinkapselungsharzes. In diesem Polycarbodiimid waren 100 Mol-% derDiisocyanat-Reste aromatische Diisocyanat-Reste. Dieses Polycarbodiimidwird darge stellt durch die oben angegebene Formel (1), in der nin dem Bereich von 15 bis 77 liegt.
    [0066] Die so erhaltene Einkapselungsharz-Lösung wurdeauf einen Separator (Dicke: 50 μm)(hergestellt von der Firma Toray Industries, Inc.), hergestelltaus einem Poly(ethylenterephthalat)-Film, der mit einem Trennmittel(fluoriertem Silicon) behandelt worden war, aufgebracht. Dieser Überzug wurde1 min lang auf 130 °Cund dann 1 min lang auf 150 °Cerhitzt. Der Separator wurde entfernt, wobei man eine Einkapselungsharzfolie(Foliendicke 50 μm)erhielt.
    [0067] Die Einkapselungsharzfolie wurdeauf eine Größe von 1cm × 2cm zugeschnitten. Das dabei erhaltene Harzfolienstück wurdeausgehärtetdurch 40 s langes Erhitzen auf 200 °C und anschließendes 1-stündiges Erhitzenauf 150 °C.Das erhaltene ausgehärteteHarz wurde in Bezug auf seinen Brechungsindex unter Verwendung einesMultiwellenlängenAbbe-Refraktometers (DR-M4, hergestellt von der Firma ATAGO) bei25 °C und einerWellenlängevon 589 nm geprüft.Der Brechungsindex des gehärtetenHarzes betrug, wie gefunden wurde, 1,748. Wenn die Härtungsbedingungengeändertwurden, um das Harz 1 h lang bei 150 °C auszuhärten, dann hatte das auf dieseWeise erhaltene gehärteteHarz den gleichen Brechungsindex.
    [0068] Ein Polycarbodiimid wurde auf diefolgede Weise hergestellt: 89,01 g (355,68 mmol) 4,4'-Diphenylmethan-diisocyanat,24,92 g (118,56 mmol) Naphthalindiisocyanat, 44,87 g (266,76 mmol)Hexamethylen-diisocyanat und 216,56 g Toluol wurden in einen miteinem Rührer,einem Tropftrichter, einem Rückflusskühler und einemThermometer ausgestatteten 500 ml-Vierhalskolben eingeführt unddarin durchmischt.
    [0069] 7,52 g (44,46 mmol) 1-Naphthylisocyanatund 0,71 g (3,705 mmol) 3-Methyl-1-phenyl-2-phospholen-2-oxid wurden inden Kolben gegeben. Die resultierende Mi schung wurde 3 h lang bei25 °C gerührt, anschließend unterRührenauf 100 °Cerhitzt und dann 2 h lang bei dieser Temperatur gehalten.
    [0070] Nachdem der Endpunkt jeder Reaktiondurch IR-Analyse auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 festgestelltworden war, wurde die Reaktionsmischung auf Raumtemperatur abgekühlt. Aufdiese Weise erhielt man eine Polycarbodiimid-Lösung, d.h. eine Lösung einesEinkapselungsharzes. In diesem Polycarbodiimid waren 64 Mol-% derDiisocyanat-Reste aromatische Diisocyanat-Reste. Dieses Polycarbodiimidwird dargestellt die durch vorstehend angegebene Formel (1), inder n in dem Bereich von 15 bis 77 liegt.
    [0071] Die Einkapselungsharzlösung wurdeverwendet zur Herstellung einer Einkapselungsharzfolie (Foliendicke50 μm) aufdie gleiche Weise wie in Beispiel 1.
    [0072] Ein aus der Einkapselungsharzfolieerhaltenes gehärtetesHarz wurde in Bezug auf den Brechungsindex auf die gleiche Weisewie in Beispiel 1 untersucht. Als Ergebnis wurde gefunden, dassder Brechungsindex des gehärtetenHarzes 1,725 betrug.
    [0073] Die in den Beispielen 1 und 2 erhaltenenEinkapselungsharzfolien wurden verwendet zum Einkapseln von Lichtemittierenden Elementen, um dadurch Licht emittierende Dioden herzustellen,welche die gleiche Struktur wie die in 1 dargestellten hatten (Beispiele 3 und 4),und zur Herstellung von Licht emittierenden Dioden-Anordnungen,welche die gleiche Struktur wie die in 2 dargestellt hatten (Beispiele 5 und 6).Die Licht emittierenden Dioden-Anordnungen wiesen jeweils 10 Lichtemittierende Elemente auf.
    [0074] Als Licht emittierende Elemente wurdenInGaN Elemente verwendet, die blaues Licht emittieren. Beim Erhitzen/Pressbindenfür dieEinkapselung wurde jede Harzfolie unter einem Druck von 0,4 MPabei einer Temperatur von 200 °Cund füreine Zeit dauer von 40 s erhitzt und dann bei Atmosphärendruck,bei einer Temperatur von 150 °Cund füreine Dauer von 1 h weiter erhitzt.
    [0075] Die in den Beispielen 1 und 2 erhaltenenEinkapselungsharzlösungen(die Lösungen,die der Filmbildung unterworfen werden sollten) wurden jeweils verwendet,um ein Licht emittierendes Element durch Einbetten bzw. Vergießen (Trocknenbei 200 °Cfür 40s und anschließendesHärtenfür 1 hbei 150 °C)einzukapseln. Danach wurden die eingekapselten Elemente mit einemEpoxyharze (NT-8500, hergestellt von der Firma Nitto Denko Corporation)erneut eingekapselt (Einkapselung bei einer Formtemperatur von 150 °C und einen Druckvon 5 MPa füreine Formdauer von 4 min und anschließendes Aushärten für 1 h bei 150 °C), wodurch Lichtemittierende Dioden mit der gleichen Struktur wie in 3 dargestellt erhalten wurden(Beispiele 7 und 8). Ein aus dem Epoxyharz hergestelltes gehärtetes Harzwurde in Bezug auf seinen Brechungsindex auf die gleiche Weise wiein Beispiel 1 geprüft.Als Ergebnis wurde gefunden, dass sein Brechungsindex 1,55 betrug.
    [0076] Als Licht emittierende Elemente wurdenInGaN-Elemente verwendet.
    [0077] Als Einkapselungsharz zum Einkapselnvon Licht emittierenden Elementen und damit zur Herstellung einerLicht emittierenden Diode bzw. einer Licht emittierenden Dioden-Anordnungmit jeweils den gleichen Strukturen, wie sie in den 1 und 2 dargestelltsind, wurde ein Epoxyharz (NT-8500, hergestellt von der Firma NittoDenko Corporation) verwendet. Diese Licht emittierende Dioden-Anordnungwies 10 Licht emittierende Elemente auf. Eine Licht emittierendeDiode mit dem in 3 dargestelltenAufbau wurde auch erhalten, indem man zuerst ein Licht emittierendesElement mit einem Isocyanatharz einkapselte und dann das eingekapselteElement mit dem Epoxyharz einkapselte.
    [0078] Bei der Herstellung der Licht emittierendenDioden und der Licht emittierenden Dioden-Anordnung mit den in den 1 bis 3 dargestellten Strukturen wurde dieEin kapselung mit einem Epoxyharz durchgeführt durch Einkapseln jedesElements mit dem Harz bei einer Form-Temperatur von 150 °C und einemDruck von 5 MPa füreine Formzeit von 4 min und anschließendes Aushärten des Harze für 1 h bei150 °C.Ein gehärtetes Harz,das durch Aushärtendes Epoxyharzes unter diesen Bedingungen erhalten worden war, wurdein Bezug auf seinen Brechungsindex auf die gleiche Weise wie inBeispiel 1 geprüft.Als Ergebnis wurde gefunden, dass sein Brechungsindex 1,55 betrug.
    [0079] Die in den Beispielen 3 bis 8 undin den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 erhaltenen Licht emittierenden Diodenund Licht emittierenden Dioden-Anordnungen wurden unter Verwendungeines Helligkeitsmessers (Handelsname BM9, hergestellt von der FirmaTopcon) auf ihre Helligkeit geprüft.Für jedeLicht emittierende Dioden-Anordnung wurden alle Licht emittierendenElemente getrennt auf ihre Helligkeit geprüft und der Durchschnitt dergefundenen Werte wurde als Helligkeit für die Anordnung genommen. DieErgebnisse der Messung sind den Tabellen 1 und 2 angegeben.
    [0080] Die Ergebnisse in den Tabellen 1und 2 zeigen, dass die Licht emittierenden Dioden und die Lichtemittierenden Dioden-Anordnungen, die in den Beispielen 3 bis 8erhalten wurden, jeweils eine Helligkeit aufwiesen, die um etwa30 % höherwar als diejenige der Licht emittierenden Dioden und Licht emittierendenDioden-Anordnungen, die in den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 erhaltenwurden.
    [0081] Die vorliegende Erfindung betrifftein Einkapselungsharz, mit dem das Fotohalbleiter-Element, das eingekapseltwerden soll, beispielsweise ein Licht emittierendes Element, dazugebracht werden kann, dass es eine höhere Helligkeit aufweist alsdie konventionellen eingekapselten Licht emittierenden Elemente,und das eine leichte Einkapselung des Licht emittierenden Elementsermöglichtund sehr wirtschaftlich ist. Infolgedessen kann dieses Einkapselungsharzin großemUmfang zu den Verbesserungen der Eigenschaften bzw. Leistungen vonFotohalbleiter-Einrichtungen und zur Ausbeute bei ihrer Herstellungbeitragen.
    [0082] Es ist für den Fachmann auf diesem Gebietklar, dass verschiedene Änderungenin Bezug auf Form und Details der Erfindung, wie sie vorstehendbeschrieben und dargestellt ist, vorgenommen werden können. Esist klar, dass diese Änderungeninnerhalb des Geistes und Schutzbereiches der nachfolgenden Patentansprüche liegen.
    [0083] Die vorliegende Patentanmeldung basiertauf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2003-027 207, eingereichtam 4. Februar 2003, auf deren gesamten Inhalt hier Bezug genommenwird.
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] Harz fürdie Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements, das umfasst einPolycarbodiimid der folgenden Formel (1): R1-N=C=N-(-R-N=C=N-)n-R1 (1)worin Rsteht füreinen Diisocyanat-Rest, R1 steht für einenMonoisocyanat-Rest und n steht für eine ganze Zahl von 1 bis100.
    [2] Harz nach Anspruch 1, worin 10 Mol-% oder mehr derDiisocyanat-Reste aromatische Diisocyanat-Reste sind.
    [3] Harz nach Anspruch 1, worin die Diisocyanat-ResteReste mindestens eines Vertreters sind, der ausgewählt istaus der Gruppe, die besteht aus Tolylendiisocyanat, 4,4'-Diphenylmethandiisocyanatund Naphthalindiisocyanat.
    [4] Harz nach Anspruch 1, worin die Monoisocyanat-Restearomatische Monoisocyanat-Reste sind.
    [5] Harz nach Anspruch 4, worin die aromatischen Monoisocyanat-ResteReste von 1-Naphthylisocyanat sind.
    [6] Harz nach Anspruch 1, das in Form einer Folie vorliegt.
    [7] Fotohalbleiter-Einrichtung, die ein Fotohalbleiter-Elementumfasst, das mit einem Harz fürdie Einkapselung eines Fotohalbleiter-Elements eingekapselt ist,das umfasst ein Polycarbodiimid der folgenden Formel (1): R1-N=C=N-(-R-N=C=N-)nR1 (1) worin Rsteht füreinen Diisocyanat-Rest, R1 steht für einenMonoisocyanat-Rest und n steht füreine ganze Zahl von 1 bis 100.
    [8] Fotohalbleiter-Einrichtung nach Anspruch 7, in derdas Harz in Form einer Folie vorliegt.
    [9] Verfahren zur Herstellung einer Fotohalbleiter-Einrichtung,das die folgenden Stufen umfasst: Aufbringen eines Harzes für die Einkapselungeines Fotohalbleiter-Elements, das ein Polycarbodiimid der folgendenFormel (1) umfasst: R1-N=C=N-(-R-N=C=N-)n-R1 (1)worin Rsteht füreinen Diisocyanat-Rest, R1 steht für einenMonoisocyanat-Rest und n steht füreine ganze Zahl von 1 bis 100, auf ein Fotohalbleiter-Elementund Erhitzen des Harzes oder der Harzfolie.
    [10] Verfahren nach Anspruch 9, worin das Harz in Formeiner Folie vorliegt.
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    同族专利:
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    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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