Mos管驱动泄放电路

专利摘要:
本实用新型公开了一种MOS管驱动泄放电路，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端，驱动电源的负输出端连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极，驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。本实用新型适用于MOS管驱动和泄放电路中驱动电源与MOS管的漏极所连接电源地不是同一个的场合，电路简单，性能稳定，使用更加广泛。
公开号:CN214337793U
申请号:CN202022936631.8U
申请日:2020-12-10
公开日:2021-10-01
发明作者:陈绍源；何俐鹏；王敏
申请人:Shenzhen Weimu Technology Co ltd；
IPC主号:H02M1-32

专利说明:
[n0001] 本实用新型涉及MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种具有不同参考地的MOS管驱动泄放电路。
[n0002] 在设计MOS管的驱动电路时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的还要考虑MOSFET的本身一些参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路和泄放电路等，都会影响MOSFET的开关性能。好的MOS管驱动电路涉及以下几点：
[n0003] (1)开关驱动瞬间能够提供MOS管需要的驱动电流;
[n0004] (2)开关导通期间驱动电路能保证MOS管栅源极间电压保持稳定且可靠导通;
[n0005] (3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路，供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
[n0006] 因此MOS管的驱动泄放电路设计尤为重要，尤其在高速的MOS管开关电路中体现更明显。现阶段的MOS管驱动泄放电路主要以下几种：
[n0007] 1、单电阻泄放，电路简单但效果较差；
[n0008] 2、驱动IC的吸收，主要以驱动IC的性能为主，受制于驱动IC的性能；
[n0009] 3、电阻加二极管的方式泄放，电路相对简单，电流的泄放较慢。
[n0010] 目前现有的驱动的泄放电路都是在同一个电压平面中进行设计，如遇需要驱动电源与MOS管的漏极不是同一个电源地平台时就无法使用。
[n0011] 本实用新型提出一种MOS管驱动泄放电路以解决上述技术问题。
[n0012] 为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：
[n0013] 一种MOS管驱动泄放电路，用于待驱动MOS管的驱动和泄放，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，所述光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端，驱动电源的负输出端连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极，驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。
[n0014] 作为优选，所述驱动支路包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2，所述MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极，MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端，MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极，二极管D1的阴极连接电阻R1的一端，二极管D2的阴极连接电阻R2的一端，电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端，电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。
[n0015] 作为优选，所述泄放支路包括MOS管Q2和二极管D3，所述二极管D3的阳极为泄放支路的输入端，所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极，MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极，MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。
[n0016] 作为优选，所述的第一参考地和第二参考地为同一参考地。
[n0017] 作为优选，所述驱动电源的输出电压为12V。
[n0018] 与现有技术相比较，本实用新型适用于MOS管驱动和泄放电路中驱动电源与MOS管的漏极所连接电源地不是同一个的场合，电路简单，性能稳定，使用更加广泛。
[n0019] 图1为本实用新型一种MOS管驱动泄放电路的一种电路图。
[n0020] 以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
[n0021] 在本实用新型使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本实用新型。在本实用新型和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[n0022] 如图1所示，一种MOS管驱动泄放电路，用于待驱动MOS管的驱动和泄放，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端（P），驱动电源的负输出端（图中未画出）连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极（C_MG），驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极（P-）均连接至第二参考地。
[n0023] 这里，光耦U1用于隔离驱动；电感L1可防止自激干扰电平造成MOS管的非正常工作；驱动电源的输出电压可以为12V；第一参考地和第二参考地可以为同一参考地，也可以为不同的参考地，因此本实用新型可适用于MOS管驱动和泄放电路中驱动电源与MOS管的漏极所连接电源地不是同一个的场合，适用范围更加广泛。
[n0024] 本实用新型中的驱动支路和泄放支路均可以由MOS管和二极管组成。
[n0025] 具体的，驱动支路可以包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2，其中MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极，MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端，MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极，二极管D1的阴极连接电阻R1的一端，二极管D2的阴极连接电阻R2的一端，电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端，电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。
[n0026] 泄放支路可以包括MOS管Q2和二极管D3，其中二极管D3的阳极为泄放支路的输入端，所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极，MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极，MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。
[n0027] 当光耦U1接收到驱动信号导通时，驱动电压经过MOS管Q1、二极管D1、电阻R1和电感L1驱动待驱动MOS管的栅极，完成待驱动MOS管的导通；当光耦U1不导通，即驱动信号关闭时，MOS管Q2导通，驱动待驱动MOS管栅极的电流通过电感L1、二极管D3、MOS管Q2到待驱动MOS管的漏极，实现电流的泄放。
[n0028] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。本申请旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由本申请的权利要求指出。
[n0029] 应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。

权利要求:
Claims (5)
[0001] 1.一种MOS管驱动泄放电路，用于待驱动MOS管的驱动和泄放，其特征在于，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，所述光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端，驱动电源的负输出端连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极，驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。
[0002] 2.根据权利要求1所述的MOS管驱动泄放电路，其特征在于，所述驱动支路包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2，所述MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极，MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端，MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极，二极管D1的阴极连接电阻R1的一端，二极管D2的阴极连接电阻R2的一端，电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端，电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。
[0003] 3.根据权利要求2所述的MOS管驱动泄放电路，其特征在于，所述泄放支路包括MOS管Q2和二极管D3，所述二极管D3的阳极为泄放支路的输入端，所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极，MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极，MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。
[0004] 4.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路，其特征在于，所述的第一参考地和第二参考地为同一参考地。
[0005] 5.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路，其特征在于，所述驱动电源的输出电压为12V。

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同族专利:

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公开号 | 公开日

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引用文献:

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公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

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法律状态:
2021-10-01| GR01| Patent grant|

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2021-10-01| GR01| Patent grant|

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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CN202022936631.8U|CN214337793U|2020-12-10|2020-12-10|Mos管驱动泄放电路|CN202022936631.8U| CN214337793U|2020-12-10|2020-12-10|Mos管驱动泄放电路|